Datenraten unter Umständen schon zu langsam. Es sei denn Du nimmst einen schnellen Schalttransistor (2N2222A) und Vorsicht: ein Transistor invertiert!!!! Da du ja eh einen Demultiplexer (74HC138) für die Chip-Select Leitungen brauchst, würde ich mit dem gleichen Signal die Ausgangsleitungen auf einen
Nimm I2C, das kann man auch gut in Software machen. Außerdem kannste da dann auch kaufbare Bauteile mit dranhängen (zb. Tempsensoren) Fertige I2C Bibliothek zb bei http://homepage.hispeed.ch/peterfleury
leider nicht belastbar, und bricht sofort zusammen. High Pegel ist 4-12 V, Low Pegel 0-1 V. Mit einem 2N2222 funktioniert es leider nicht gut genug. Sollte ich also besser einen Darlington Transistor oder einen 5V Logic Level Fet nehmen?
Hallo Sven, klar kannst du einen LogikLevel Mosfet nehmen, der ist dann ab 2.5V durchgeschaltet.
darf. Das Verhalten ist halt nur nicht spezifiziert. Bei Schalteranwendungen verwende ich gerne den 2N2222A der hat dann so 0,25 us Sperrverzögerungszeit bei 150mA Kollektorstrom.
(2 x LDI, ADD, ADC) - Segment-Bitmuster aus Array holen (2 mal LDD) - Digit-Bitmuster aus Array holen (2 mal LDD) - Beide Bitmuster miteinander verknüpfen (2 x OR, AND, je nach Schaltung) - Bitmuster
BCY79 oder 2N2222 den Metalldeckel abfeilen, schon hast du einen Fototransistor ;) Früher in der Elektor hatten sie nen 2N3055 genommen, der hat so einen riesigen Chip dass er besonders gut ist...
und ermittelt (aufgrund der Wicklungen und Kernform des Magneten) einem stabilen Abstand bei 0,2A, so ist die Übertragungsfunktion 0,5N/0,2A. Multipliziert man diese zwei Übertragungsfunktionen, erhält man für Endstufe und Magnet H_ = 0,05N/Volt (also Kraft/Volt) Geht man beim Sensor von einem
"J120": Könnte auch nur ein J12 sein, was dann ein 2N2906A bzw. SO2906AR wäre. Gehäuse müßte SOT-23 sein. "P5" o. "BC": Mit "P5" dürfte es sich wohl um einen BFR90A, BFR92AR, BFR92S, FMMT2369A oder 2N2369A handeln. Gehäuse müßte SOT-23 sein. Aber
BC637-10 (SOT-223), SMAJ13A-TR (DO-214AC) oder MAX822MUS (SOT-143) stehen. "p1P": Steht für einen 2N2222A o. PMBT2222A (SOT-23) oder 2N2222a o. PXT2222A (SOT-89). Die "12" könnte das Produktionsdatum sein - oder folgendes: PDTA144VK o. PDTA144VS (SOT-326), PDTA115TE (SOT-416), PDTC114YES (SOT-490
für den NPN habe ich den 2N2222 und für den PNP den 2N2904. soll ich welche mit großen Ic verwenden oder sehe ich falsch ?
