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drv103.pdf
FREQUENCY vs RFREQ (constant output before PWM mode) achieved with selected 1000M capacitor values. 100M 10M INITIAL CONSTANT Ω OUTPUT DURATION CD (Q R 1M 1µs Pin 2 Tied to +5V RF 18µs Pin 2 Open 100k 110µs 100pF 10k 1.1ms 1nF 11ms 10nF 110ms 100nF 1k 1.1s 1µF 10 100 1k 10k 100k 1M 11s 10µF Frequency
in „PWM Signal wie stell ich das ein?“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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PWM_STGL.html
justify-content:center}.loadbar{background:#253559;height:20%;max-height:10px;max-width:316px;width:100%}.loadbar-inner{background:var(--ruffle-orange);height:100%;max-width:100%;width:0}.logo{display:var(--logo-display,block);max-height:150px;max-width:380px}.loading-animation{aspect-ratio:1;margin-bottom
in „Reparatur Schaltnetzteil“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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SS-160SE-6N.pdf
10 G 9 RVIN RED +300vdc 8 GND J1 T +300VDC R3 7 T4IN J1 R2 J2 22/12W D31-32 6 +15V R16 230V~ C1 1 BR1 STTH6003 5 TEST 200K C3 472/Y2 PTC 51/10W KBPC3510 Q1 2 D1 4 +5V +15V G30N60 BYV26C OUT+ 3 D 1uF/X2 T4 9R0M V V 3 4 3 D29 R32 R31 1.5K 2 OUT D 4 4 1 D 6 D 6 1 GND R28 RV 4 2 F F T T HER107 10K/1W 2.2K
in „Schweiß Inverter reparieren“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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uhp-ma_e.pdf
XQ1500 ELMG10 JYs650/A.C JINXING DLA-A10/S10 XQ450 BR-9200 JYs1500/A.C LX-D300 JYs150/A.C BR-8200 JYs1800/A.C 金星 CEO MP-1600 JYs120/A.C BG-6400 JYs650/A.C COMPAQ MP1400 JYs150/A.C BD-2100 JYs575/A.C 康柏 PROTM300X JYd150/A.C LPF-8200 JYs400/A.C FANTACH 65
in „Beamer 'wiederverwerten'?“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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0900766b808e044e.pdf
120 Ambient temperature Ta (℃) Ambient temperature Ta (℃) I – V IFP – D R F F 5000 100 3000 Pulse width ≤ 100μs Ta = 25℃ A Ta = 25℃ 50 ( 30 ) P 1000 A IF ( t 500 10 e I r 300 t 5 c e r r 3 a 100 c r r f 50 a 1 s o u 30 F 0.5 P 0.3 10 3 10-3 3 10-2 3 10-1 3 100 0.1 Duty cycle patio D R
in „Problem mit Optokoppler“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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irfh5300pbf.pdf
IRFH5300PbF 1000 1000 VGS VGS TOP 10V TOP 10V ) 5.0V ) 5.0V t 4.5V t 4.5V n 3.5V n 3.5V r 3.0V r 3.0V u 100 2.9V u 2.9V C BOTTOM 2.7V C BOTTOM 2.7V r r u u 100 S S t t n n a 10 a D D , , 2.7V ID 2.7V ID ≤ 60μs PULSE WIDTH ≤ 60μs PULSE WIDTH Tj = 25°C Tj = 150°C 1 10 0.1 1 10 100 0.1 1 10 100 VDS , Drain-to-Source
in „Beschaltung Mosfet für Brushless-Regler“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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grundig_chassis_t5_19_22vle2000t_22-2010t_22-2940t_22-2942t_19hd_br_wp_cba_16-2941tc_19-2940t.pdf
GND S S Z T GND C427 C428 C429 C430 R C W O 100nF 100nF 100nF 100nF _ _ _ _ A A A A DDR18V GND DDR18V B_MDDR_VREF J M R E A C A C C C G G G G E J J C414 C415 C416 C418 C419 C420 C421 C422 10uF 100nF 100nF 100nF 100nF 100nF 100nF 100nF D D D D D Q
in „Grundig Fernseher defekt“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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RFM22.c
