Mosfet (ohne Body Diode) im Inversbetrieb dennoch leitend?

fet schrieb:
> Willst du eine physikalische Erklärung für ein fiktives Modell?
Es gibt auch Mosfets, wo Bulk nicht mit Source verbunden ist, sondern an 
einen eigenen Pin herausgeführt wird.
z.B. den hier: http://www.nxp.com/documents/data_sheet/BSS83_N.pdf
Dann wird der TO Bulk aber irgendwie verbinden müssen

Mosfets sind eigentlich immer in Reverse Richtung leitfähig, weil sich 
durch den PN Übergang immer eine Bodydiode ausbildet. Das kann man nur 
durch 2 Mosfets back-to-back angeordnet verhindern.

Nur ein IGBT ohne Diode ist nicht leitfähig.

Hm, deine Sim zeigt Rds=250 Ohm! Das ist nicht wirklich leitend. Könnte 
auch ein JFET sein.
Ich würde sagen, die Sim zeigt den Übergangsbereich. Ändere Vgs und 
schau was passiert.

Kann es sein, dass dein Fet zwischen D und S noch einen Bulk Anschluss 
hat?

Ich kenne den Simulator nicht. Ist das ein Bulk-Anschluß dieser Knopf??

Wenn ja, dann lege die Steuerspannung zwischen G und B an, nicht an S!!

Dann erhöhe die Threshold-Spannung im Setup mal auf 5V und schau ob noch 
Strom fließt.

Nicht Ugs, sondern Ugb entscheidet darüber, ob der Mosfet leitet oder
nicht¹. Damit er sicher sperrt, muss Ugb ≤ 0 sein. Das erreichst du am
einfachsten dadurch, dass du das Gate nicht mit Source, sondern mit Bulk
verbindest.

—————————————
¹) Nur wenn bei einem Mosfet B intern mit S verbunden ist, sind Ugs und
   Ugb logischerweise gleich.

Moin,

ne du musst das Bulk-Potential schon definieren, sprich mit dem Gate auf 
0V legen. Alles andere führt zu einem leitenden Transistor, oder zu 
leitenden Bodydioden.

Jan R. schrieb:
> Ein Datenbltt gibt es nicht. Dass ist ein Idealer Mostet ohne
> Millerkapazität ohne Griechströme usw.

Dann verstehe ich die Frage nicht. Ein idealer MOSFET verhält sich wie 
ein idealer MOSFET. Siehe Lehrbuch.

Allerdings ist das was da gezeichnet ist, eben kein MOSFET mit 
separatem Substrat- (aka Bulk-) Anschluß. Denn dann müßte er ja 4 
Anschlüsse haben. Ein MOSFET mit 3 Anschlüssen hat immer eine 
Body-Diode. Schöne Grüße von der Physik!


XL

Wenn du zufälligerweise eine Sperrschicht-Fet benutzt (z.B. BF245 
o.ä.)wird der in dieser Schaltung "sehr wohl" leiten. In dem Fall müsste 
das Gate gegenüber der Surce etliche Volt (abhängig vom Typ) negativ 
geplt werden damit der sperrt.

Wolfgang

ArnoR schrieb:
> Dem Schaltsymbol nach ist das ein selbstleitender p-Kanal-Mosfet.

Nein:
https://de.wikipedia.org/wiki/Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor#Schaltzeichen

ArnoR schrieb:
> Im mc.net-Artikel dagegen stimmen Text und Bild.

Da gibt es exakt(!) dieses Symbol überhaupt nicht. Nur die Varianten mit 
explizitem aber evtl. intern verbundenen Bulk.

In diesem speziellen Symbol steht der Pfeil nicht für eine Sperrschicht: 
"The arrow identifies the source terminal and points in the direction of 
normal positive current." [S.19(161)]
http://highered.mcgraw-hill.com/sites/dl/free/0073191639/366537/Chapter_4.pdf

ArnoR schrieb:
> Naja, wenigstens ist es wohl auch in der Darstellung ein
> selbstleitender Fet.

