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Türöffner mit Raspberry Pi betätigen
Raspberry ein 12v Signal Das ist das einfachste. Du brauchst einfach einen Pegelwandler. Von Relais, MOSFETs, OptoMOS/Optokoppler ist da vielleicht viel möglich. Patrick L. schrieb im Beitrag #7798693: > Benötige ich da zusätzliche Netzteile oder ähnliches? Vielleicht. Vielleicht auch nicht. Warum
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Netzteil-Regelung Stabilitätsanalyse "Loop Gain"
Ok, vergesst die letzten Messungen. Hier hat der Mosfet für die Schaltung der Last nicht voll durchgesteuert. Auch die beiden Diagramme vom 23.01. sind falsch. Hier das ganze nochmal: Bild 1: TL081 an 5Ohm Last Bild 2: ADA4523 an 5Ohm Last Bild
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Handgezeichneter Schaltplan mit P-Channel MOSFET und NPN Transistor
Q1 P-Channel Mosfet Eingang Ausgang 2x 1N4148 5k Q2 NPN R1 3k3 R2 10k
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PCF8574 Optokoppler Input/Output
als Phototransistor-Optokoppler. Gleich wie PC900 von Sharp. Statt Si2343DS passen auch andere P-MOSFETs mit V GS max über 16 Volt. CL05M6F ist eine Stromquelle für 6 mA, die gibt es billig bei Mouser, aber es kann auch eine andere sein.
als Phototransistor-Optokoppler. Gleich wie PC900 von Sharp. Statt Si2343DS passen auch andere P-MOSFETs mit V GS max über 16 Volt. CL05M6F ist eine Stromquelle für 6 mA, die gibt es billig bei Mouser, aber es kann auch eine andere sein. R2 und R3 kann man etwas kleiner wählen, Geschwindigkeit
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6/18h Timer von BatteriebetriebenerLED-Lichterkette tunen? oder gleich ein Zigbee Modul integrieren?
sparsam. Können aber nur ein paar mA treiben, deshalb muss da für eine Lichterkette noch ein kleiner MosFET dran. Genau wie bei den XT-ZB2. Olli Z. schrieb im Beitrag #7797555: > Das klingt doch vielversprechend! Welche Selbstbau Nodes/Shields nutzt > Du dafür? Als Funkmodul das RFM69, als Controller
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Schaltplan mit MOSFET, Optokoppler und Mikrocontroller
IRLML6402 D1 QTLP690C M1 U1 ATtiny V1 3V3 V2 R2 10k R3 270R PC817C PULSE(0 3.3 10m 1u 1u 1m 20m) .tran 50m startup
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Widerstand mit MOSFET wegschalten
Schaltungseingang). Laut Datenblatt des Transistors ist IDSS <10µA, was akzeptabel wäre. Habe ich den MOSFET falsch verstanden oder löst man das so nicht?
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Schaltplan mit Operationsverstärker und MOSFET
1 2 U1A 3 1 Eingang (ca. 4...7,5V + Weitere Beschaltung R1 100k R2 100 3 Q1 2N7000 2 1 R3 100k GND
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RDSon zur Strombegrenzung nutzen?
zum Transistor. Das kommt der geplanten Strombegrenzung entgegen. Nachteil: bei ausgeschaltetem Mosfet fällt die gesamte Spannung an der DS-Strecke ab und der Mosfet lässt sich dann nicht mehr einschalten, weil die Strombegrenzung denkt, es würde der maximale Strom fließen. Es sei denn man verknüpft
Andreas B. schrieb im Beitrag #7797431: > Ob die Verluste nun im Mosfet oder an einem externen Widerstamnd > auftreten ist wohl ziemlich egal. Allerdings hat man den MOSFET sowieso und der Widerstand käme extra, mit zusätzlichen Verlusten. Arno R. schrieb im Beitrag
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AVR128DA64 TCA1 funktioniert nicht mit alternativen Output?