hatte ich nämlich nicht die beiden vorgeschlagene Tr in meinem Biblio. dafür habe ich die NPN 2N4921 und die PNP BD242C verwendet und die sind hervorragend. ich bekomme I(dc) ca. 100 mA. vielen Dank. ich finde Immer sehr nett , dass es Leute gibt, die bereits die andern zu helfen
detector adjust (single power supply) 5V 5V Offset Adjust100kW 5V 100kW 5.1kW R2 1M W 1MW 100kW Rs R I 5.1kW 5.1kW 15k e I 1/2 2N 2222 LM193 e I~ LM193 1N4148 0.5 F 100kW 1k 20M W 10kW eo Figure 14. Limit comparator Figure 15. Crystal controlled oscillator VCC(12V) VCC = 15V W 2RS 10k W 200k 2kW V (ref) 100kW high 1/2 LM193 VCC RS Lamp 1/2 0 0.1mF LM193 eo e I~ 1/2 f = 100kHz LM193 2N 2222 200kW 2RS V (ref) low Figure 16. Split-supply applications - zero Figure 17. Comparator with a negative
Miniatur-Klemmprüfspitzen und Leitung gekauft und dann selber konfektioniert. https://www.buerklin.com/default2.asp?event=ShowArtikel%2815F306%29&l=d&jump=ArtNr_15F306 https://www.buerklin.com/default2.asp?event=ShowArtikel%2835F2222%29&l=d&jump=ArtNr_35F2222 https://www.buerklin.com/default2.asp?event=ShowArtikel
0Ω 112 S 96 80 z √ 0V V n 64 (n e 48 32 3 16 1 1s 2mV 1 0 1 0 5 10 15 20 25 - 1 FREQUENCY (kHz) 0 Figure38.0.1Hzto10HzNoiseat2.7V Figure41.VoltageNoiseDensityat2.7Vfrom0Hzto25kHz VSY = ±2.5V V SY= 5V A = 10000 R = 0Ω V 91 S 78
Bauteil noch nicht ausgewechselt. Komisch nur, dass LTSpice mit den angegebenen Daten (Hab sogar den 2N 2222 als Transistor zum simulieren genommen) eine so gute Schwingung auswirft? Selbst mit einer schlechteren Kopplung schwingt die Simulation akzeptabel (also zB: K L1 L2 0.2) Ich möchte btw eine
Kollektorstrom auch: 1,26V am Emitter. Eine andere kleinere Drossel mit Ferritkern schwingt auf rund 2kHz mit fast schon Sinus. PS: sorry, das Oszibild ist wirklich nur ein Screenshot ;-))) Bastelbudenrechner habe ich nicht auch noch hochgefahren. PPS: Transistor ist ein guter alter SF128D, 2N2222
50 T = 25°C VOUT = 5V 1.6 A 1.5 C 1.5 40 E 1.4 Q TA= 25°C ) s R ( 1.3 ( 30 D 1.0 N 1.2 M Z S - A TA= 70°C R 1.1 F 20 M LTC1174HV O O 1.0 LTC1174-5 N 0.5 0.9 10 LTC1174HV-5 LTC1174 0.8 LTC1174-3.3 LTC1174HV-3.3 0 0.7 0 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 4 6 8 10 12 14 16 18 20 0 1 2 3 4 5 (VIN– VOUT
74LS14 Schmitt-Trigger als Puffer, und wegen der langen Leitung. Hinter den Ausgängen des 74LS14 sitzen 2n2222 Transistoren mit einem 1 kOhm Basisvorwiderstand. Die Relais sind 12 V Relais, Transistor sitzt zwischen Relais und Masse. Die 12 V Spannungsversorgung kommt aus einem normalen Trafo, dahinter
Schmitt-Trigger als Puffer, und > wegen der langen Leitung. Hinter den Ausgängen des 74LS14 sitzen 2n2222 > Transistoren mit einem 1 kOhm Basisvorwiderstand. > Die Relais sind 12 V Relais 12VDC oder 12VAC ??? > Transistor sitzt zwischen Relais und Masse. > Die 12 V Spannungsversorgung kommt aus
0 to S + (18V – V S 36V 200Ω LT1783 400µV 45nA 1.25MHz 0.42V/µs 2.2V to 18V 0 to V + (18V – V ) 36V 3V S S RS LT1784 1500µV 250nA 2.5MHz 2.4V/µs 2V to 18V 0 to S + (18V – V S 36V 0.2Ω + Q1 LT1637 2NV904 LOAD – (0V TO 2.7V) DIP-8 OUT 2k LOAD LOA(
ausschalten, wenn keine Spannung anliegt. Ich habe dafür einen 7414 Schmitt Trigger vorgesehen, einen 2N2222 als Schalttransistor und ein 12 V Relais um die Spannungsversorgung des TV Gerätes zu schalten. Und weitere zusätzliche Bauteile, Widerstände, Kondensatoren, Dioden Schaltplan ist angehängt. Bitte
Transistor soll ein 2n2222 oder was vergleichbares werden. Die 2 Gatter am Ausgang habe ich parallel geschaltet, um den Strom zu erhöhen. Welche Bauteilwerte würdet ihr in so einer Schaltung für einen Snubber nehmen?
