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irf9z34n.pdf
Delay Time ––– 13 ––– VDD = -28V r Rise Time ––– 55 ––– D = -10A ns d(off) Turn-Off Delay Time ––– 30 ––– RG= 13 f Fall Time ––– 41 ––– RD= 2.6, See Fig. 10 Between lead, D LD Internal Drain Inductance ––– 4.5 ––– 6mm (0.25in.) nH G from package LS Internal Source Inductance ––– 7.5 ––– and center of
in „IRF9Z34N als Ersatz für BUZ171“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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IRG4BC20U_INR.pdf
Measured 5mm from package Cies Input Capacitance 530 V GE= 0V Coes Output Capacitance 39 pF V CC= 30V See Fig. 7 Cres Reverse Transfer Capacitance 7.4 = 1.0MHz Notes: Repetitive ratinGE = 20V, pulse width limited by max. junction temperature. ( See fig. 13b ) Pulse width ≤ 80µs; duty factor ≤ 0.1%.
in „LED Stripe über IGBT schalten“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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irl2203n.pdf
91366 IRL2203N HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology D l Ultra Low On-Resistance V DSS = 30V l Dynamic dv/dt Rating l 175°C Operating Temperature R = 7.0m DS(on) l Fast Switching G l Fully Avalanche Rated D = 116A S Description ® AdvancedHEXFET PowerMOSFETsfromInternational Rectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieve
in „Saito Pro Charger Batterieladegerät - Mikrocontroller ATmel ATTINY26L defekt?“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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P-MOSFET_IRF9Z34N.pdf
Delay Time ––– 13 ––– VDD = -28V r Rise Time ––– 55 ––– D = -10A ns d(off) Turn-Off Delay Time ––– 30 ––– RG= 13 f Fall Time ––– 41 ––– RD= 2.6, See Fig. 10 Between lead, D LD Internal Drain Inductance ––– 4.5 ––– 6mm (0.25in.) nH G from package LS Internal Source Inductance ––– 7.5 ––– and center of
in „Pegelwandler 0/5V zu 5V/-9V“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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irl2203npbf.pdf
IRL2203NPbF HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology D l Ultra Low On-Resistance V DSS = 30V l Dynamic dv/dt Rating l 175°C Operating Temperature R = 7.0mΩ DS(on) l Fast Switching G l Fully Avalanche Rated ID= 116A l Lead-Free S Description fi AdvancedHEXFET PowerMOSFETsfromInternational Rectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieve
in „IRL2203N defekt?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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C500-System.pdf
un d d en In t grator ben utzten O PV gäng en lA un d 18 ein e Pe gelverteiu ng, bei • si d m i F el efgekttr nsist ren aufge bau t der g rvnd sätzlch jewe is d er eine Eing ang D i E ingan gsruh estö m e l ssen sich m it de H -u nd der and ere L-Po tential fýhrt.Z ue'n 'j nen d er bek ann tn .BF
in „IC C500 Schaltplan“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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irs2011pbf.pdf
Figure 4B. Turn-OnRise Time vs.Temperature vs. SupplyVoltage 50 50 ) ) (40 n 40 e ( i Max. m Max. T30 T 30 a l F F f20 f 20 - - r10 Typ. r 10 Typ. T u T 0 0 -50 -25 0 25 50 75 100 125 10 12 14 16 18 20 o Temperature( C) VBIASSupply Voltage(V) Figure 5A.Turn-Off FallTime Figure 5B. Turn-Off Fall Time
in „H-Brücke - 30A - MOSFET“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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SPS9540_KM_G_011017.pdf
