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Software-Interface für DS18B20 Temperaturanzeige
DS18B20 HaWi Version V1.0, 03.11.2024 Temperatur: %TEMPERATUREC% °C Temperatur: %TEMPERATUREF% °F Fehlermeldung: %DEFECTIVE% )
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Software-Interface für DS18B20 Temperaturanzeige
DS18B20 HaWi Version V1.0, 03.11.2024 Temperatur: %TEMPERATUREC% °C Temperatur: %TEMPERATUREF% °F Fehlermeldung: %DEFECTIVE% )
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Agilent E4421B ESG Signal Generator Display
Agilent E4421B 250 kHz - 3.0 GHz ESG SERIES SIGNAL GENERATOR FREQUENCY 3.000 000 000 00 GHz AMPLITUDE 0.00 dBm Freq. 3.000 000 000 00 Hz Incr. 100.00000 kHz
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STMicroelectronics Flash-Speicherbaustein M29F010B
ST M29F010B 7D66 7B939 V5 PHL 88 642
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Datenblatt M29F010B Flash memory
ST M29F010B 1 Mbit (128Kb x8, uniform block) single supply Flash memory Feature summary Single 5V±10% supply voltage for Program, Erase and Read operations Access time: 45 ns Programming time 8 µs per byte typical
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Elektronik-Interface PFS V.3B für Estlcam
Wenkzeug-laengenanson, X1, SW1, X2, SW6, SW1, Y, SW6, SW1, Z, SW6, SW1, PFS V.3B, Estlcam-Interface, Estlcam, RoHS
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Typenschild eines Geräts von Ahlborn-Orgel G.m.b.H.
Ahlborn - Orgel G.m.b.H. Heimerdingen/Stuttgart Tel. 07152/52081 Type 0 25 Nr. 886 04 220 V - 50 - 60 Hz max. 90 Made in Western Germany
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Meme über Netzwerk-Kabelterminierungen 568A und 568B
NETWORK CABLE TERMINATIONS 568A 568B
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Mehrere AM29F040B Flash-Speicherchips
AM29F040B L 1993 AMD
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Nahaufnahme eines AM29F040B Flash-Speicherchips
AM29F040B -55JF 215WB028 L © 1993 AMD
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WDA Modul Rx DIO-R003B Leiterplatte
WDA MODULE Rx DIO-R003B S/N: 35190944 B DIO-R003 Ver 1.0 P/N : 070204002
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KI-generierte Illustration eines Microchip MEC1751B mit Sicherheitsgrafik
MICROCHIP MEC1751B MICROCHIP
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Blockschaltbild Rockchip RK3506B RK3506J
SPI Flash 256MB SPI Nand Flash SDMMC 8GB eMMC I2C0 32Kb EEPROM Power Discrete Power Rockchip RK3506B RK3506J Triple-core ARM Cortex-A7 USB2.0 OTG x2 PWM x12 Audio ADC 1ch x1 Audio DSM 2ch x1 SAI TX 1Lane/RX 1Lane x2 SAI TX 1Lane/RX 4Lane x1 SAI TX 4Lane/RX 1Lane x1 PDM RX 8chs x1 SPDIF TX x1 SPDIF RX
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Omron G6B-2G Relais auf Leiterplatte
OMRON 2488YT G6B-2G 5 VDC JAPAN UL
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Diagramm der S21 Gain in dB über der Frequenz
S21 Gain (dB) 20 15 10 5 0 -5 -10 -15 -20 100.0k 1.514M 2.929M 4.343M 5.757M 7.171M 8.586M 10.00M
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Datenblatt Fujitsu Mainboard D3402-B µATX
Data Sheet FUJITSU Mainboard D3402-B µATX Extended Lifecycle Series Available from 10/2015 Extended Lifecycle Series Powered by the Intel® Q170 Express Chipset supporting DDR4 2133 SDRAM Memory and 6th generation Intel® Core™ i3 / i5 /
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Orange Pi 3B Leiterplatte mit Rockchip RK3566
orange pi Orange Pi 3B Orange Pi 3B Rockchip RK3566 2399D7
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Yokogawa A1D03B Netzteil und Datenblatt
Schaltnetzteil Yokogawa A1D03B Best.Nr. 350 434 Technische Daten: Eingang 100...240 V, Ausgang 31 V - 1,6 A, 16 V 0,5 V - 0,3 A, 3,3 V - 2 A Maße (LxBxH) 153x140x50 mm 100-240V~ 50/60Hz Max. 120W 1.3A 3.3V max. 2A GND 31V max. 1.6A
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Schaltplan mit fünf WS2812B-5050RGB LEDs
LED1 WS2812B-5050RGB GND/VSS DIN DOUT VCC/VDD VCC GND LED2 WS2812B-5050RGB GND/VSS DIN DOUT VCC/VDD VCC GND LED3 WS2812B-5050RGB GND/VSS DIN DOUT VCC/VDD VCC GND LED4 WS2812B-5050RGB GND/VSS DIN DOUT VCC/VDD VCC GND LED5 WS2812B-5050RGB GND/VSS DIN DOUT VCC/VDD VCC GND
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WeAct Studio RP2350-B Mikrocontroller-Board
11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 3V3 DIO CLK GND G C EN 3K44 40 35 25 20 15 10 5 0 RP2350B KEY BOOT RST WeAct Studio V1.0
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Präsentation des Ameba Pro2 RTL8735B Mikrocontrollers
AMB82 Mini Ameba Pro2 - RTL8735B Dual band Wi-Fi 11n 1x1 Bluetooth 5.2 SD & USB Storage Codec Audio Stereo up to 2K resolution ISP Encoder Video H.265/264 REALTEK Ameba Pro 2 ARM v8M CPU up to 256MB Memory NPU up to 0.4T Single Chip
