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IRG4BC20U_INR.pdf
www.irf.com 3 IRG4BC20UPbF 14 V GE = 15V▯ ) 2.6 ▯VGE = 15V V ) 12 ( ▯80µs PULSE WIDTH ( g IC = 13A n l e 10 o 2.2 u V C e t 8 i c m l - 1.8 o t IC = 6.5A C 6 r D t c u 4 l i o 1.4 IC = 3.3A x , M 2 E C V 0 1.0 A 25 50 75 100 125 150 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160 T C Case Temperature (°C) T
in „LED Stripe über IGBT schalten“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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P-MOSFET_IRF9Z34N.pdf
PD - 9.1485B IRF9Z34N ® HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology D l Dynamic dv/dt Rating V DSS = -55V l 175°C Operating Temperature l Fast Switching R DS(on) = 0.10 l P-Channel G l Fully Avalanche Rated Description S ID = -19A FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifier
in „Pegelwandler 0/5V zu 5V/-9V“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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infineon-irf1010e-mosfet.pdf
PD - 91670 IRF1010E HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology D l Ultra Low On-Resistance V DSS = 60V l Dynamic dv/dt Rating l 175°C Operating Temperature R = 12m DS(on) l Fast Switching G l Fully Avalanche Rated ID= 84A S Description
in „DC Wandler wiederbeleben“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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AVRMicrocontrollers_Peripheral_Integration.pdf
/ / e h n s l m g s T t F B l H I b c t S b u o s M r E C r e e E N b e h u n t k d ®r n m ( V ( M o o r i o a V o M W t r m m i i ( A u ®T T l a y a o w o r l d = ( ( p G ( e a C P t r f T T t t o S T M l h h n C t W M o C g A p e z C C m C C p r o i b a v a i b b L L p C R D T A B I O r u u D e A n e e o i r R u p H D D o D A e n e - 6 u a e - 2 6 C U r R O O D S S 2C P R e T T C x M v l l i P P S S S M A A C A D T I Z 8 1 Q W R 8 1 1 C M C C P B W U U I S I S
in „Nachfolger von Atmega169“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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tempf_lm335.pdf
device. 5 Note 3: 2 M Thermal Resistance TO-92 TO-46 SO-8 / A JA (junction to ambient) 202˚C/W 400˚C/W 165˚C/W 5 JC (junction to case) 170˚C/W N/A N/A 1 Note 4: Refer to RETS135H for military specifications. M L 5 3 Typical Performance Characteristics 3 L Reverse Voltage Change Calibrated Error Reverse Characteristics
in „Temperaturmessung mit μC und LM 335“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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LM135_LM235_LM335TO92_NSC.pdf
device. 5 Note 3: 2 M Thermal Resistance TO-92 TO-46 SO-8 / A JA (junction to ambient) 202˚C/W 400˚C/W 165˚C/W 5 JC (junction to case) 170˚C/W N/A N/A 1 Note 4: Refer to RETS135H for military specifications. M L 5 3 Typical Performance Characteristics 3 L Reverse Voltage Change Calibrated Error Reverse Characteristics
in „Temperatusensor LM 335“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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LM135_LM235_LM335TO92_NSC.pdf
device. 5 Note 3: 2 M Thermal Resistance TO-92 TO-46 SO-8 / A JA (junction to ambient) 202˚C/W 400˚C/W 165˚C/W 5 JC (junction to case) 170˚C/W N/A N/A 1 Note 4: Refer to RETS135H for military specifications. M L 5 3 Typical Performance Characteristics 3 L Reverse Voltage Change Calibrated Error Reverse Characteristics