1 TA4 TA7 TA10 TA13 TA16 TA19 TA21 16 8 8 16 3 6 9 C E Standby U I P I 3 1 2 C311 C310 C308 C312 I 30 5 I 30 6 IC 307 I 30 8 C329 CD 4051 LC 168 FM 24 04 CD 4052 TA 2 TA5 TA8 TA11 TA14 TA17 TA20 TA22 2 - SM D 100n SMD 100n SM D 100n SMD 100n 1 8 SM D 5 SM D 4 SMD 8 SM D SMD A + 3 + 0 1 k D 2 5 8 Entr
in „*Netzteil die ZWEITE*“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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36ddedx.pdf
Nom. Insulation disc D Max. LARGE CAN BRACKETS B B 0.500 0.187 0.156 [12.7] [4.8] [4.0] 0.25 [6.3] A 30° 30° 0.375 [9.5] 30° A 15° 0.218 [5.5] 0.406 [10.3] 0.406 [10.3] 0.312 0.125 [7.9] [3.2] 0.125 [3.2] C 0.250 [6.3] 0.176 2 hole [4.5] 0.281 [7.1] 0.149 [3.8] dia. 0.281 [7.1] 0.562 [14.3] 0.750 0.750
in „Unterschied Bauform "kleiner Elko" "großer Elko"“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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PHI.pdf
±3.18 30 86 0.78 1038 1066 1093 ±3.33 40 104 0.75 1119 1150 1182 ±3.64 50 122 0.73 1203 1239 1275 ±3.97 60 140 0.71 1290 1331 1372 ±4.31 70 158 0.69 1381 1427 1473 ±4.67 80 176 0.67 1476 1527 1578 ±5.05 90 194
in „Genauere Messung der Temperatur“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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cyc_c5v1-1299412.pdf
Regulators Total Number of Voltage Regulator Regulator Type Components VIN(V) IOUT(A) Special Features EL7551C Switching 11 5.0 1 — EL7564CM Switching 13 5.0 4 — EL7556BC Switching 21 5.0 6 — EL7562CM Switching 17 3.3 or 5.5 2 — EL7563CM Switching 19 3.3 4 — Voltage Divider Network Design a voltage divider
in „BMW Nightvision (FLIR PathfindIR) "Wärmebildkamera"“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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ProMini328PB_R1.pdf
INT1/PD3 1 1K GND 4 GND GND GND IO9 GND 32 IO2 D2 D2 D2 VCC INT0/PD2 31 IO1 IO3 5 1K LED2 8 TXD/PD1 30 IO0 IO4 6 D3 D3 D3 R8 SJ4 SCK X2/B7 RXD/PD0 IO5 7 D4 D4 D4 GND 16MHZ Y1 8 D5 D5 D5 1K LE1 SDA1/PE0 3 IO6 9 D6 D6 D6 B 7 X1/B6 SCL1/PE1 6 IO7 10 D7 D7 D7 B SF1 C10 C11 IO8 D8 D8 D8 18pF 18pF ATMEGA328PB
in „Heute aus China angekommen: fake or not“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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Pollin_NetIO_Clone_SCHEMATIC.pdf
TD+ int. 16MHz (ADC1)PA1 EIN2 CTD AREF 2 32 AREF (ADC0)PA0 40 EIN1 2 TD- LED1_G+ 9 Original: ext. 1 30 AVCC +5V 3 R10 R9 3 RD+ LED1_G- 10 Trxcom TRJ0011 J4 10u L1 31 GND (SCK)PB7 8 SPI_CK SPI_INT 3 51R 51R C10 5 CRD LED2_Y- 11 (MISO)PB6 7 SPI_SO + IC3 3 6 RD- LED2_Y+ 12 10 6 SPI_SI R13 28 27 V 10n 7 11
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Datei
IR12roll.asm
SRAM .org $60 ;ab Adresse 96 (nach mapped-I/O-Bereich) dauerz: .byte 80;40 Ausschalt-Zähler für die el. Relais ;r0=Aus-Maske A ;r1=Ein-Maske A .def srsk=r2 ;SREG-Kopie .def null=r3 ;immer 0 .def shiftl=r4 ;Empfangsregister L .def shifth=r5 ;Empfangsregister H .def zsalt=r6 ;alter Zeitstempel .def zaehler
in „8-Kanal IR-Fernbedienungs-Bausatz IRK8“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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IRLR7843C.pdf
MOSFET l High Frequency Synchronous Buck V DSS R DS(on) max Qg Converters for Computer Processor Power 30V 3.3m : 34nC l High Frequency Isolated DC-DC Converters with Synchronous Rectification for Telecom and Industrial Use l Lead-Free Benefits l Very Low RDS(on) at 4.5V V GS l Ultra-Low Gate Impedance D-Pak
