ESP32-C3 per MOSFET ein- und ausschalten

L.S. schrieb:

kann ich das direkt mit einem PIC ansteuern (siehe Bild) oder brauche ich da zusätzliche Teile?

Ja, geht direkt so, braucht nix zusätzlich.

Manche würden einen kleinen Gate-Widerstand vorsehen, um die Schaltflanken flacher und damit EMV-Verträglicher zu machen. z.B. 12 Ohm. Ist aber nicht essentiell.

L.S. schrieb:

Ich möchte einen ESP32-C3 per MOSFET ein- und ausschalten

Suchen hilft meistens, und wer suchen kann ist klar im Vorteil.

z.B: Beitrag "HighSide Switch mit MosFet"

Wastl schrieb:

z.B: Beitrag "HighSide Switch mit MosFet"

Da wird mehr Aufwand getrieben, weil 5V mit einem 3.3V-Steuersignal geschaltet werden sollen. Ist hier unnötig, wenn PIC und ESP an denselben 3.3V hängen.

Alternative ganz ohne Transistor: Den CHIP_EN-Eingang vom ESP mit dem PIC-IO verbinden. Damit schaltest du den ESP auch mehr oder weniger ganz ab (auf ~1µA)

Wenn das natürlich ein Breakout-Board mit eigenem Spannungsregler, Power-LED usw. ist, spart das nicht ganz soviel Strom.

@Ernst B. Danke für die Hinweise, werde mich gleich mal drüber machen.

L.S. schrieb:

Ich möchte einen ESP32-C3 per MOSFET ein- und ausschalten,

Das Problem gab es ja im Forum noch nie ... Beitrag "Re: Selbsthalteschaltung (mit µC) gesucht"

Man muß den P-FET nicht per Schalter überbrücken, sondern kann auch mit einem externen Signal das Gate runter ziehen. Anstatt der BSS138 N-FETs würde ich einen BC_irgendwas NPN verwenden. Wenn man dessen Basis extern ansteuert, würde ein High-Signal den ESP einschalten.

Die Selbsthaltung kann Dein ESP selbst machen und sich trennen, wenn er fertig hat.

Manfred P. schrieb:

Das Problem gab es ja im Forum noch nie ... Beitrag "Re: Selbsthalteschaltung (mit µC) gesucht"

Er will doch keine Selbsthalteschaltung. Er hat einen PIC-µC dauernd an 3.3V, und will den ESP dazuschalten. --> Nix davon ist nötig.

Steve van de Grens schrieb:

Allerdings enthält das ESP Modul Kondensatoren, die bei einem hohen Ladestrom die Versorgungsspannung einbrechen lassen.

Das stimmt. Er hat in seiner Original-Skizze keinerlei Kondensatoren gezeigt. Ich hatte die Hoffnung, dass das der Skizze geschuldet ist, und nicht echt so geplant ist.

Sicherheitshalber: Vor dem FET deutlich mehr Kapazität als hinter dem FET verbauen...

Εrnst B. schrieb:

Manfred P. schrieb:

Das Problem gab es ja im Forum noch nie ... Beitrag "Re: Selbsthalteschaltung (mit µC) gesucht"

Er will doch keine Selbsthalteschaltung. Er hat einen PIC-µC dauernd an 3.3V, und will den ESP dazuschalten. --> Nix davon ist nötig.

Genau, habe das schon gebaut (mit Kondensator) und es läuft so wie gewünscht. Es ging mir NUR darum, ob der P-Channel-MOSFET noch eine zusätzliche Beschaltung braucht, so wie ich das in meinem Startbeitrag gefragt habe.

L.S. schrieb:

Es ging mir NUR darum, ob der P-Channel-MOSFET noch eine zusätzliche Beschaltung braucht

Es kommt drauf an. Damit der P-FET sauber geschlossen bleibt, muß das Gate auf dem selben Potential wie Source sein. In der Grundschaltung macht das der Widerstand rechts oben. Den würde ich generell setzen, man kann ihn auch Angstwiderstand nennen, irgendwas bei 100kOhm.

Wenn nun ein PIC oder sonstwas am Gate hängt, liefert der das Potential. Der IRLML6402 hat eine recht niedrige Gate-Threshold-Voltage und könnte schon bei 0,4V zu leiten beginnen. Ich würde dazu tendieren, einen N-Transistor dran zu setzen. Dann darf der PIC aus oder hochohmig sein oder nicht 100% High erreichen, ohne dass unerwünschter Strom fließt.