Nein ;-). Siehe Seite 4, 8 und 9 in
http://www-ferp.ucsd.edu/najmabadi/CLASS/ECE60L/02-S/NOTES/FET.pdf

Dürfte aus einer Zeit stammen, da man sowas von Hand zeichnete, und die 
Dreiteilung einfach nur nervte.

Ein Problem scheinen hier mal wieder die nicht einheitlichen 
Schaltzeichen zu sein. Im englischen Sprachraum bezeichnet das vom TE 
gezeigte Symbol einen selbstsperrenden n-Kanal MOSFET: 
https://en.wikipedia.org/wiki/MOSFET#Circuit_symbols

Allerdings muß man bei der Verwendung dieses Symbols immer noch 
irgendwie sagen, wo denn das Substrat angeschlossen ist. Das Symbol 
selber gibt diese Information ja nicht her.

In einem (z.B. CMOS) IC ist die Situation i.d.R. klar: alle n-FETs haben 
das Substrat an GND, alle p-FETs haben es an Vcc. Aber bei einem 
Einzelsymbol? Da kann eigentlich nur sagen: unbekannt. Gate mit Source 
verbunden gibt jedenfalls keine weitere Information. Genausogut hätte 
man das Gate auch unbeschaltet lassen können.


XL

Axel Schwenke schrieb:
> Allerdings muß man bei der Verwendung dieses Symbols immer noch
> irgendwie sagen, wo denn das Substrat angeschlossen ist.

Hast du schon einmal einen MOSFET gesehen, bei dem das Substrat am Drain 
hing? Und offen ergibt es auch nicht viel Sinn. Ob es sich dabei um ein 
IC oder Einzelkomponenten handelt ergibt sich gewöhnlich aus dem 
Kontext, dementsprechend das Substrat, sofern nicht abweichend 
gezeichnet.

> Genausogut hätte man das Gate auch unbeschaltet lassen können.

Auch das ergibt keinen Sinn. Du bist zu Deutsch, musst alles haarklein 
und penibel festgelegt haben. Etwas mehr Flexibilität bitte! ;-).

Vielleicht sollte man einfach mal das Manual des Simulators mit der 
Testschaltung bemühen. Gibts doch sicherlich.

Für mich sieht das momentan nach einem FET für IC-Integration aus. Da 
wird der Kanal üblicherweise durchgängig gezeichnet. 250 Ohm könnte da 
auch hinhauen. Bulk erscheint in den Plänen gar nicht, da immer auf VCC 
oder GND je nach Typ geschaltet.

Jan stellt häufig seltsame Fragen. Ansonsten mal Helmut fragen, der kann 
SPICE UND Mac ;-)

Der Simulator meckert die Unbeschaltung von B nicht an??

A. K. schrieb:
> Axel Schwenke schrieb:
>> Allerdings muß man bei der Verwendung dieses Symbols immer noch
>> irgendwie sagen, wo denn das Substrat angeschlossen ist.
>
> Hast du schon einmal einen MOSFET gesehen, bei dem das Substrat am Drain
> hing?

Da ganz sicher nicht. Schon deswegen nicht, weil Source erst dadurch zu 
Source wird, daß es mit Bulk verbunden wird. Ohne diese Verbindung sind 
Drain und Source gleichwertig.

Aber wenn nicht explizit gezeigt wird (wie bei dem europäischen MOSFET- 
Symbol mit dem dreigeteilten Kanal) wo Bulk angeschlossen ist, was soll 
man dann tun? Raten?

> Und offen ergibt es auch nicht viel Sinn.

Dann paßt es ja zu den Fragen, die Jan R. so oft stellt.

> Ob es sich dabei um ein
> IC oder Einzelkomponenten handelt ergibt sich gewöhnlich aus dem
> Kontext

Nur daß hier kein Kontext existiert. Außer der Behauptung(!) von
Jan R.(!!) daß dieser MOSFET keine Body-Diode hätte.