funktioniert. Hat jemand eine Idee, woran das liegen könnte? Vielen Dank vorab! [c] void timerMosfetInit(void) { PORTMUX.TCAROUTEA = 0x00; //PORTMUX.TCAROUTEA = 0b00010001; /*TCA0.SINGLE.PER = 0x0FFF; TCA0.SINGLE.CTRLB = (TCA_SINGLE_WGMODE_SINGLESLOPE_gc) | (TCA_SINGLE_CMP0EN_bm) |
= 0x70; PORTB.OUTSET = 0x07; PORTE.OUTSET = 0x70; PORTG.DIR = 0xFF; timerMosfetInit(); while (1) { } } [/c]
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WS2811 Datenleitung Spannung bricht ein
Die kann nur zusammenbrechen, wenn du sie zu sehr belastest. Alle genannten Komponenten besitzen MOSFET-Eingänge, ziehen also keinen Strom. > Dieses Signal habe ich dann mit einem 50 Ohm Widerstand parallel auf die > Datenleitungen gegeben. Wer ist da parallel und wo sitzt der Widerstand? Wie
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Transferkennlinie eines MOSFETs
100 ID, Drain-to-Source Current (A) 10 TJ = 150°C TJ = 25°C VDS = 25V 30µs PULSE WIDTH 1.0 4 5 6 7 8 9 10 VGS, Gate-to-Source Voltage (V) Fig 3. Typical Transfer Characteristics
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Mosfet schaltet nicht "durch"
zu. Ebenso der bereits genannte Si2356DS. Der ZXMS6005DGTA ist kein "normaler" MOSFET, wird aber wohl auch geeignet sein. Mehr dazu auf http://stefanfrings.de/transistoren/index.html#mosfet
, thermische Abschaltung usw. Es ist kein reiner MOSFET, sondern ein intelligenter Schalter.
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Spannungsregelung für 36V Akku
aktiven Elemente prüfen. Ansonsten könnte man 6 Silizium-Dioden in Reihe nehmen, die von einem MOSFET unterhalb von 38V überbrückt werden. Meinetwegen LTC2965 in Verbindung mit einem P-Kanal-MOSFET (Gate-Source Spannung mit Zener auf ca. 15V begrenzen). Natürlich könnte man den MOSFET direkt nutzen, um den Überschuss für den Moment zu verheizen, dafür müsste man aber einen MOSFET (z.B. SUD50P06-15) für Linearbetrieb auftreiben, was in höheren Leistungsklassen garnicht so einfach ist.
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Verbesserungsvorschläge für Komparator
Aber die Schaltung ist soweit in Ordnung ? Jain, also fast. Falsch ist die Beschaltung von dem Mosfet. Der Buzzer muss zwischen Mosfet und V-Plus. Sonst kannd er Mosfet nicht richtig eingeschaltet werden. Grundsätzlich ist die Schaltung so ungünstig für Batteriebetrieb. Der Komparator hängt ständig
Fred F. schrieb im Beitrag #7796308: > als Komparator einen LM311, als N-MOSFET einen IRFI3705, die Zeitspanne Wenn man einen Timer will, baut man einen Timer. Ein LM311 ist eine sehr schlechte Wahl, er braucht viel Strom, schaltet nicht immer (common input voltage range
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Effizienter Aufwärtswandler 5V > -30V (DC)
dass sie mit 10-20mA(oder weniger) auskommen? Falls man sowas auch diskret (mittels Transistoren/Mosfets) aufbauen kann, wäre das auch eine Option. Viele Grüße Alexander
Alexander H. schrieb im Beitrag #7795900: > Falls man sowas auch diskret (mittels Transistoren/Mosfets) aufbauen > kann, wäre das auch eine Option. Wenn es unbedingt richtig diskret sein muss (also ohne den 555), dann kannst du dir diese Schaltung mal ansehen: https://www.mikrocontroller.net/topic
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Bitte um Hilfe Fehlersuche Schaltnetzteil NEFF/Bosch Backofen
am Ausgang auch pulst ... also ständig lädt und entlädt. Problem ist auf jeden Fall, dass der Mosfet keine Spannung induziert bzw die PWM nicht funktioniert.