needed RFM22B_Register._0x6E_TX_Data_Rate1 = 0x19; // RFM22B_Register._0x6F_TX_Data_Rate0 = 0x9A; // 100 kbps // test RFM22B_Register._0x09_30MHz_Crystal_Osci_LoadCap.XLC = 0x4D; //=0x48; // 7bit wide - 127 steps RFM22B_Register._0x09_30MHz_Crystal_Osci_LoadCap.XTALshift = 1; // 0 // 100 kbps RFM22B_Register
in „RFM22B Beispiel Projekt gesucht.“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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Arcam-FMJ-P7.pdf
amplifier. the output devices. L924 Amplifier Module Parts List Issue 1.1 Designator Part Description BR300 3BGBU8D Diode Bridge Rectifier GBU8D Plastic Package 8A 200V BR301 3BGBU8D Diode Bridge Rectifier GBU8D Plastic Package 8A 200V C103 2C410 Capacitor SM 1206 X7R Ceramic 50V 10% 100N C104 2C210 Capacitor
in „Bandbreite von analogen Audioschaltungen“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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Arcam-FMJ-P7.pdf
amplifier. the output devices. L924 Amplifier Module Parts List Issue 1.1 Designator Part Description BR300 3BGBU8D Diode Bridge Rectifier GBU8D Plastic Package 8A 200V BR301 3BGBU8D Diode Bridge Rectifier GBU8D Plastic Package 8A 200V C103 2C410 Capacitor SM 1206 X7R Ceramic 50V 10% 100N C104 2C210 Capacitor
in „Bester Audio OPV“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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webradio.txt
swr-swr3-live.cast.addradio.de\",80\r\n"; //43 //uint8_t *tcpverbindung="AT+CIPSTART=\"UDP\",\"http://br-b5aktuell-live.cast.addradio.de/br/b5aktuell/live/mp3/128/stream.mp3\",80\r\n"; //103 uint8_t *anzahlzusendenderbytes="AT+CIPSEND=125\r\n"; //15 //uint8_t *getanfragehttp="GET /b5aktuell_2.m3u HTTP/1.1
in „ESP8266 Webradio Stream“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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SCHEMATIC1___PAGE1.pdf
IRQ3 operands. RC1OUT RC1IN R8 820 R5F 1 7 IRQ4 TxD 11 14 C11 C12 VCC R5G 1 8 IRQ5 10 TR1IN TR1OUT 7 100n 10n R5H 1 9 IRQ6 TR2IN TR2OUT R5I IRQ7 C13 R6 R7 RW 1 10 100n 1 C1+ V- 6 3 C1- 4k7 390 V+ 2 D12 D13A 4 C2+ S1 TL7705ACP 74HC132 D13B 5 C2- C14 FSMCD 2 RESIN RST 6 1 74HC132 C15 100n RST 5 2 & 3 4 100n 3 CT 5 & 6 WR 1 REF C17 VCC 7 10n + C16 C18 SEN 1u 100n D13C D13D 68332 Minimal Controller Board Gezeichnet: Tobias Plüss 74HC132 74HC132 DS 5450.0004.3 D 9 12 RD Datum: 26.08.2007 10 & 8 13 & 11 Seite 1 von 1 Masstab 100 % Dimension A3
in „Schaltung mit 68332“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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gblc.pdf
FIGURE 1 PEAK PULSE POWER VS PULSE TIME 10,000 tt a - 1,000 e w 350W, 8/20µs Waveform P s u k a P 100 -P P 10 0.1 1 10 100 1,000 10,000 d - Pulse Duration - µs FIGURE 2 PULSE WAVE FORM 120 TEST t Peak Value I WAVEFORM IP 100 f PP o PARAMETERS % tf= 8µs t 80 td= 20µs e e-t r C 60 s u P 40 a td= t/PP
in „Ethernet über 2adrige Telefonleitung. Idee: Billige Powerline Adapter für z.B. 24V umbauen. Mögli“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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AD5241_5242-1501681.pdf
+105°C 16-LeadTSSOP RU-16 AD5242BRUZ10-RL7 2 10 kΩ –40°C to +105°C 16-LeadTSSOP RU-16 AD5242BRZ100 2 100 kΩ –40°C to +105°C 16-Lead SOIC_N R-16 AD5242BRZ100-REEL7 2 100 kΩ –40°C to +105°C 16-Lead SOIC_N R-16 AD5242BRU100 2 100 kΩ –40°C to +105°C 16-LeadTSSOP RU-16 AD5242BRUZ100 2 100 kΩ –40°C to