>> Genausogut hätte man das Gate auch unbeschaltet lassen können.
>
> Auch das ergibt keinen Sinn.

Es ergibt genausoviel (bzw. wenig) Sinn, wie Bulk unbeschaltet zu 
lassen.


ich schrieb:
> Axel Schwenke schrieb:
>> wo denn das Substrat angeschlossen ist. Das Symbol
>> selber gibt diese Information ja nicht her.
>
> Das ist getrennt herausgeführt, aber nirgends angeschlossen.

Wo siehst du das an diesem Symbol? Da ist ja noch nicht mal ein Anschluß 
für Bulk vorgesehen, den man in der Schaltung mit irgendwas verbinden 
könnte. Das Symbol ergibt für ein Einzelbauteil schlicht keinen Sinn.


XL

Axel Schwenke schrieb:
> Wo siehst du das an diesem Symbol?

Genau gegenüber vom Gate. Aussen, eben Substrat, keine Linie.

ich schrieb:
> Ich habe die ganze Zeit das kleine weiße Kästchen auf der rechten Seite
> (zwischen S und D) als einen nicht beschalteten Anschlußpunkt angesehen.
> Ist das keiner? Wenn nicht, was ist es dann?

Das dachte ich eigentlich auch. Etwas komisch ist allerdings, dass beim
Gate ebenfalls so ein Kästchen zu sehen ist, obwohl dort eine Leitung
angeschlossen ist. Ok, vielleicht verschwinden bei diesem Programm (im
Gegensatz bspw. zu LTspice) die Kästchen beim Anschließen nicht. Dann
müssten aber auch an Drain und Source solche Kästchen zu sehen sein.

Vielleicht sind diese Kästchen ja auch einfach nur Griffe, mit denen das
Symbol verschoben oder gedreht werden kann. Dann hätte der Mosfet keinen
Bulk-Anschluss, und Bulk müsste intern mit Source verbunden sein. Dann
müsste aber die Bodydiode leiten, was wiederum das Usd von 1,088 V bei
3,912 mA sehr hoch erscheinen lässt. Es müsste sich also schon um einen
ganz winzigen Mosfet handeln, dessen Parameter dann aber sicher irgendwo
dokumentiert sind.

Bei offenem Bulk-Anschluss würde dieser Wert für Usd aber viel besser
passen, denn er ist gerade ein wenig höher als die Threshold-Spannung.

Es ist also wieder einmal alles möglich und nichts sicher. Man kann ewig
ohne eine Aussicht auf ein Ergebnis darüber herumdiskutieren, wenn man
das Programm und das verwendete Mosfet-Modell nicht kennt.

Der Jan soll uns doch einfach mal die Informationen liefern, die in der
Doku zu dem Mosfet-Modell zu finden sind, und uns darüber aufklären, ob
es sich bei dem Kästchen zwischen Drain und Source um einen Anschluss
handelt oder nicht.

Nur dann kommen wir hier weiter.

ich schrieb:
> Axel Schwenke schrieb:
>> Wo siehst du das an diesem Symbol? Da ist ja noch nicht mal ein Anschluß
>> für Bulk vorgesehen, den man in der Schaltung mit irgendwas verbinden
>> könnte. Das Symbol ergibt für ein Einzelbauteil schlicht keinen Sinn.
>
> Ich habe die ganze Zeit das kleine weiße Kästchen auf der rechten Seite
> (zwischen S und D) als einen nicht beschalteten Anschlußpunkt angesehen.
> Ist das keiner? Wenn nicht, was ist es dann?

Ich habe keine Ahnung, was das sein soll. Aber wenn es ein Anschluß ist, 
warum haben dann Drain und Source keine solchen Kästchen? Zum Raten ist 
mir ehrlich gesagt die Zeit zu schade.


XL