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Vergleich von zwei IC-Sockeln Typ A und Typ B
Type B Type A
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Blockschaltbild einer LED-Ansteuerung mit RP2040 und HEF4093B
PC USB ~3m RP2040 HEF4093B 100R Signal+GND ~1.5m 76 x WS2812 GND 100nF 5V
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Gigabyte B450M GAMING Mainboard Anschlüsse und Ansicht
https://www.gigabyte.com/de/Motherboard/B450M-GAMING-rev-1x GIGABYTE
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Oszilloskop-Screenshot eines DS18B20 Temperatur-Messsignals
Freq Rise Time Fall Time +Width -Width IO Setting Sound Language English Pass/Fail Record System DS18B20 - ds.read_temp(roms[0]) 1 2.00 V 2 1.00 V
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Agilent TDR/TDT Modul mit Messaufbau und Leiterplatte
HP 54752A TWO CHANNEL 50 GHz MODULE Agilent 54754A TDR/TDT Module SETUP 1/3 Channel 2/4 Trigger Chan 1/3 50 GHz Input (500) 2 V Max Chan 2/4 50 GHz Input (500) 2 V Max Trigger Chan 1/3 18 GHz Input/TDR (500) 2 V Max Chan 2/4 18 GHz Input/TDR (500) 2 V Max SETUP 1/3 Channel 2/4 TDR/TDT Setup Measure rise = 3ps Aux Power CAUTION STATIC SENSITIVE WRIST STRAP Probe Power Probe Power Automatic discharge
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Samsung Galaxy Tablet im Startbildschirm
SAMSUNG Galaxy Willkommen! Sprache auswählen Deutsch (Deutschland) Tippen Sie unten auf „Eingabehilfe“, um die Eingabehilfeeinstellungen zu ändern. Eingabehilfe Starten
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Multimeter und Labornetzteil auf Werkstattunterlage
UT68A 5.3 Hz 20k 20m 20u 20n 20p A 10A 250m 250u 250n 250p V 1000m 100 20 2 Ω 200 2k 20k 200k 2M Ω SAKO DC POWER SUPPLY SK1730SL5A 5.30 01.0
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Verdrahtung eines 12V PWM Lüfters mit Netzteil und Platine
4 pin 12V fans (PWM) Blue = PWM Signal (+5V) Green = RPM Speed Signal Yellow = +5V Black = Ground (GND) 12V RD-12VDG-SLC SONGSLE
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USB-Stick mit markierten Bauteilen auf Leiterplatte
15:21 LTE 56% DIN 2500 2400
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Philips PE 1542 DC Netzteil
PE 1542 DC power supply MADE IN BELGIUM PHILIPS V 20 10 30 0,5 1 1,5 A V 10 20 30 0,5 1 1,5 A V 1 2 3 4 5 6 1 2 3 A 0-32V 0-1.4A 0-32V 0-1.4A 0-3A POWER ON U I U I U 5V + -
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Spektrum eines Signals im Frequenzbereich
000.446.143.750 445,00M 445,25M 445,50M 445,75M 446,00M 446,25M 446,50M 446,75M 447,00M 447,25M 447,50M
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Leeres Metallgehäuse mit Maßband
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 130 140 150 160 170 180 190 200 210 220 230 240 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52
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Reihe von Relais
SDS RS-24V RELAIS AE564404 40413V MADE IN JAPAN 0.3A 125VAC 1A 30VDC
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Mehrere SDS RS-42V Relais
SDS RS-42V RELAIS MADE IN GERMANY 0,3A 125VAC 1A 30VDC 98 G
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Gehäuse mit Maßband
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 130 140 150 160 170 180 190 200 210 220 230 240 250 260 270 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58
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Technische Zeichnung einer Einbauöffnung und eines Bauteils
Einbauöffnung installation hole 9 9,9 90° ø 17 ø 2,6 63,5 31,5 0,8 M 6x0,75
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HP integrierter Schaltkreis auf Lochrasterplatine
hp E 5082 7300 947
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HP Bauteil auf Lochrasterplatine
hp E 5082 7392 902
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HP integrierter Schaltkreis auf Lochrasterplatine
hp 5032-7415 U 013S
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HP HDSP 0960 integrierter Schaltkreis
hp 2 G HDSP 0960 SINGAPORE 9237
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DL340M integrierter Schaltkreis auf Lochrasterplatine
DL340M 8337PE
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Schaltplan einer Transistor-Schaltung
V+ Q2 BC547 R1 1k D2 24V R2 12k C1 150n L2 30Wdg L1 130Wdg C2 1µ Q1 BSP43 D1 1N4004 R3 820 R4 150 R5 150 V-
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Datenblatt einer Silizium-Planar-Epitaxial-Diode BAW 62
VALVO BAW 62 SILIZIUM - PLANAR - EPITAXIAL - DIODE für schnelle logische Schaltungen Mechanische Daten: Gehäuse: Glas, JEDEC DO-35 Gehäusefarbe: hellblau Farbcodierung: 1. Farbstreifen (breit, Katodenseite): blau 2. Farbstreifen: rot Maßangaben in mm. Kurzdaten: UR = max. 75 V URM = max. 75 V IFM = max. 450 mA θJ = max. 200 °C UF = 1 V IR = 5 µA C = 2 pF trr = 4 ns