http://en.wikipedia.org/wiki/2N2222 was da unter WARNING steht. Ist hier vielleicht jemand so festkoerperphysisch bewandert dass er erklaeren kann WARUM? Ich frage mich ja schon laenger ob man den Effekt ausnutzen koennte um Transistoren
schulen.eduhi.at/riedgym/Physik/9/schiefe_ebene/start_schief.htm FG = m*g = 90kg*9,81m/s = 882,9N Da man aber nicht 90° nach oben will, FH = FG*sin(alpha) 10% Steigung sind auf 100m waagerecht 10m senkrecht. arctang(0,1) = 5,7° = alpha FH = FG*sin(5,7°) = 87,68N Die Kraft muss man aufbringen um seine Position zu halten. Möchte mann noch bei dieser Steigung mit 8km/h = 2,2222m/s vorwärtskommen, dann muss man folgende Leistung spendieren. Arbeit = Kraft * Weg W = F * s Leistung = Arbeit/Zeit P = W/t P = 87,68N * 2,222m/s = 194,8W Wollte nur mal wissen,
) J6 D1 R15 4 3 2 1 5V BATTERY R R R R 6 CR1 CR2 R4 6 5 LCD1 1 R R J2 C J7 Y2 R20 U8 C18C4 Y1 3 C CONTRAST U6 U2 U1 T J1 4 C5 RRA0 R R C17 1 1 1 P E V V R + + 1 C11 C10 C19 0 C R16 1 U3 U4 2 3 D D 1 C8 C2 0 0 N N C 1
verschiedenen Optionen fur einen nicht aher spezi▯zierten relativ kleinen Testcode bei Verwendung einer n cht naher spezi▯zierten Compilerversion. ▯ -O0 : 12’217 Byte ▯ -O1 : 9’128 Byte ▯ -O2 : 1’670 Byte ▯ -O3 : 3’004 Byte ▯ -Os : 1’695 Byte Im diesem Testfall uhrt die Option -O2 mit zum kompaktesten Code
Schottky-Diode. Oder um es mit gängigen Bauteilnamen zu sagen: BAT85, BAT54 oder BAV99. Die Kapazität der 1N5818 ist wahrscheinlich zu groß. Ich habe da was von 110pF gelesen. Die BAV99 dürfte so um die 2pF haben. Gruß, Michael
Stromverstärkung sind schlechter > - klar, die Millerkapazität wirkt ja multipliziert mit dem hFE. Den 2n2222 hatte ich mal eingesetzt, das war sehr deutlich. Bei dem hat sich die Diode dann auch wirklich gelohnt. Gruß, Michael
Der NPN-Transistor (BC108, 2N2222A o. ä.) wird invers betrieben. An Uout ist ein Sägezahn (ein paar KHz, 1 Vss) auf dem Oszilloskop zu sehen. Die Schaltung habe ich hier her: http://homepages.internet.lu/absolute3/tronic/oscspec.htm
Hallo, danke für die Antworten. Bei dem Transistor handelt es sich um den 2N 2222A Die Last ist beliebig, da ich die Transistoren in Lauflichtgeräten verwende. Angeschlossen wird da immer eine andere Last. das höchste was mal 250mA pro Transistor/Kanal. Aber es sollten ja min
Basti meint wohl 8 Kanäle mit je einem 2N2222 ? Kein normaler Mensch würde ohne Not 8 mickrige Transistoren parallelschalten, wenn es größere gibt.