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Schaltplan einer Schaltung mit Spannungsregler und MOSFET-Treiber
X2 -1 -2 Input +12V IN OUT IC2 R5 820 C2 10u/50V LP2950ACZ-5.0 +5V 14 VCC 7 GND IC1P 5 6 IC1F 74HC14D 9 8 IC1C 74HC14D 13 12 IC1A 74HC14D 11 10 IC1B 74HC14D +5V R2 27k D1 1N4148 R1 110k C1 IC1D 74HC14D 1 2 3 IC1E 74HC14D 4 R3 5k6 Q2 BC547A +12V R4 5k6 Q1 IRFR9024PBF D3 B260A-13-F X1 -1 -2 Output GND
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Schaltplan mit Spannungsregler und MOSFET-Treiber
X2 -1 -2 Input +12V IN OUT IC2 R5 820 C2 10u/50V +5V 14 VCC IC1P 7 GND LP2950ACZ-5.0 5 IC1F 6 74HC14D 9 IC1C 8 74HC14D 13 IC1A 12 74HC14D 11 IC1B 10 74HC14D +5V R2 27k D1 1N4148 R1 110k C1 IC1D 1 IC1E 2 3 4 74HC14D 74HC14D R3 5k6 Q2 BC547A +12V R4 5k6 Q1 IRFR9024PBF D3 B260A-13-F X1 -1 -2 Output
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CD74HC14M Schmitt-Trigger Schaltung funktioniert nicht
einzelne... Merkst du selbst dass das mit Prosa nichts wird oder? E muss auf gnd C muss gegen den Mosfet B geht an den 4K7 Belegung siehe Dabla. Solange aber Pin1 auf low liegt wird der Kondensator nicht geladen. Also bleibt Pin4 auch auf low. -> Verdrahtungsfehler, entweder ist die Diode falsch
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Bauteilliste oder BOM Tabelle
Diode D1 SB260S-E3/54 Schottky Diode D4 SB260S-E3/54 Transistor (BJT) - BC547 NPN Q1 TO-92-3 BC547C Mosfet IRFR9024NPBF 1 P-Kanal 38 W DPAK Q3 IRFU9024PBF Resistor 5,6k R1 axial 0207 Resistor 5,6k R2 axial 0207 Resistor 27k R3 axial 0207 Resistor 820 R4 axial 0207 Resistor 110k R5 axial 0207 Voltage Regulator
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Bauteilliste einer Elektronikkomponente
Schottky Diode D3 DO-214AC B260A-13-F Transistor (BJT) - Nexperia BC850CW,115 Q1 SOT-323-3 BC850CW,115 MOSFET IRFR9024PBF Q2 DPAK-3 (TO-252-3) IRFR9024PBF Resistor 110k R1 R0805 RK73H2ATTD1103F Resistor 27k R2 R0805 RK73B2ATTD273J Resistor 5,6k R3 R0805 RK73B2ATTE562J Resistor 820 R4 R0805 RK73B2ATTD821J Resistor
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Schaltplan einer Spannungsregelung mit MOSFET-Ausgangsstufe
LSP1 LSP2 R3 C2 1uF R5 BZX90 D2 IC2 1 2 3 4 5 6 7 14 13 12 11 10 9 R4 IC3 78L05Z VO 1 2 3 GND VI 1N4004 D4 R1 Q3 IRF9530 D S G Q1 2N5484 R2 D1 1N4004 LSP3 LSP4
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BUZ347 - echt oder falsch?
Transistortester sagt auch N-Mosfet mit plausiblen Werten. Habe ich nun Glück gehabt oder doch nicht?
Keine Ahnung, aber fürn Linearbetrieb macht Bipolar doch viel mehr Sinn, als Mosfet, Bipolar ist halbwegs linear Basisstrom zu ICE, beim Mosfet fängts irgendwann an und dann über 1V oder so mehr oder weniger linear, bis das Ding voll durchgesteuert ist.
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Schaltplan mit LED-Reihe und MOSFET-Steuerung
BT1 Batt R1 R2 R3 R4 R5 R6 D1 D2 D3 D4 D5 D6 LED U1 SGM809B-SXN3LG VDD GND RESET R7 Q1 IRLML6244
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(Push-Pull-)Treiber für uC-Ausgang, der auch als Eingang arbeitet
und für die Transis Darlingtons verwenden)? Das kommt darauf an, ob deine "Transis" BJTs oder MOSFETs sind und welche Ströme gesteuert werden sollen.