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FU_Stoeber.pdf
Logischer LOW- Pegel < +5 Volt; Logischer HIGH- Pegel > 10 Volt maximale Eingangsspannungen +30 V/ -100 V DC. 6. Abtastzeit 10 ms. 7. Siehe Seite 4-4 für Konfiguration der Festsollwerte. 8. Es wird aus Sicherheitsgründen empfohlen, 0 V/GND mit der Schutzerde zu verbinden. In einer Anlage, die mehr als
in „FU601/003 mit 0-10V ansteuern gelingt nicht“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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ucnet.user.js
cloned); cloned.makeAJAXCallForImage("resize attachment to "+val+"%?", img); }); container.append("<br>"); $.each(CONFIG.imageQuality, function(index, val) { var cloned = link.clone(); if (index > 0) { container.append(" | "); } cloned.text("Q"+val); cloned.attr("href", cloned.attr("href").replace(/percent=50/g, "percent=100")); cloned.attr("href", cloned.attr("href")+"&quality="+val); cloned.makeAJAXCallForImage("change attachment quality to "+val+"%?", img); container.append(cloned); }); }); console.log("shade"); if (
in „Infos für Admins/Moderatoren #3“ · www.mikrocontroller.net ·
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ucnet.user.utf8.js
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in „Infos für Admins/Moderatoren #3“ · www.mikrocontroller.net ·
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BUK100-50.pdf
lead 6 mm - 7.5 - nH s from package to source bond pad PD% Normalised Power Derating ID & IDM / A BUK100-50DL 120 100 110 /I =VDS 100 (ON) 90 RD tp = 80 10 100 us 70 60 1 ms 50 DC 10 ms 40 1 100 ms 30 20 10 Overload protection characteristics not shown 0 0.1 0 20 40 60 80 100 120 140 1 10 100 Tmb / C VDS
in „MOSFET SCHMILZT“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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J-FET_J112.PDF
min. 3 1 0.5 V max. 10 5 3 V Drain-source on-state resistance VDS = 0.1 V; GS= 0 RDS on max. 30 50 100 July 1993 2 Philips Semiconductors Product specification N-channel silicon field-effect transistors J111; J112; J113 RATINGS Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134) Drain-source
in „J-FET J112 als Konstantstromquelle: Wie berechnen?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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LTspiceIV_Tutorial_Subcircuit.pdf
subckt 5V_Regler 1 2 3 d1 0 n001 d1n753 r1 1 n001 330 c1 n001 0 10µ .model 2n2222 npn(is=1e-14 vaf=100 bf=200 ikf=0.3 xtb=1.5 br=3 cjc=8e-12 cje=25e-12 +tr=100e-9 tf=400e-12 itf=1 vtf=2 xtf=3 rb=10 rc=.3 re=.2 vceo=30 icrating=800m +mfg=philips) .model d1n753 d(is=1e-11 rs=4.685 n=1.27 tt=5e-8 cjo=3.463e
in „Schaltung als Bauteil speichern“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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murata_caps.pdf
Except 10V max. and. Change (Whichever is larger) CU1.0µF] F1, F5: Within W30/Y40% Apply 200% (GRM21BR71H105, GRM21BR72A474, [10V max. and CU1.0µF] GRM31CR71H475: 150% of the rated voltage) of the rated [B1, B3, R6, R7, C8] voltage at the maximum operating temperature T3D for W.V.: 100V 1000T12 hours.