in „H-Brücke - 30A - MOSFET“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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pc715v0nszx_e.pdf
order to obtain the latest device specification sheets before using any SHARP device. 1 SheetDate Jun. 30. 2005 © SHARP Corporation PC715V0NSZXF Series ■ Internal Connection Diagram 1 6 1 Anode 2 Cathode 3 NC 2 5 4 Emitter 3 4 5 Collector 6 NC ■ Outline Dimensions (Unit : mm) 1. Through-Hole [ex. PC715V0NSZXF
in „Optokoppler bei geringen Strömen“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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apem_08162017_16300-1158414.pdf
Ratings (Ta=25⁰C) Power mW 100 100 100 135 135 135 105 70 60 120 60 150 130 300 Current forward mA 30 30 30 30 30 30 30 20 20 25 20 40 40 90 Forward peak current mA 50 50 50 90 90 90 200 60** 60** 100 60** 500 500 1000 Voltage reverse V 5 5 5 5 5 5 5 3 3 5 3 12 12 5 Operating temperature ⁰C -25 - +100
in „Suche Einbautaster mit 2 Leuchtanzeigen“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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DE_Technisches_Handbuch_RIO_Module_V4795.pdf
: 8,5mm Seite 15 von 35 myGEKKO RIO Version 1.0 Technische Daten: Versorgungsspannung 24VDC (-25%/+30%) Stromverbrauch (Intern) max. 250mA (typisch. 100mA @24VDC) Abmessungen L x B x H 162mm x 110mm x 62mm Gewicht 280g IP Schutzklasse IP20 Schutzklasse 2 Luftfeuchtigkeit max. 75% r.F. (ohne Betauung)
in „PWM-Signal 24V 500Hz wandeln in 10V PWM“ · Haus & Smart Home ·
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2CDC420009D0101.pdf
(Einphasenbetrieb) bis 32 A 30 – fest angeschlossene, in der Hand gehaltene 30 Betriebsmittel BG FE Steckdosenstromkreise bis 32 A 10 ... 30 (BGI 608) und sonstige Steckdosenstromkreise 300 .. 500 0100 Teil 705 Landwirtschaftliche
in „FI- Schutzschalter löst bei Erschütterung aus“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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Propeller_Layout_20070717.pdf
3 38 23 2 8 2 1 2 1 2 2 1 C 27 D18 14C 2 39 22 R C7 1 3 29 D16 123 2 3 25 16 41 20 2 R192 V 1 2 1 30 111 5 2 R 2 43 D9 18 8 2 8 7 6 5 4 3 2 1 3 1 2 1 C1 3 2 1 9 31 105 2 C200 1 45 16 2 2 8 R 1:L 3: : : : : : ::L:L:L:L:L: : 1 26 15 1 3 4 0 47 14 1 G 1 C 1 C 1 2 R 4 2 2 2122232 4 5 6 171811 1 1 2 1 48
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Ultraschall_005.pdf
ausgewählt, dass sie möglichst nahe an der Resonanzfrequenz des Senders und des Empfängers liegen, um die el. Sendeleistung so gering wie möglich zu halten. Sender Die Aufgabe des Mikrokontrollers auf der Senderseite ist die variable Frequenz, entsprechend der zu sendenden Bits zu erzeugen. Dies geschieht mit
in „modellbau empfänger selbstbau?“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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NANO_BreakoutBoard_Stromlaufplan2.pdf
VIN8-20V GND 4 GND R2 CON2 GND GND 2 GND 1 D1 3 CON4 330R Ext 2 Int 3 CON3 20V NANO A1 HEADER 3 J3 1 30 NANO D1/TXO/PD1 VIN TXO 1 R3 2 D0/RXI/PD0 GND 29 GND R11 D2 J4 RXI 2 RESET 3 RES/PC6 RES/PC6 28 VIN 1 5VINP 4 27 RES 3 330R GND GND 5V VCC 330R 1N5817-TP GND 2 GND GND 4 GND R4 5 3 RESET D2 5 D2/PD2/
in „Zeigt her eure Kunstwerke (2017-2019)“ · Projekte & Code ·
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4415-0058_LNG_V2_TotalWiring.pdf