ja nur geringe Ströme, da sollten je 10mA genügen. > Wenn du an Stelle von BJTs zu Logic Level MOSFETs gehst, hast du wegen > der im Vergleich zu U_BE höheren U_GS(th) mehr Spielraum bei den > Widerstandsverhältnissen. Den Einsatz von MOSFETs hatte ich noch nicht erwogen (da jedenfalls als P-Typ
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Schaltplan mit MOSFET und Spannungsteiler
+5V Q1 VBUS R2 VREG 100R D1 R1 100k GND
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Schaltplan einer CAN-Bus Isolierung mit Optokopplern und MOSFET
CAN-H, CAN-L, CAN-GND, CN3, R5 1k3, TLP291-4, IC2B, 14, 13, +5V, R8 4k7, D2, SMBJ30CA, R4 1k3, TLP291-4, IC2A, 16, 15, 2, 1, SMBJ30CA, TRS2, Pin 35 FE4, R10 10k, T1, BC817, C15, C2 100u, IC1, IRF7342, +12V, GND, GND, IC3, TS2940-5.0, C3, +5V, C4 100u 16V
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Empfindlicher Bewegungsmelder für solarbetriebene Außen-LED zum Einschalten
einer teuren aus Nylon gegen zigfach höhere Scherkräfte bestehen, weil das Stahl-spezifisch ist. Ein MOSFET für wenige Cent kann 10A bei 2 Hz beispielsweise beim Blinken problemlos jahrzehntelang schalten, weil er das wegen seiner Technologie-spezifischen Fähigkeiten besonders gut kann. Zudem wird ein
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WS2811 zu hoher Ruhestrom?
Streifen der noch per Silikon eingefaßt ist, antue, mache ich mir für 5$ ne kleine Platine mit sot23 mosfets und schalte einfach den ganzen Streifen ab und wieder an, wenn er leuchten soll.
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Problem bei der Ansteuerung eines Transistor als Schalter mit PWM Signal
emppfiehlt hier meistens einen High-Side-Switch für den Automotive-Bereich ((das wäre also ein PNP-Mosfet)), ist wohl so üblich. https://www.elektormagazine.com/articles/high-side-low-side-switching Über die grünen Doppelpfeile navigieren (service-anhang-halbleitertechnik) https://www.radartutorial.eu
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USB-C Hub für Embedded Entwicklung für hohe Ströme
USB-C-auf-Micro-USB-Adapter drinstecken. Ja ich weiß. Aber da fehlt dann noch ein Komparator und eine MOSFET-Schaltung (mit Treiber...) um die Spannung für das Board freizugeben. Solche Basteleien wollte ich mir ersparen. PS: Sparkfun DEV-15801 wäre eine Möglichkeit, hätte den MOSFET integriert. Fehlt
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Hama QI-FC10 Qi-Ladegerät ESD-Defekt
eingelötet (Keramik 100nF) aber ohne Erfolg. Was kann da noch kaputt sein? Vielleicht ein Ausgangs-MOSFET auf dem IC welcher die Versorgung kurzschließt? Wäre dann natürlich kaum reparabel. Unten rechts grinst mich ein unbestückter mit "D2" und Diodensymbol beschrifteter Footprint an. Da hätte wohl
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erstes Board
Jack S. schrieb im Beitrag #7793903: > Der Q1 soll ein p-Kanal-Mosfet sein der zwischen beiden Spannungen > (USB/VCC) umschalten soll. das hab ich schon verstanden. So wie du den Mosfet benutzt wirkt er nur als Sperre von VBus nach Vcc. Dein Regler wird über die
Thomas Z. schrieb im Beitrag #7794008: > Jack S. schrieb: >> Der Q1 soll ein p-Kanal-Mosfet sein der zwischen beiden Spannungen >> (USB/VCC) umschalten soll. > > das hab ich schon verstanden. So wie du den Mosfet benutzt wirkt er nur > als Sperre von VBus nach Vcc. Dein Regler wird über
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TDA7294 Problem
Spannung bis zu Vcc+10V = Vcc+10V. Mit dieser "überhöhten" Spannung wird dann das Gate des Highside-Mosfet deutlich über Vcc angesteuert. Damit kann der Highside-Mosfet auch Vcc an den Ausgang durchschalten.
bis zu > Vcc+10V = Vcc+10V. Mit dieser "überhöhten" Spannung wird dann das Gate > des Highside-Mosfet deutlich über Vcc angesteuert. Damit kann der > Highside-Mosfet auch Vcc an den Ausgang durchschalten. Danke! Das wird gescreenshottet :D Den Chip wechsle ich im übrigen erst morgen..