in „100nF SMD Entstörkondensator / Brand“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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SGB10N60A_Rev2_3.pdf
R U 30A U 50 µs C C O O T T 1A 200 µs E 20A E L L O O 1ms , , I 10A T C110°c IC c DC 0,1A 0A 10Hz 100Hz 1kHz 10kHz 100kHz 1V 10V 100V 1000V fSWITCHING FREQUENCY V , COLLECTOR -EMITTER VOLTAGE CE Figure 1. Collector current as a function of Figure 2. Safe operating area switching frequency (D = 0,CT= 25°C, j ≤ 150°C) (Tj≤ 150°C, D = 0.5,CE= 400V, V GE= 0/+15V, RG= 25Ω) 120W 25A 100W 20A N T I 80W E A R I U 15A S C D 60W R R T E E 10A O L P 40W O o , P IC 20W 5A 0W 0A 25°C 50°C 75°C 100°C 125°C 25°C 50°C 75°C 100°C 1 25 °C T C CASE TEMPERATURE TC,CASE TEMPERATURE Figure 3. Power
in „unbekannter Transistor“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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Switch.pdf
Stückpreis .177 LAGER-NR. Teile-Nr. Abb. Typ Schaltung Kappenfarbe 1 50 100 500 B .69 112-R13-49A-R/B R13-49A-05-BR1 A SPST Ein-Aus Rot mit weißem Punkt .45 .92 112-R13-49B-R/B R13-49B-05-BR A DPDT Ein-Ein Rot .55 R13-66-Serie • Einrastmontage 11037-4401 E67774 LR45128 Für
in „Ausfallursache Printtaster DeLonghi Kaffeeautomat?“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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Frequenzzaehler_Sprut211120A.pdf
habe ich einen Kondensator verwendet. Die Leiterplatte sieht wie folgt aus mit einer Abmessung von 100x100mm: Die unbestückte Leiterplatte sieht wie folgt aus: An dem Kabel br/ws ist der Taster angeschlossen. Die LED’s und das Poti sind an den Steckkontakten angeschlossen Erste Funktion habe ich mit
in „Frequenzzähler Sprut 1GHz“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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BYV26D.pdf
halfpage handbook, halfpage 20 15 10 lead length (mm) IF(AV) IF(AV) (A) (A) lead length 10 mm 0.5 1 00 100 o 200 0 0 100 o 200 T tp( C) T tp ( C) BYV26A to E BYV26F and G a = 1.42; R = RRMmax; δ = 0.5. a = 1.42;RV = RRMmax; δ = 0.5. Switched mode application. Switched mode application. Fig.2 Maximum average
in „Wie Reverse Recovery Time messen?“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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httpdc.h
Datei zeilenweise lesen und vorhandene Variable ersetzen while ( len < (MTU_SIZE-(TCP_DATA_START)-100) ) { /* if ( f16_gets(buffer, sizeof(buffer), htmfile) == 0 ) { tcp_entry[index].app_status = 0xFFFD; break; } HTTP_DEBUG("\r\n>%3i|%s|<",sizeof(buffer),buffer); len += translate(buffer, &ptr, &srclen
in „Anpassung U.Radig-Webserver mit UDP für ARM CORTEX“ · Projekte & Code ·
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E_H_Prosonic_FMU860-862.pdf
-0000 • Connector:25pinMin-D-plug,plugsupplied 154 with screw terminals • Baud rate: 19 200 Bits/s BR2 • Configuration: supplied configured for COM 3, address 3E8H, with protective 0 J5 1 BR1 J9 ground at Pin 1 or connector, Slot: 8 or 16 bit I J • RS 485 output electrically isolated J1 J2 HART-Communicator
in „Schaltung für Füllstandsmessung mit MPX2100DP“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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824013.pdf
1 VCh Clamp ESD was measured by Transmission Line Pulsing (TLP) System. TLP conditions: Z0=50Ω,tp=100ns, tr=1ns 1 2 3 I/O1 GND I/O2 Compliant: IEC 61000-4-2, -4 and -5 Product Marking: Pin 1 • CHECKED REVISION DATE (YYYY-MM-DGENERAL TOLERANCE METHODTION Marking 1) W13XY RoD 002.001 2021-04-22 DIN ISO