in „Temperatur + Anfänger“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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LM135.pdf
device. 5 Note 3: 2 M Thermal Resistance TO-92 TO-46 SO-8 / A JA (junction to ambient) 202˚C/W 400˚C/W 165˚C/W 5 JC (junction to case) 170˚C/W N/A N/A 1 Note 4: Refer to RETS135H for military specifications. M L 5 3 Typical Performance Characteristics 3 L Reverse Voltage Change Calibrated Error Reverse Characteristics
in „Spannungsversorgung LM135“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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sd_card.c
file_lenght = ((file_lenght - 44) / 2); uint8_t quantization_error; int16_t signed_sample_16; uint8_t sample_l; uint8_t sample_h; for (uint32_t i = 0; i < file_lenght; i++) { // load 16Bit sample-data sample_l = ffread(); // load L-Byte sample_h = ffread(); // load H-Byte // convert to signed 16Bit signed_sample
in „MMC SD library FAT16 FAT32 read write“ · Projekte & Code ·
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Verpackung eines HDMI Switch Box
HDMI Transmitter (Type A 19-pin female) General Description Operation pixel frequency range 25kHz - 165kHz Single Link Range 1080p HDMI Version 1.3 Compliant Control Toggle button select / Remote Control Power Supply DC INPUT 5V / 1A Adaptor PACKAGE CONTENT Main unit Remote controller AC Adaptor Good Picture Video R-Audio-L Better Picture S-Video P/Cr Pb/Cb Y HDMI HDMI-210R
in „[VS] gegen Porto“ · Markt · · Fotos
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Foto einer Leiterplatte mit Bauteilen
G101 C511 S110 R970 PACK- BATT+ F160 F132 J131 J10 101 D291 L152 D271 D240 R880 R875 C312 F131 C281 F197 F196 F195 F194 F193 F192 F191 F190 F151 F150 F139 F138 F137 F136 F159 F161 F158 F160 F165 F164 F163 F162 R801 D128 R793 D123 R797 D125 R798 D106 DFET R804 D14
in „Bitte um Hilfe bei Bauteilindentifizierung (Sicherung und Diode)“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik · · Platinenfotos
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HCPL2631.pdf
mA U T 0.5 T O C I = 10-15 mA P IO= 16 mA P 0.5 IO= 12.8 mA T F T IO= 12.8 mA T P O 0.4 O 0.4 T 50 L L O E 0.3 E 0.3 L E I = 9.6 mA E IO= 9.6 mA O = 6.4 mA E L 0.2 O O = 6.4 mA L 0.2 E 40 F = 5.0 mA W W L O O W – 0.1 – 0.1 L L L – O 0 O 0 L 20 V -60-40 -20 0 20 40 60 80 100 V -60-40 -20 0 20 40 60 80
in „HCPL2631 Vorwiderstand“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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mpy100.pdf
eliminated by using two differential stages in parallel and cross-coupling their out- V O = g m V L 1 puts as shown in Figure 3. The transconductance g of mhe stage is given by: g m = IE/V T +V S R R L L Stable +V + – Reference S V O –VS and Bias I1 I2 3 I4 V = A (X1– X2)(1 – 2 )– (Z – Z ) O 10 1 2
in „MPY100AG - warum so teuer?“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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LMZ12001.pdf
30114853 30114854 5 www.national.com 1 0 2 Efficiency 6V Input @ 25°C Dissipation 6V Input @ 25°C 1 Z M L 30114821 30114822 Efficiency 8V Input @ 25°C Dissipation 8V Input @ 25°C 30114855 30114856 Efficiency 12V Input @ 25°C Dissipation 12V Input @ 25°C 30114803 30114804 www.national.com 6 L M Z Efficiency
in „National LMZ12001“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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FU_Stoeber.pdf