(V2-V1) R? 7 DC-OFF CIRCUIT 2SD9015 1 +Vin 1 0-2V (19.99VDC) R3=(Vo/(V2-V1))*R1 20K00 M c U5B H +4-30V 2 +8V2 R? R? 0-200mV U4C C4 V 1 1 GND 3 N/C (V1) 1 DPM-VM 0u1 U4B 2 15 A x 20K00 100K0 N1 TBD - 2 CON3 (R3) (R1) NULL ADJ V 4053 / V RV3 - 0 M 100K 4 R? - R ( Rshunt 5 R? 3K9 C N2 8 P3 270K D HS+ 1
in „Labornetzgerät - Fragen zum Schaltplan“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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PCF1252_X_FAM_3.pdf
HIGH, if voltage at COMIN is above the • HIGH, if VDD is above VTRIP. switch point VSP(typically 1.30 V). • COMOUT = LOW, if voltage at COMIN is below the Power-on reset (SELECT = LOW) switch point V (typically 1.30 V). SP AsV DD risespastV TRIP,apositiveresetpulseisgenerated at RESET. The duration of
in „Tipsend2 Pollin“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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Panasonic_JD_700_800_Series_Service_Manual_1_.pdf
27 Vartical Sync. Timing 7 -9 S163-00 8275 I (3) Attribute Data Latch CK FlGT 10 1Q lTEN 20 20 VSP 30 30 RVV 40 40 C l 40 ~ ';. +5V Fig. 7 - 28 • Attribute code is latched by 1character clock delay. • Timing chart is shown below. (Fig. 7 -30, 7 - 31) (4) Displayed data latch 15.9744 S163-00 MHz 8257
in „Heidenhain Monitor BE 212 für TNC 351“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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S216S02.pdf
1.5 V Output Holding current IH − − − 50 mA Critical rate of rise of OFF-state voltaget VD=2/3•V DRM 30 − − V/µs CriticalrateofriseofOFF-statevoltageatcommutaionj25˚C, VD=2/3•VDRM , TI /dt=−8A/ms 5 − − V/µs Minimum trigger current IFT VD=6V, R L30Ω − − 8 mA 10 Isolation resistance R ISO DC500V, 40 to 60%
in „Spülmaschine einschalten - womit?!“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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s102s02_e.pdf
1.5 V Output Holding current IH − − − 50 mA Critical rate of rise of OFF-state voltaget VD =2/3•VDRM 30 − − V/µs CriticalrateofriseofOFF-statevoltageatcommutaiTj125˚C, VD=2/3•VDRM, dT /dt=−4.0A/ms 5 − − V/µs Minimum trigger current IFT VD=6V, R L30Ω − − 8 mA 10 Isolation resistance R ISO DC500V, 40 to
in „Leistungschalter per µC gesucht“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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S216S02F_-_SSR.pdf
1.5 V Output Holding current IH − − − 50 mA Critical rate of rise of OFF-state voltaget VD=2/3•V DRM 30 − − V/µs CriticalrateofriseofOFF-statevoltageatcommutaionj25˚C, VD=2/3•VDRM , TI /dt=−8A/ms 5 − − V/µs Minimum trigger current IFT VD=6V, R L30Ω − − 8 mA 10 Isolation resistance R ISO DC500V, 40 to 60%
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S102_202S02__1_.pdf
1.5 V Output Holding current IH − − − 50 mA Critical rate of rise of OFF-state voltaget VD =2/3•VDRM 30 − − V/µs CriticalrateofriseofOFF-statevoltageatcommutaiTj125˚C, VD=2/3•VDRM, dT /dt=−4.0A/ms 5 − − V/µs Minimum trigger current IFT VD=6V, R L30Ω − − 8 mA 10 Isolation resistance R ISO DC500V, 40 to
in „Hilfe zu einem SSR und Kühlkörper“ · Mechanik, Gehäuse, Werkzeug ·
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GH79L4N_FEB2002_.pdf
.................................................................................................. 30 $PFEC,GPast (out) ..................................................................................................................... 31 $PFEC,GPtst (out) ..........................................