Vorwiderstand die ausgangsspannung. Als And gatter habe ich den MC14081B und als Transistor den 2N2222 ;-) Währe schön wenn ihr mir weiter helfen könnt Fals dies schon mal gefragt wurde.. ich habe in der suchfunktion verschiedene Suchbegriffe eingegeben, fals ich einen Thread übersehen
Ausgang T1 MOSI 14 PB2 0 1PC4 27 100nF 15 PB3 C CPC3 26 2N2222 MISO 16 PB4 6 7 A APC2 25 5 C C E D C 0 1 SW2 R4 33k B V D R N D C C R14 R15 MS402 P A A A G A P P 330 330 GND GND 7 8 9 0 1 2 3 4 ) Optional kann ein 47ohm1 1
: “Port Pin” -this a s very very simple model but will serve the purpose for static conditions). V(n001) ` Spice Simulation of voltage points across 2n2222 transistor Note: V(n001) = Target_Vdd_Switched does note meet the 2.4 minimum requirement Voltage drop across Q1 B) New Proposed Vdd Circuit for ICP Bridge Hardware This is a modification on the classic NPN-PNP load switch circuit V(n001) V(n002)) Spice simulation of voltage points across 2n2222 GOOD ! Only 54mV across Load Switch transistor Q2 ******** Here you can see Vdd Target LPC900 voltage looses ~ 60mV ************** ******
~-4.5V, Typ. from -5.5 to -5V 3.Modify 3-1 Digital Supply Power from2.7V ~ 3.0V to 2.5~3.0V, Typ. from 2.85Vto 2.8V 4.Modify 5-1 Logic Supply Voltage: VDD1 & VDD2 MAX from 3.5V to 3V. 5.Modify 5-4 Driving touch panel: Resistor between terminals (XR-XL): MIN from 300£[to
nämlich das Problem hinter der jährlichen Forderung nach Verdopplung! Anfangswert: 1 Jahr 1: 1*2=2 Jahr 2: 2*2=4 Jahr 3: 2*4=8 Jahr 4: 2*8=16 Summenformel: Verdopplung^Jahr = 2^Jahr. Wenn das nicht exponentiell ist? Wenn BWLer nicht so doof wären, würden sie auch andere Lösungen finden
Problem hinter der jährlichen > Forderung nach Verdopplung! > > Anfangswert: 1 > > Jahr 1: 1*2=2 > Jahr 2: 2*2=4 > Jahr 3: 2*4=8 > Jahr 4: 2*8=16 > > Summenformel: Verdopplung^Jahr = 2^Jahr. Wenn das nicht exponentiell > ist? Das ist eben das Problem wenn man es nicht versteht. Es gibt
Ausgang T1 MOSI 14 PB2 0 1PC4 27 100nF 15 PB3 C CPC3 26 2N2222 MISO 16 PB4 6 7 A APC2 25 5 C C E D C 0 1 SW2 R4 33k B V D R N D C C R14 R15 MS402 P A A A G A P P 330 330 GND GND 7 8 9 0 1 2 3 4 ) Optional kann ein 47ohm1 1
Stromquelle ADC „0“ Potenzial 0 Sinusstromquelle ISIN Sinusspannungsquelle VSIN Ein Standard Transistor Q2N2222 Eine Standard Diode D1N4002 oder D1N2222 4.2.f Fehlerquellen Fehlermeldung Behebung „Node <Knoten> is Meist ein Anzeichen für eine fehlende Masse. floating“ Lösung: Überprüfe alle Masse-Anschlüsse
Gibt es zu o.g. Transistoren Vergleichstypen in SMD? Habe bis jetzt PZT2907A bzw. PMBT2907A und PZT2222A bzw. PMBT2222A gefunden... Ist das mit den Namen nur Zufall oder sind das Vergleichstypen? Habe leider keine belastbare Quelle zur Hand. Viele Grüße Tingeltantelbob
Die Bezeichnungen sind absichtlich so gewählt, weil es sich tatsächlich um Vergleichstypen zu den 2Nxxxx handelt. Bei Dioden gibt es das auch z.B. 1N4007 <-> SM4007 oder 1N4148 <-> LL4148.