Kurzanleitung Funktions- E Tasten M Leistungs- Klemmen 1 2 3 4 5 6 8 9 10 Steuerklemmen PE-Anschlüsse L1 Kabel- L2 L1 L3 einphasig --> L2/N Rückhalter 78 7 8 <--dreiphasig ! 9 !9 ▯ ▯ ▯▯ PE-Anschlüsse Steueranschlüsse Motor PE Schirmanschluß Motorkabel- Motor- Netz- Steuerleitungen Schelle Kabel Anschlüsse
in „FU601/003 mit 0-10V ansteuern gelingt nicht“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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ucn5833_datasheet.pdf
Min. Max. Units Output Leakage Current I V = 30 V, T = 70°C — 10 µA CEX OUT A Collector-Emitter V l = 50 mA — 1.2 V Saturation Voltage CE(SAT) OUT l = 100 mA — 1.7 V OUT Input Voltage V 3.5 5.3 V IN(1) V -0.3 +0.8 V IN(0) Input Current l V = 5.0 V — 1.0 µA IN(1) IN l V = 0 V — -1.0 µA IN(0) IN Serial Output Voltage V I = -200 µA 4.5 — V OUT(1) OUT V I = 200 µA — 0.3 V OUT(0) OUT Supply Current l One output ON, l = 100 mA — 1.0 mA DD OUT All outputs OFF — 50 µA Output Rise Time t l = 100 mA, 10% to 90% — 500 ns r OUT Output Fall Time t l = 100 mA, 90% to 10% — 500 ns f OUT NOTE: Positive (negative
in „AT89C2051 und das UART Rätsel“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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8174_WireBushing_EK00_III_de.pdf
schraubbar – steckbar E9 > Für Spannungen bis max. 1000 V > Für Leitun2squerschnitte bis 70 mm E9 e E9 l t w w E9 w Reihe 8174 E9 03163E00 E9 Die Aderleitungsdurchführungen dienen zur Leitungsverbindung zwischen Gehäusen der Zündschutzart „Druckfeste Kapselung“ und „Erhöhte Sicherheit“. Die Adern sind mit
in „Kabel aus Druckgehäuse herauszuführen“ · Mechanik, Gehäuse, Werkzeug ·
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tk18a60v_en_datasheet_110131.pdf
Applications • Switching Voltage Regulators 2. Features (1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON)= 0.165 Ω (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) Enhancement mode: V th= 2.5 to 3.5 V (DS = 10 V, D = 0.9 mA) 3. Packaging and Internal Circuit 1: Gate 2:
in „Mosfet defekt - kann der Ersatztyp verwendet werden?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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LD274.pdf
Half angle 10 Grad Aktive Chipfläche A 0.09 mm 2 Active chip area Abmessungen der aktive Chipfläche L B 0.3 0.3 mm Dimension of the active chip area L W Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel Distance chip front to lens top H 4.9 ... 5.5 mm Schaltzeiten, e von 10 % auf 90 % und von r,tf 0.5 s 90 % auf 10 %, bei I = 100 mA, R = 50 F L Switching times, e from 10 % to 90 % and from 90 % to 10 %, IF= 100 mA, RL = 50 Data Sheet 2 1999-06-01 Opto Semiconductors LD 274 Kennwerte ( TA = 25 °C) (contÕd) Characteristics Bezeichnung Symbol
in „Abstrahwinkel einer LD274“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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LD274.pdf
Half angle 10 Grad Aktive Chipfläche A 0.09 mm 2 Active chip area Abmessungen der aktive Chipfläche L B 0.3 0.3 mm Dimension of the active chip area L W Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel Distance chip front to lens top H 4.9 ... 5.5 mm Schaltzeiten, e von 10 % auf 90 % und von r,tf 0.5 s 90 % auf 10 %, bei I = 100 mA, R = 50 F L Switching times, e from 10 % to 90 % and from 90 % to 10 %, IF= 100 mA, RL = 50 Data Sheet 2 1999-06-01 Opto Semiconductors LD 274 Kennwerte ( TA = 25 °C) (contÕd) Characteristics Bezeichnung Symbol