in „[V] 50St. Würth WE-TVS TVS Diode – 4 Cannel High Speed Series Type: 824013 USB Anwendung“ · Markt ·
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UBA2000.pdf
as well as a device controlled by a gate. Both switching devices require the breakdown voltage (V(BR)AK or V(BR)DS) to be larger than the ignition voltage of During start-up the output is kept low to prevent turning on the TL-lamp. the external switching device. TRIGGER DEVICE A typical application
in „Schnellstarter für Leuchtstofföhren - welche taugen was?“ · Haus & Smart Home ·
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82400102.pdf
1 VCh Clamp ESD was measured by Transmission Line Pulsing (TLP) System. TLP conditions: Z0=50Ω,tp=100ns, tr=1ns 1 3 I/O1 GND I/O2 Compliant: IEC 61000-4-2, -4 and -5 Flow-Thru Design:Route the data lines straight away under the TVS Product Marking: diode I/O pins, that the data signal will not pass
in „Board für Cutting Plotter, ein IC hinter USB ist weg“ · Platinen ·
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harman_kardon_hkts200-230_hkts210-230_sub.pdf
C 0 C43 C + 4 C44 6 B5 1M C45 P P 2N3904 4 0 0 C46 P0B502P0B501 P0C4P30C14302 0 4 10uF 4 +3.3V D6 100nF P 0 0 100nF C102 P0D60A P0D60K 100pF P P 100nF BAT54S 0 2 0 P0C4P80C14802 P0B602P0B601 + 5 C47 2 R5F211A4 N0SDA C48 C49 0 0 2 SDA P0R3101P0R3102 N 3080SDA B6 C 4 1 1.2nF 100nF P 0100nF 0 IC6 51 C50
in „Überspannung Herman Kardon Subwoofer“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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Transistor_2N3904.pdf
V − 50 nA EBO C EB hFE DC current gain VCE = 1 V; note 1 IC= 0.1 mA 60 − I = 1 mA 80 − C IC= 10 mA 100 300 IC= 50 mA 60 − I = 100 mA 30 − C VCEsat collector-emitter saturation voltCge I = 10BmA; I = 1 mA; note 1 − 200 mV IC= 50 mA; B = 5 mA; note 1 − 200 mV V base-emitter saturation voltage I = 10 mA
in „12V relais lässt nicht los“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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Infineon-BFP520-DS-v02_00-EN-_APs_.pdf
Values Unit Noteor testcondition Min. Typ. Max. Junction - solderingpoint R – 450 – K/W – thJS 140 120 100 ] W 80 [ o Pt 60 40 20 0 0 25 50 75 100 125 150 T S°C] Figure1 Total powerdissipation tot=f(TS) Datasheet 4 Revision2.0 2019-01-25 BFP520 Surface mount lowvoltage silicon NPN RF bipolartransistor Electrical
in „R&S TSMU Radio Network Analyzer“ · HF, Funk und Felder ·
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2SK1119_datasheet_en_20090929__1_.pdf
TO-220AB Drain current A Pulse (Note 1) IDP 12 JEITA SC-46 Drain power dissipation (Tc = 25°C) P D 100 W TOSHIBA 2-10P1B Channel temperature Tch 150 °C Weight: 2.0 g (typ.) Storage temperature range Tstg −55 to 150 °C Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature
in „brauche hilfe beim Nachbau eines DC-DC-Converters“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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MJ2500-3000.pdf
I10,000 TJ=150⋅C N1000 A R T 5000 U N C 500 R 2000 25⋅C A U N 300 C 1000 I C – 200 , 500 L T =25⋅C F M 100 C h S VCE =3.0Vdc 200 –55⋅C V =3.0Vdc E IC=5.0Adc CE h 100 50 50 30 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 103 104 10 106 I ,COLLECTORCURRENT(AMP) f,FREQUENCY(Hz) C Figure 2. DC Current Gain Figure
in „Netzteilschaltung“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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DMP10H400SEQ-838150.pdf
DMP10H400SEQ 100V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits BV DSS RDS(ON) Max ID Low Gate Drive TA= +25C Low Input Capacitance 250m @ V = -10V -2.3A Fast Switching Speed -100V