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Kleine adressierbare LED, geringer Idle
> > Dazu schaltest Du in dem Falle einfach alles ausser dem uC ab. Eben, ein oder mehrere MosFETs können hier Wunder wirken.
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Minimaler Kontaktstrom bei Relais
60V. Der Schalter besteht aus zwei gegeneinander geschalteten oder konstruierten Photo N-Channel MOSFETs, deren GATE-Struktur photonisch angesteuert werden. Da Dein Sense-Strom sehr klein ist und RDs-ON unter ein Ohm liegt, sollte das anstandslos funtionieren. Diese PhotoMOS SSRs gibt es auch in
Rückmeldeleitung besitzen, damit es keinen Unfug treibt, wenn du die Sense-Leitungen unterbrichst. Ein MOSFET hätte keinen Mindeststrom.
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Spannungsfreie Schaltung im Audiokabel 2-Wire-Intercom/ Partyline
das Schalten doch irgendwie nicht hörbar gestaltet werden kann... Ein Bekannter sprach noch von Mosfet-Transistoren... Gitarreneffektgeräte sollen wohl so knacksfrei geschaltet werden...
Karl schrieb im Beitrag #7807821: > Ein Bekannter sprach noch von Mosfet-Transistoren... Ich würde eher denken dass die noch mehr knacksen. Weil da im ein/aus-schalt-Moment ein relativ hoher Strom(Impuls) fließt welcher dann erst recht einkoppelt. Bei dem jetzt verwendeten
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Netzteil und Akku - 3.3V Ladeschaltung für LicheeRV Nano mit Lith.-Akku
am VBUS dran hängt)? Oder muss ich die Verbindung von Lipo zu VSYS dann z.B. über extra einen Mosfet sperren (wäre machbar aber kommt mir vor als wäre das sinnlos, wenn das TP4056 nicht ohne funktionieren würde)? Und die Fragen: Wie lese ich am Lichee mit so einem Modul den aktuellen Ladezustand
entlädt muss man die positve Leistung zum Spannungsteiler abschalten, z.B. per Analogschalter oder P-MOSFET.
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CMOS push-pull output Beschaltung
Markus W. schrieb im Beitrag #7790206: > Ich habe befürchtet dass das dem Mosfet nicht "schmeckt" wenn der > Ausgang hochgezogen werden sollte, aber wirklich erklären konnte ich das > leider nicht. Könntest du mir bitte freundlicher weise bei diesem Punkt > etwas mehr dazu
Markus W. schrieb im Beitrag #7790206: > Ich habe befürchtet dass das dem Mosfet nicht "schmeckt" wenn der > Ausgang hochgezogen werden sollte, aber wirklich erklären konnte ich das > leider nicht. Den MOSFET selbst betrifft das gar nicht. Der Strom fließt durch seine Substratdiode
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Ausschnitt eines technischen Datenblatts für einen MOSFET
Drain-Source On-State Resistance RDS(on) VGS = 5.0 V ID = 17 A 0.077 Ω VGS = 4.0 V ID = 14 A 0.11 Forward Transconductance gfs VDS = 50 V, ID = 17 A 12 S Dynamic Input Capacitance Ciss VGS = 0 V, VDS = 25 V 2200 pF Output Capacitance Coss 560 Reverse Transfer Capacitance Crss f = 1.0 MHz, see fig. 5 140 Total Gate Charge Qg VGS = 5.0 V ID = 28 A, VDS = 80 V 64 nC Gate-Source Charge Qgs 9.4 Gate-Drain Charge Qgd 27 Turn-On Delay Time tD(on) 8.5 Rise Time tr 170 Turn-Off Delay Time tD(off) 35 Fall Time tf 80 Internal Drain Inductance LD 4.5 nH Internal Source Inductance LS 7.5 Drain-Source Body
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StepUpwandler IC
Spannungen: https://www.electronics-lab.com/project/hv-nixie-dc-dc-switching-power-supply/ Der MOSFET muss aber auch voll durchschalten bei 2V.