in „Vorwiderstand für IR-LED LD 274“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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LM2585.pdf
L M April 2000 2 5 5 S LM2585 M ® P SIMPLE SWITCHER 3A Flyback Regulator L E General Description Features S The LM2585 series of regulators are monolithic integrated Requires few external components W
in „12V + 12V = 24V ?“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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A100_IRF3415_IF.pdf
PD - 94963 IRF3415PbF HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology l Dynamic dv/dt Rating D l 175°C Operating Temperature V (kk = 150V l Fast Switching l FullyAvalancheRated R = 0402IΩ (k)on0 l Lead-Free G Description 3(= 2A▯ FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifier
in „Suche IR 513H“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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DS_IRLZ44N-IR.pdf
PD - 94831 IRLZ44NPbF ® HEXFET Power MOSFET l Logic-Level Gate Drive D l Advanced Process Technology l Dynamic dv/dt Rating V DSS = 55V l 175°C Operating Temperature l Fast Switching R = 0.022Ω G DS(on) l FullyAvalancheRated l Lead-Free S D = 47A
in „IRLZ44N Logic Level? Welcher Parameter?“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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IRLZ44N-IR_Reichelt.pdf
PD - 94831 IRLZ44NPbF ® HEXFET Power MOSFET l Logic-Level Gate Drive D l Advanced Process Technology l Dynamic dv/dt Rating V DSS = 55V l 175°C Operating Temperature l Fast Switching R = 0.022Ω G DS(on) l FullyAvalancheRated l Lead-Free S D = 47A
in „PWM-Drehzahlregelung Wasserpumpe mit DC bürstenloser Motor“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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LR8_DS.pdf
Supertex inc. B080113 7 www.supertex.com LR8 3-Lead TO-252 D-PAK Package Outline (K4) b3 A E E1 c2 4 L3 θ1 D1 H D 1 2 3 L4 L5 Note 1 View B b2 e b Front View Rear View Side View Gauge Plane A1 Seating L2 Plane θ L L1 View B Note: 1. Although 4 terminal locations are shown, only 3 are functional. Lead number 2 was removed. θ Symbol A A1 b b2 b3 c2 D D1 E E1 e H L L1 L2 L3 L4 L5 θ1 MIN .086 .000* .025 .030 .195 .018 .235 .205 .250 .170 .370 .055 .035 .025* .035† 0O 0 O Dimen- sion NOM - - - - - - .240 - - - .090 - .060 .108 .020 - - - - - (inches) BSC REF BSC
in „Hochspannungs Linearregler 250V“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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RequiresAcrobat6.pdf
6.20) 0.228 (5.79) 1 4 Dimensions in inches 0.05 (1.27) and (millimeters) 0.04 (1.02) 0.245 (6.22) 0.165 (4.19) 0.020 (0.51) 0.010 (0.25)5° 0.009 (0.23) Min. 0.155 (3.94) 0.050 (1.27) 0.013 (0.33) 0.007 (0.18) 0.069 (1.75) 0.035 (0.889) 0.050 typ. 0.053 (1.35) 0.025 (0.635) (1.27) 0.009 (0.23) 0°– 8° 0.050
in „Ersatz-MosFet für GF9926“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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GL100.pdf
Temperature GL100MN0MP GL100MN1MP 10 I =const. 10 F IF=const. ) ) ( ( u u t t a a d 1 d 1 r r i i l l R R 0.1 0.1 −50 −30−25 0 25 50 75 85 100 −50 −30−25 0 25 50 75 85 100 Ambient temperature a(°C) Ambient temperatureaT(°C) GL100MN xMP Series Fig.11 Radiant Flux vs. Forward Fig.12 Radiant Flux vs. Forward Current Current GL100MN0MP GL100MN1MP 100 100 T a25°C Ta=25°C 10 W W m m 10 (e (e Φ Φ l 1 Pulse l Pulse t (Pulse width≤100µs) t (Pulse width≤100µs) i i a a 1 R R 0.1 0.01 0.1 1 10 100 1 000 1 10 100 1 000 Forward current F (mA) Forward current F (mA) Fig.13 Relative Output vs. Distance