in „GPS Receiver Furuno / Tecsys GH-79“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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Thyro-A_3AX_Betriebsanleitung.pdf
Leistungsstellerüberwachung 29 5 ➜ 10. Hinweise zur Fehlersuche 29 ➜ 11. Typenreihe und Ersatzteile 30 ➜ 12. Maßbilder 31 ➜ 13. Zulassungen und Konformitäten 34 Adressen 72 Abbildungsverzeichnis Abb. 1 Master und Slave 1/2 (Typenstr110A) 12 Abb. 2 Blockschaltbild 3AX-Master 13 Abb. 3 Steuerkennlinie 17
in „Hilfe mit AEG Thyro-A Leistungssteller (älteres Modell)“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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irlr2905_1_.pdf
a 1200 - 6 C t , a C 800 , S Crss G3 400 V FOR TEST CIRCUIT SEE FIGURE 13 0 A 0 A 1 10 100 0 10 20 30 40 50 60 70 V , Drain-to-Source Voltage (V) Q , Total Gate Charge (nC) DS G Fig 5. Typical Capacitance Vs. Fig 6. Typical Gate Charge Vs. Drain-to-SourceVoltage Gate-to-SourceVoltage 1000 1000 OPERATION
in „Motortreiber“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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MC34064.pdf
TA=85⋅C V U A =–40⋅C in T 5.0V– S1.0 T 4.0V– P U Vin 10k , 5.0V L.5 4.0V Reset VO 10% REF 0 0 10 20 30 40 I ,SINKCURRENT(mA) 200 ns/DIV Sink MOTOROLA ANALOG IC DEVICE DATA 3 MC34064 MC33064 Figure 7. Clamp Diode Forward Current versus Voltage 80 Vin0V A A =25 ⋅C ( T 60 E R U D 40 R W R F 20 ,F I 0 0 0.4
in „Spannungsmonitor mit zweifarbiger LED“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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irlml6401.pdf
r ,)0.04 D 0.05 VGS = -4.5V o ) S0.03 n D ( R S 0.02 D 0.00 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 7.0 R 0 10 20 30 40 -VGS, Gate -to -Source Voltage ( V ) -D , Drain Current ( A ) Fig 12. Typical On-Resistance Vs. Fig 13. Typical On-Resistance Vs. Gate Voltage Drain Current 0.8 V e g 0.7 l V l h 0.6 ID = -250µA s
in „CMOS Transistoren“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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IRLU2905.pdf
a 1200 - 6 C t , a C 800 , S Crss G3 400 V FOR TEST CIRCUIT SEE FIGURE 13 0 A 0 A 1 10 100 0 10 20 30 40 50 60 70 V , Drain-to-Source Voltage (V) Q , Total Gate Charge (nC) DS G Fig 5. Typical Capacitance Vs. Fig 6. Typical Gate Charge Vs. Drain-to-SourceVoltage Gate-to-SourceVoltage 1000 1000 OPERATION
in „High Power LED Driver“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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doc8005.pdf
Volts u a 2 s 1,5 l 1 V 0,5 0 -90 -40 10 60 110 Temperature Deg C http://www.murata.com/catalog/r44/el0780_1.pdf 3 Implementation Described here are the minimum features recommended to implement when running a fan with the Tiny13. 3.1 Basic Control Techniques • For this application, the Tiny13 was set
in „BLCD Motor via PWM steuern“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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IRLML6244TRPBF_Datenblatt.pdf
www.irf.com 5 IRLML6244TRPbF ) 50 ) 80 ( ID = 6.3A ( e c n a s i s 40 s 60 R R n n Vgs = 2.5V O O c c u 30 u 40 S S - - - - i T J 125°C a Vgs = 4.5V r 20 r 20 , , n TJ= 25°C n ( ( S S RD 10 R 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 0 10 20 30 40 50 60 I , Drain Current (A) VGS, Gate -to -Source Voltage (V) D Fig 12.