TXD GND 5 13 PB1 U2 PC5 28 3-Ader-LIN-Bus 14 PB2 ATMega168 PC4 27 10k R10 C2 Q1 MOSI 15 PB3 C CPC3 26 220pF 2N2222 MISO 16 D D 25 C9 SW2 PB4 C 6 F D 7 A APC2 100nF MS402 R4 33k B V D R N D C C P A A A G A P P GND ) GND
RXD 30 RXD 3 R8 1K 12 PB0 PC6 29 TXD 4 TXD GND 5 13 U2 28 3-Ader-LIN-Bus 14 PB1 ATMega168 PC5 27 10k R10 C2 Q1 MOSI 15 PB2 0 1PC4 26 220pF 2N2222 MISO 16 PB3 D DPC3 25 C9 SW2 PB4 C 6 F 7 A APC2 100nF 5 C C E D C 0 1 MS402 R4 33k P A A A G A P P VCC GND GND
GND 5 13 PB1 U2 PC5 28 3-Ader-LIN-Bus 14 PB2 ATMega168 PC4 27 10k R10 C2 C Q1 MOSI 15 PB3 C CPC3 26 220pF C 2N2222 MISO 16 D D 25 C9 SW2 PB4 C 6 F D 7 A APC2 100nF MS402 R4 33k B V D R N D C C VCC P A A A G A P P GND
... Folgende Teile habe ich (aus der Eval Edition) verwendet: für die beiden NPN Transistoren den Q2N2222, als OP den opamp. Uref = 5V (mit Hilfe einer VDC Quelle), R1=1k, R2=1k, R3=15,7k und R4=1k. Anbei noch kurz die Netzliste: I_I1 0 Iin DC 1uA C_C1 Iin Uoutstage1 5p R_R7 0 $N_0001 1k R_R12 $N_0001 Uout 15.7k Q_Q5 $N_0002 0 $N_0003 Q2N2222 D_D3 0 $N_0003 D1N4148 Q_Q7 $N_0004 $N_0001 $N_0003 Q2N2222 R_R1 Iin Uoutstage1 1Meg
ein IC, welches ich als verstärkerschaltung benutzen kann. Ich habe eine Eingangsspannung von +/- 2V und möchte eine OPV(Operationsverstärker), der mit dieser +/- 2V auf +/-20V ungefähr verstärkt. kenne jemand eine solche OPV?? oder hat jemand einen anderen Vorschlag?? um -/+ 2V auf -/+ 20 V
wahrscheinlich selbst suchen. Nach meinem Bauchgefühl wird ein einfacher Feld-Wald-Wiesentransistor wie 2N2222 wahrscheinlich nicht funktionieren. Ganz einfach wird es nicht werden. Ich tendiere eher dazu, im Amateurfunkbereich zu schauen, ob es nicht entsprechende Verstärker schon fertig gibt.
Hallo Michael, ich würde mir einen NPN-Typ (z. B. 2N2222), einen PNP-Typ (2N2904) und ein paar N-Kanal und P-Kanal FET mit niedrigem DS-Widerstand zulegen. Bei den FET solltest Du solche Typen bevorzugen, die Du mit 5V-Pegeln schon ansteuern kannst.
man schon mal 90% aller Fälle. Wenn's mehr Leistung sein soll: Ich stamme zwar aus der Generation 2N3055 würde aber dennoch zu der angenehmeren Bauform TIP3055 raten. Zum Experimentieren hervorragend geeignet, da fast unkaputtbar. 2N2222 oder 2N2904 mögen Standardtransistoren sein, werden aber in
1kΩ 2N2222 68 Ω 0.02 μF BY205-400 1k Ω TUT V =400V clamp +5V 5XBY205-400 270 Ω BY205-400 1kΩ 2N2904 Adjust pw to obtaiC I D44H11 47 Ω For C < 6 A VCC = 50 V VBE(off) For C ≥ 6 A VCC = 100 V 100 Ω Figure 1.
Spannungsverstärkung von 7,5. Das Ganze ist aber nicht viel mehr als das Prinzipschaltbild. Der 2N2222 hat übrigens nur 30 VCE0, mutiger Ansatz. Simulation ist doch was Schönes. Hier wird so was ähnliches ausführlich behandelt: http://www.hifi-forum.de/index.php?action=browseT&back=1&sort=lpost
>Der 2N2222 hat übrigens nur 30 VCE0, mutiger Ansatz. Simulation ist doch >was Schönes. Na für die paar Volt wirds reichen. MW