in „GL100 IR-Diode“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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Klima-erdgeschichte_01_2003.pdf
Concentration. In Schopf J. W. & Klein C. (Eds.), The Proterozoic biosphere -a multidisciplinary study (pp. 165-168). Cambridge, University Press. Kasting, J. F., Holland, H. D., & Kump, L. R. (1992). Atmospheric Evolution: the rise of oxygen. In: Schopf J. W.& Klein C. (Eds.): The Proterozoic biosphere -a multidisciplinary
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74HC4049_74HC4050_SMDHC4049_SMDHC4050.pdf
Internal Connection TRUTH TABLE (HC4049) TRUTH TABLE (HC4050) INPUT OUTPUT INPUT OUTPUT nA nY nA nY L H L L H L H H 2/11 M54/M74HC4049/4050 PIN DESCRIPTION (HC4049) PIN DESCRIPTION (HC4050) PIN No SYMBOL NAME AND FUNCTION PIN No SYMBOL NAME AND FUNCTION 2, 4, 6, 10, 1Y to 6Y Data Outputs 2, 4, 6, 10,
in „Ausgänge über Widerstände zusammenschalten (Statischer Fa“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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datenblatt_74hc4050.pdf
Internal Connection TRUTH TABLE (HC4049) TRUTH TABLE (HC4050) INPUT OUTPUT INPUT OUTPUT nA nY nA nY L H L L H L H H 2/11 M54/M74HC4049/4050 PIN DESCRIPTION (HC4049) PIN DESCRIPTION (HC4050) PIN No SYMBOL NAME AND FUNCTION PIN No SYMBOL NAME AND FUNCTION 2, 4, 6, 10, 1Y to 6Y Data Outputs 2, 4, 6, 10,
in „Bustreiber-Ersatz zum 74LS244/245 - brauche Tipp“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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_APT30M40JVFR_A-601394.pdf
width limited by maximum junction3 See MIL-STD-750 Method 3471 4 temperature. StartingjT = +25°C, L = 1.02mHG R = 25 , PeLk I = 70A 2 Pulse Test: Pulse width < 380 S, Duty Cycle < 2% 5 IS≤ -D [Cont.],dt= 100A/ s, DD ≤ VDSS, j ≤ 150°C,GR = 2.0 , VR= 200V APT Reserves the right to change, without notice
in „SOT-227 Leistung Gehäuse im Linearbetrieb?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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74hc76_Matorola.pdf
Clock26 9 10 J2 Q2 8 Reset2 PIN5=V CC PIN13=GND FUNCTION TABLE Inputs Outputs Set Reset Clock J K Q Q L H X X X H L H L X X X L H L L X X X L* L* H H L L No Change H H L H L H H H H L H L H H H H Toggle H H L X X No Change H H H X X No Change H H X X No Change * Both outputs will remain low as long as
in „toggle flip flop areitet unsauber“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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3D-CAD-Modell einer Leiterplatte mit Bauteilen
N L 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70
in „Jalousie Steuerung mit Kleinspannung+ESP32“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik · · Layouts
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SFH309FA.pdf
contÕd) Bezeichnung Symbol Wert Einheit Description Symbol Value Unit VerlustleistungTA= 25 °C Ptot 165 mW Total power dissipation Wärmewiderstand RthJA 450 K/W Thermal resistance Kennwerte ( TA = 25 °C, = 950 nm) Characteristics Bezeichnung Symbol Wert Einheit Description Symbol Value Unit SFH 309 SFH
in „Fototransistor oder Fotodiode?“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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Bours_0603.pdf