in „passender FET wie beschalten?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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AVR442_PC_Fan_Control_using_ATtiny13.pdf
Volts u a 2 s 1,5 l 1 V 0,5 0 -90 -40 10 60 110 Temperature Deg C http://www.murata.com/catalog/r44/el0780_1.pdf 3 Implementation Described here are the minimum features recommended to implement when running a fan with the Tiny13. 3.1 Basic Control Techniques • For this application, the Tiny13 was set
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IRLML6401.pdf
r ,)0.04 D 0.05 VGS = -4.5V o ) S0.03 n D ( R S 0.02 D 0.00 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 7.0 R 0 10 20 30 40 -VGS, Gate -to -Source Voltage ( V ) -D , Drain Current ( A ) Fig 12. Typical On-Resistance Vs. Fig 13. Typical On-Resistance Vs. Gate Voltage Drain Current 0.8 V e g 0.7 l V l h 0.6 ID = -250µA s
in „parasitäres Glimmen beim LED-Muxing. Transistoren? Einstreuungen?“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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IRLML6401.pdf
r ,)0.04 D 0.05 VGS = -4.5V o ) S0.03 n D ( R S 0.02 D 0.00 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 7.0 R 0 10 20 30 40 -VGS, Gate -to -Source Voltage ( V ) -D , Drain Current ( A ) Fig 12. Typical On-Resistance Vs. Fig 13. Typical On-Resistance Vs. Gate Voltage Drain Current 0.8 V e g 0.7 l V l h 0.6 ID = -250µA s
in „LED Multiplexer glimmt“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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Infineon_IRLB8721_DataSheet_v01_01_EN-3363432.pdf
High Frequency Synchronous Buck V DSS R DS(on)max Qg (typ.) Converters for Computer Processor Power 30V 8.7m : @V GS = 10V 7.6nC l High Frequency Isolated DC-DC Converters with Synchronous Rectification D for Telecom and Industrial Use Benefits S l Very Low RDS(on) at 4.5V V D GS G l Ultra-Low Gate Impedance
in „LED Ansteuerung für Lazertag Projekt“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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an-978_Bootstrap.pdf
Theresistor-di- ode network is also useful in reduc- ing the peak of the current spike dur- Figure 30a. Test circuit for waveforms shown in Figure 30b. IRF450 operated at approximately 100kHz in a 100 mH inductor. ing the reverse recovery time. As ex- plained in Ref. 2, this has an impact on power losses
in „IR2184 half bridgde driver / Ist PWM-Signal begrenzt?“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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Timing_S12.pdf
Reference Manual Rev. 1.15 Freescale Semiconductor 1329 Appendix A Electrical Characteristics Table A-30. Example 1a: Normal Expanded Mode Timing 50 MHz bus (EWAIT disabled) VDD5=5.0V VDD5=3.3V No. Characteristic Symbol Unit C Min Max C Min Max - Frequency of internal bus i - D.C. 50.0 - D.C. 50.0 MHz -
in „extem schneller demultiplexer gesucht“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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12785.pdf
otherwise specified. SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. MAX. UNIT CBO collector cut-off current E = 0; CB = 30 V − 100 nA I = 0; V = 30 V; T = 150 °C − 10 A E CB j EBO emitter cut-off current C = 0; EB = 5 V − 100 nA hFE DC current gain VCE = 2 V; see Fig.2 I = 5 mA 40 − C C = 150 mA 63 250 C = 500 mA 25 − DC
in „Stromverstärkung BC-635“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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ETEMB043013XDHAL_-_ver2.pdf