in „Externe Festplatte durch falsches Netzteil zerstört“ · PC Hard- und Software ·
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Lebensspielmain.c
); FT=0; getchar(); } else{ system("CLS"); printf("\nDu kannst max. nur 100 Flaschen sammeln!"); getchar(); } }while(Flaschen>100); continue; } if(FT==0){ system("CLS"); printf("\nDu hast heute schon Flaschen gesammelt!\a"); getchar(); continue; } } if(Konto>=10000 && Konto
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Lebenspielmain.c
); FT=0; getchar(); } else{ system("CLS"); printf("\nDu kannst max. nur 100 Flaschen sammeln!"); getchar(); } }while(Flaschen>100); continue; } if(FT==0){ system("CLS"); printf("\nDu hast heute schon Flaschen gesammelt!\a"); getchar(); continue; } } if(Konto>=10000 && Konto
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AOZ8900.pdf
(S21) vs. Frequency (tperiod = 100ns, tr = 1ns) (Vp = 3.3V) 17 1 )16 0 ( -1 C15 B V (-2 e14 s-3 a o-4 o13 L V o-5 g12 r-6 p s m11 I-7 l -8 C10 -9 9 -10 0 2 4 6 8 10 12 1 10 100 1000 Peak Pulse Current,PP(A) Frequency (MHz) Forward Voltage vs. Forward Current (tperiod = 100nS, tr = 1ns) Analog Crosstalk (I/O–I/O) vs. Frequency 7 20 6 ) ) 0 ( 5 B g ( t s20 o 4 L V n r 3 -40 w e o 2 s F -60 1 0 -80 0 2 4 6 8 10 12 10 100 1000 Forward Current,PP (A) Frequency (MHz) I/O –
in „Datenblatt zum Bauteil gesucht“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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Rhode_Schwarz_URV3_RF-Millivoltmeter_Schematics.pdf
c34 L1 + t- *'r- J R 3 BU tr2 t- 2 ST -15V fv - l5V J I ST 5. T10 R 110 2 BCY59 e R129 1M R108 BU5 100k -dtoì 10k GL12 T9 1ol 1N /./.¿8 BCY59 R1/.1 ;110 L70 tR120 2t, R127 CLt, ÌAV /.5 Rl11 G 113 ?"ll tlrror. 100k 10k L7P R100 R101 R102 1N/./..8 18 330 )19 100 500 3,01k M3O8N GL11 R6¿ c31 N 4/./.8 1k
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Rhode_Schwarz_URV3_RF-Millivoltmeter_Schematics.pdf
c34 L1 + t- *'r- J R 3 BU tr2 t- 2 ST -15V fv - l5V J I ST 5. T10 R 110 2 BCY59 e R129 1M R108 BU5 100k -dtoì 10k GL12 T9 1ol 1N /./.¿8 BCY59 R1/.1 ;110 L70 tR120 2t, R127 CLt, ÌAV /.5 Rl11 G 113 ?"ll tlrror. 100k 10k L7P R100 R101 R102 1N/./..8 18 330 )19 100 500 3,01k M3O8N GL11 R6¿ c31 N 4/./.8 1k
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sch_lay.pdf
DC-OffsetOFFSET P 4 U1B GND VEE R19 P0R2202 P0R2201 P0R2402 P0R2401 0 Tastverhältnis P0R1901 P0R1902 100k 100k 0 P0U106 LM324D CD4053B -5 0 R23 P P0U107 1 7 DreieckIECK P0R14024 P0R1401 0 P0R2302 P0R2301 P0Q201 Q2 P05105 2 P 0 BC817 50k 100k 4 100k 0 2 S2 2 P 2 1 P4 P U SägezahnEZAHN P0R13023 P0R1301 P0S201
in „signal- bzw. funktionsgenerator mit OPs“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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2N7000-D.PDF
VGS = 4.5 Vdc, DS= 10 Vdc) d(on) 75 − mAdc Forward Transconductance (VDS = 10 Vdc,DI = 200 mAdc) gfs 100 − mmhos DYNAMIC CHARACTERISTICS Input Capacitance C iss − 60 pF (VDS = 25 V, GS= 0, Output Capacitance f = 1.0 MHz) Coss − 25 Reverse Transfer Capacitance Crss − 5.0 SWITCHING CHARACTERISTICS (Note
in „ESD-Demonstrator / 2n7000 MOS-FET zerstören“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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ashx_prod_file.pdf
5V Gain( 6dB) VDD5V Gain( 6dB) R =4Ω +170 +4 RL=8Ω P =0.8W PO=0.5W +170 BTL +160 BTL +0 +0 +160 10 100 1k 10k 100k200k 10 100 1k 10k 100k 200k Frequency (Hz) Frequency (Hz) Copyright ANPEC Electronics Corp. 10 www.anpec.com.tw Rev. A.7 - Jan., 2010 APA2068 Typical Operating Characteristics (Cont.)