Temperature Max. (T smax) 200 °C TL Time (s ) from (sminto Tsmax) 60~120 seconds Tsmax PREHEAT AREA L ) Ramp Up Rate (T tL T )p 3 °C / second max. ° E Tsmin Liquidous Temperature (TL) 217 °C R Time (L ) maintained above TL 60~150 seconds T R ts Peak Package Body 260 °C E Temperature (T p M T Time (p)
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IRF3708PBF.pdf
Processor Power l Lead-Free Benefits l Ultra-Low Gate Impedance l Very Low R DS(on)t 4.5V V GS 2 l Fully Characterized Avalanche Voltage TO-220AB D Pak TO-262 and Current IRF3708 IRF3708S IRF3708L Absolute Maximum Ratings
in „Transistor zum Schalten von 24V/12V“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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IRF3708_IR__1_.pdf
Processor Power l Lead-Free Benefits l Ultra-Low Gate Impedance l Very Low R DS(on)t 4.5V V GS 2 l Fully Characterized Avalanche Voltage TO-220AB D Pak TO-262 and Current IRF3708 IRF3708S IRF3708L Absolute Maximum Ratings
in „Mosfet Treiberschaltung“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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IRF3708_IR__1_.pdf
Processor Power l Lead-Free Benefits l Ultra-Low Gate Impedance l Very Low R DS(on)t 4.5V V GS 2 l Fully Characterized Avalanche Voltage TO-220AB D Pak TO-262 and Current IRF3708 IRF3708S IRF3708L Absolute Maximum Ratings
in „24V-Ausgang potentialgetrennt aus einem STM32 3,3V“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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LND150_C041114.pdf
Package Outline (K1) 2.90x1.30mm body, 1.12mm height (max), 1.90mm pitch D 3 E E1 Gauge 0.25 Plane 1 2 L Seating e L1 Plane b e1 Top View View B View B A A2 A Seating Plane A1 Side View A View A - A Symbol A A1 A2 b D E E1 e e1 L L1 θ MIN 0.89 0.01 0.88 0.30 2.80 2.10 1.20 0.20† 0 O Dimension 0.95 1.90
in „DDR- Mosfet SM104 in Sinusgenerator GF22“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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NaehmaschineFusspedal.pdf
2N6344 3 3 K39I A2 A1 SW1 R4 2 G 3 Ausgeschaltet 57k SW_Push_SPDT 1 C6 2 R5 ? 5 R6 R1 3 240k ? C 0.047K 165k 50 Eingeschaltet D2 C3 D K680 B B L1 750µH Blau 1 2 B 82502-D-B10 R3 39k 2A/440V-/S80V 750µH, 0.5A, T40/A Position Poti (Schleifer) 1 Schwarz 2 2 k R 2 3 C C Sheet: / D D File: NähmaschineFusspedal.sch
in „Kohle für Potentiometer (alter Nähmaschine) gesucht“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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FSA2257.pdf
6. L B0 or B1= 3.0V, 4.5 to 5.5 35.0 40.0 o R L 50Ω, C L 35pF w - B0 or B1= 1.5V, 2.7 to 3.6 20.0 30.0 V R L 50Ω, C L 35pF l tOFF Turn-Off Time B or B = 3.0V, ns Figure 6. a 0 1 4.5 to 5.5 15.0 20.0 g R L 50Ω, C L 35pF e B0or B 1 1.5V, D R = 50Ω, C = 35pF 2.7 to 3.6 1.0 u B-M Break-Before- L L ns Figure 7. a Make Time B0 or B1= 3.0V, 4.5 to 5.5 20.0 1.0 S R L 50Ω, C L 35pF P D Q Charge Injection C L 1.0nF, V GEN
in „Von 0,7..5,0V auf 1,8..2,0V und 2,7..3,0V / so energieeffizient wie möglich“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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IRL3713.pdf
Buck Converters for GS Computer Processor Power l 100%R Tested G Benefits l Ultra-Low Gate Impedance l Very Low R DS(on)at 4.5V VGS l Fully Characterized Avalanche Voltage 2 and Current TO-220AB D Pak TO-262 IRL3713 IRL3713S IRL3713L Absolute Maximum
in „Logic Level Mosfet - Welcher "kann mehr"“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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Bauteile.txt