SHOULD BE ALLWED TO STAND AT +80 C FOR 240 HRS 4 LOW TEMPTHE SAMPLE SHOULD BE ALLnWED TO STAND AT -30 C FOR 240 HRS HIGH TEMPETHE SAMPLE SHOULD BE ALLWED .O STAND AT 60 C, 90% RH 5 /HSTORAGE240 HTSA or on CYCLES OF+80CATIOo: ALLOati TO STAND THE FOLLOWING 10 6 THERMAL SHI-30C df -30C oiz (NOT OPENFT30 3 ii30 miimin th O hr1cycllg ta 7 (ELECTROSCONTACT Dh8KVRGEou (NOT OPERATED)DINe TO IEi-61000-4-2 NOTE BEFORE THE FUyCTION eHECK. IN THE STANDARD CONDITIONS, THERE IS NO DISPLAY FUNCTION FApaURE IbuUE OCCURRED
in „EDT Display Interface mit STM32F7“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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OnlinePotentiometerHandbook-1.pdf
10, 24.33,34.36 LOADING 11, 22,3 6 ~lEASUREMENT 10, 23, 24,30,36 NOISE [6, 22, 30, 34, 36,40 NONLINEAR 22,29,34, 36 NONWIREWOUND 1, 7,30,32,3 6 OUTPUT SMOOTHNESS 23,36, 40 PACKAGING 6,34 PHASE SHIFT 30, 36 POWER 12. 28, 34, 36 PRECISION 1, 3, 4, 5,7, 8, 9, 10, II , 13, 14, 17, 20, 21, 22,29, 34, 36, 38, 40 QUADRATURE VOLTAGE 22, 30, 36 RELIABILITY 13, 17 RESOLUTION 30, 34, 36 RESISTANCE 3S RHEOSTAT 12, 36 SELE cn ON 7, 9,15,18,19, 21, 27,30, 31 TRACKING 22 TR IMMER 2, 8,15,19,26,27, 28, 32,36,37,39 WIREWQUND 16, 30, 34,36 283 BIBLIOGRAPHY
in „Unterschied zwischen Präsizionstrimmer und Spindeltrimmer“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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MEGA_1284P_Xplained_Schematic.pdf
20 pF B 2 22n XC400 ESR 80 Ohm Max. B GND SMD-STRAP_CLOSED PIXC40004PIXC40002 Frequency tolerance 30 ppm XOUT0 J52 P41 PIXC40003PIXC40001 AT32UCB1 datasheet: I RS J405 12.0MHz Internal capacitance of the device is Ci = 12 pF LA O _P K I C0C411 20C412 TP402 _ _ _ E_ _ _ C218p 2018p IBIS file (typical
in „MEGA1284P XPLAINED über USB mit avrdudue programmieren“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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DA_Martin_Gohlke.pdf
werden dazu in einem elektrischen Mischer (siehe Anhang) miteinan- der multipliziert: M 1 = S ¢ S el (3.35) 1 2 = A co0(¢!t ¡ ¢kx + ` ) ¢ B0cos(¢0t ¡ ¢kx + ` + ¢`) (3.06) 1 = A0B 0cos(¢`) + cos(2¢!t ¡ 2¢kx + 2¢`)) (3.37) 2 el(90 ) el M 2 = S 1 ¢ 2 (3.38) = A sin(¢!t ¡ ¢kx + ` ) ¢ B cos(¢!t ¡ ¢kx + `
in „LLR Experiment“ · Offtopic ·
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130729.future-strategic-issues-and-warfare.pdf
a larger % of their GDP to Research • 5th in No of R&D personnel/labor unit • 3% savings rate vs. 30% in Asia • 13th out of 30 - Student Math/Science Scores Future Strategic Issues, 7/01 AN EMERGING MULTIPOLAR ECONOMIC WORLD 25 P U.S. D l 20 Europe b l China G o 15 India r a Japan S 10 e Brazil a n
in „The future is now! Kriegsführung der (nahen) Zukunft“ · Offtopic ·
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BFG591.pdf
of collector current; typical values. typical values. MGC796 50 hangaink, halfpage (dB) 40 G UM MSG 30 20 G max 10 0 10 102 103 104 f (MHz) IC= 70 mA; VCE= 12 V. Fig.8 Gain as a function of frequency; typical values. 1995 Sep 04 6 NXP Semiconductors Product specification NPN 7 GHz wideband transistor BFG591 MGC797 MGC798 handbook, halfpage handbook, halfpage d d im 2 (dB) (dB) −30 −30 −40 −40 −50 −50 −60 −60 −70 −70 0 40 80 120 0 40 80 120 I (mA) I (mA) C C V = 12 V; V = 700 mV; f = 793.25 MHz. VCE = 12 V; o = 316 mV;(p+q) 810 MHz. CE o (p+q-r) Fig.9 Intermodulation distortion
in „UKW-Prüfsender: Diverse Fragen!“ · HF, Funk und Felder ·