in „Ic Apa 2068 Vorverstärkerausgang“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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IHW20N120R2.pdf
600V, V GE= 0/+15V, RG= 15Ω) 40A 300W 250W T30A E N W R P 200W R D C E R20A A 150W T I C S L D L ,t100W C t C10A P I 50W 0W 0A 25°C 50°C 75°C 100°C 125°C 150°C 25°C 50°C 75°C 100°C 125°C 150°C TC,CASE TEMPERATURE TC,CASE TEMPERATURE Figure 3. Power dissipation as a function of Figure 4. DC Collector
in „IGBT Vergleichstyp“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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ZXRE330.pdf
I = 5mA ±20 — — R ΔVR/ΔT Average Reverse Breakdown Voltage IR= 100µA -40 to +85°C ±15 ±150 ppm/°C Temperature Coefficient IR= 10µA ±15 — — 25°C 0.2 — 2uA <IR< 100uA -40 to +85°C — 0.6 ΔV R Reverse Breakdown Change With Current mV 25°C 10 — 100uA < R < 5mA -40 to +85
in „Spannungsreferenz 3,3v gesucht“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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pdf-n27.pdf
Initial permeability μi 2000 (T = 25 °C) ±25% Flux density BS(25 °C) mT 500 (H = 1200 A/m, f = 10 kHz)SB(100 °C) mT 410 Coercive field strength H c25 °C) A/m 23 (f = 10 kHz) H c(100 °C) A/m 19 Optimum fmin kHz 25 frequency range fmax kHz 150 –6 Hysteresis ηB 10 /mT <1.5 material constant Curie temperature
in „Frage zum Spule wickeln“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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JSMSEMI-JSM500R.pdf
2 C 4. 电气特性 4.1 绝对最大额定值 I 参数 最小值 最大值 单位 电源电压 — 6 V 贮存温度 -65 150 ℃ ANT，SQ，S最大输入功率L1，SHDN 直流电压 -—.3 V100.3 dBm 引线耐焊接温度（焊接，10s） — 250 ℃ 结温 — 150 ℃ 注：所有电压以GND为参考，超出绝对最大额定值可能会引起器件损坏。 2 /10 JSM500R 433M/315M 无线接收芯片 4.2 推荐工作条件 KBD510 无线接收芯片 参数 最小值 典型值 最大值 单位 电源电压 2.0 — 5.0 V 工作温度范围 -40 — 85 ℃ ANT，SQ，SEL0，SEL1
in „Bauteilgrößen aus Schematic bestimmen“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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AD7741_7742.pdf
4 1 1 k 4 Reference Drift 50 50 ppm/°C Line Rejection –70 –70 dB Reference Noise (0.1 Hz to 10 Hz) 100 100 V p-p LOGIC OUTPUT Output High Voltage, OH 4.0 4.0 V Output Sourcing 800 A Output LowVoltage, VOL 0.4 0.4 V Output Sinking 1.6 mA Minimum Output Frequency 0.05 f 0.05 f Hz V =0 V(Unipolar), V =
in „max Inputfrequenz des VFC AD7741“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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irlr3717.pdf
100 0.1 1 10 100 VDS , Drain-to-Source Voltage (V) VDS , Drain-to-Source Voltage (V) Fig 1. Typical Output Characteristics Fig 2. Typical Output Characteristics 1000 2.0 e ID = 30A n V = 10V ) t GS ( TJ