74LS04, 1 Stück 46. 7490, 1 Stück 47. 74H50, 1 Stück 48. 74LS08, 8 Stück 49. 74ACT08, 5 Stück 50. 74HC165, 4 Stück 51. 74LS161, 4 Stück 52. 74ACT14. 3 Stück 53. 74LS145, 3 Stück 54. 7448, 10 Stück 55. 74LS48, 10 Stück 56. 74LS00, 24 Stück 57. 7400, 25 Stück 58. 74H00, 6 Stück 59. 74HC244, 1 Stück 60. 7404
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irl630.pdf
dt = 100A/µs on Forward Turn-On Time Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on isS+LD)nated by L Notes: Repetitive rating; pulse width limited by ISD≤ 9.0A, di/dt ≤ 120A/µsDD≤ V(BR)DSS max. junction temperature. ( See fig. 11 ) T J 150°C V = 25V, starting T = 25°C, L = 4.6mH Pulse width ≤ 300µs;
in „Kontrolle der Kühlkörperberechnung“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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AG101.pdf
MHz (AG101-PCB) +4.5 V ID=C6 14 0 C=1.8e4 pF DB(|S[1,1]|) * (R)DB(|S[2,2]|) * (R) DB(|S[2,1]|) * (L) 13 -5 ID=L3 Z0=50 Ohm L=12 nH ) L=170 mil )12 -10 d ID=C2 Eeff=3.52 B ( C=56 pF Loss=0 NET="AG101" ID=C5 ( 2 F0=1 GHz C=56 pF 2 , S11 -15 1 S 10 -20 ID=L2 L=10 nH 9 -25 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8 2 2.2
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jupiter-gps_TU30-D160-0x1_.pdf
INPUT VOLTAGE REQUIREMENT BY MODE Operate “Keep-Alive” Power (3 VDC) Management PWRIN Voltage +3.3 ± 0.165V 0V or GND +3.3 ± 0.165 V PWRIN (Typical) 130 mA N/A 70 mA (429 mW) (231 mW) PWRIN (Maximum) 190 mA N/A 190 mA (627 mW) (627 mW) PWRIN Ripple P-P (mV) 100 N/A 100 VBATT Voltage Note 1 +3 ± 0.25 V N/
in „[V] GPS-Module - Conexant Jupiter TU30-D160 mit 10kHz-Ausgang“ · Markt ·
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Schaltplan einer Spannungsversorgung
2SC1815TPE2 -15M D11 MA4180TA C6 35V4700 C9 0.1 R4 6.8 R5 6.8 IC2 KIA7915PI (-15 VOLTAGE REGULATOR) -VCC L7 130uH x3 R99 680 R100 680 LOL LOR C56 0.1 C57 R7 47K Q1 2SC1815TPE2 -15 R8 47K Q2 2SC1815TPE2 PMUT R6 100K D15 MA165TA5 PMUT HPS
in „Technics Digital-Piano SX-PX554“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik · · Schaltpläne
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Last_board_mixed.pdf
A S L 3 h D 3 E K K _ K + O D +7 z L C C P C k 0 H L 1 2 S 4 4 4 z L M C C P P P 8 H 0 D P R S S S S h 0 4 1 G _ L O 4 1 8 2 @ _ G C C814 C815 C816 C817 C818 k 4 L D D m G O _ 4 R INPUT PPS @ 1 kOhm @ 100MHz
in „Schaltplankontrolle Last- + HMI-Board“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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RequiresAcrobat6-5.pdf
downloaded from http://www.datasheetarchive.com. PD - 9.1495 IRL540N PRELIMINARY HEXFET Power MOSFET l Logic-Level Gate Drive D l Advanced Process Technology V DSS = 100V l Isolated Package l High Voltage Isolation = 2.5KVRMS R DS(on) = 0.044 l Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8mm G l Fully Avalanche Rated
in „Power Mosfet Hexfet wie ansteuern ?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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mcr22.pdf
1.7 Volts (TM = 1 A Peak) Gate Trigger Current (Continuous dc) TC = 25⋅C GT — 30 200 A (AK = 6 Vdc, L = 100 Ohms) TC = –40⋅C — — 500 Gate Trigger Voltage (Continuous dc) TC = 25⋅C V GT — — 0.8 Volts (V = 7 Vdc, R = 100 Ohms) T = –40⋅C — — 1.2 AK L C Gate Non–Trigger Voltage) V 0.1 — — Volts GD (AK =
in „TV: Bauteil ?? MCR22-8“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
