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D130906D.pdf
C The HGTG20N60B3D is a MOS gated high voltage o switching device combining the best features of MOSFETs Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 140ns at 150 C and bipolar transistors. The device has the high input Short Circuit Rated impedance of a MOSFET and the low on-state conduction
in „Blitz Leistungsregelung“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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datenblatt-pam8403.pdf
MUTE Input Low VML Note 3 0.5 Output Offset Voltage V No Load 10 30 mV OS Drain-Source On-State P MOSFET 0.3 0.40 RDS(ON) DS=0.5A Ω Resistance N MOSFET 0.22 0.35 Output Power P THD+N=10%, R L 8Ω 1.55 1.7 W O 1kHz R L 4Ω 2.85 3.0 RL= 8Ω，P O0.25W 0.08 Total Harmonic Distortion Plus RL= 8Ω，P O1.1W 0.27 1.0
in „PAM8403 Stereo (Kopfhörer) zu Mono (Lautsprecher) - wie?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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AkkuPack_4LiPo.PDF
Ricoh R5402N101KD or Control IC 1 U1 Sanyo LV51140T or Equivalent SME8205 or SME2017 or AO8820 or MOSFET 1 Q1 AO8810 or FTD2017 or Equivalent Seiko S-8241GCL or Control IC 1 U2 Equivalent AO3401or MOSFET 1 Q3 Equivalent 330Ω(0603) Resister 1 R1 1kΩ(0603) Resister 1 R2 470Ω(0603) Resister 1 R3 47Ω(2010
in „Lipo Akkus zusammen schalten..“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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lm2679-adj.pdf
particular appli- cation. This alleviates the need to use external components switch is a DMOS power MOSFET to provide power supply that must be physically sized to accommodate current levels designs with high current capability, up to 5A, and highly (under shorted output conditions for example) that may
in „Schaltregler Schaltplan und Layout Kontrolle“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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20002234D.pdf
output using the integrated low - Input to Output Bypass Option (MCP1640C/D) resistance P-Channel MOSFET, which provides a low • Shutdown Current (All States): < 1 µA bias voltage for circuits operating in Deep Sleep mode. • Low Noise, Anti-Ringing Control Both options consume less than 1 µA of input
in „NRF24L01+ durch MCP1640 gestört?“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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2sk955.pdf
NTE2377 MOSFET N–Channel, Enhancement Mode, High Speed Description: The NTE2377 is an N–Channel Enhancement Mode Power MOS Field Effect Transistor. Easy drive and very fast switching times make this device ideal
in „N-MOSFET defekt?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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attiny_low_power_cutoff.ino
else { ready_2_call = true; } previous_btn_state = curent_btn_state; return false; } /* turns the mosfet off/on according to curent voltage level */ void powerMonitor() { if(measureVCC() < voltage_threshold) { digitalWrite(FET_PIN, HIGH); //turn off digitalWrite(STAT_LED_PIN, HIGH); } else if(measureVCC
in „Tiefentladungsschutz mit Attiny und P-Kanal Fet“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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Exp_Meth_In_RF_Des--Wes_Hayward.pdf
although one should use those featur-FETs, Fig 5.23A, can also be exlended ing low on-resistance MOSFETs. Discrete with balance. Duplicating the circuit with MOSFETs will also function in this cir- differentia] LO and TF, but a single ended cuit. Adetailed analysis shows that exactly RF results in a
in „Literatur zum Selbstbau von Sendern und Empfängern“ · HF, Funk und Felder ·
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Devices.txt
OPA1632 2 OP11P 2 NPN-TRANSISTOR_SOT23W 2 -NPN-TO92-ECB 2 -NPN-TO225AA 2 NPNSOT89 2 NPNSOT323 2 N-MOSFET-SO8 2 NE567 2 NE555N 2 MYSPECIAL_CERA-DIODE 2 MTA02-156 2 MT6-6 2 MT48LC8M16A2 2 MSTL3MW 2 MSTBV3 2 MOTOR 2 MOSFET-P-4D-FDC604P 2 MOC3021 2 ML6E 2 ML64 2 ML14L 2 MEGA323-A 2 MD06SS 2 MCP41X1 2 MAX7311
in „[KiCad] Bibliotheksaufbau - Konzeptideen gesucht“ · Platinen ·
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LTC1174.pdf
the Internal 0.9 Power Switch: V = 9V IN Only Four External Components Required internal P-channel MOSFET switch is turned on continu- ouslyallowingtheusertomaximizethelifeofthebattery 130 A Standby Current Active Low Micropower Shutdown source. U The maximuminductor current of the LTC1174 family is pin
in „DC/DC Wandler LTC1174 Verhalten bei Shutdown?“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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tps61046.pdf
Ground SW B2 PWR The switch pin of the converter. It is connected to the drain of the internal power MOSFET. VIN A1 I IC power supply input VOUT C2 PWR Output of the boost converter Copyright © 2015, Texas Instruments Incorporated Submit Documentation Feedback 3 Product Folder Links: TPS61046 TPS61046 SLVSCQ7
in „Ruhestrom Spannungswandler DC DC“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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172500-as-01-de-PIR_SMD_MODUL_3_12V_2_mA.pdf
Der Signalverlauf v enthält Informationen über den Bewegungsablauf. e Im Sensor ist weiterhin ein MOSFET als Ein Mikrocontroller kann so die Detektions- n Impedanzwandler integriert, da die Pyroelemente r nur hochohmig betrieben werden können. Von Sicherheit wesentlich erhöhen und Fehlalarm d den nachfolgenden
in „Bewegungsmelder auswerten (Conrad 170025)“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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PhotodiodeAmplifers.pdf
current may be 15 pA, but will double every 10°C. Amplifier Input Stage: •CMOS parts have ESD diodes. MOSFET has no DC bias current but mis-match in ESD ? diodes causes bias current to flow in Correcting DC Bias •Use resistor. - Light + LMH6642 (fast) Correcting DC Bias •Servo out the error. - LMH6624 Light
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Solar_Lader.asm
akkuspg= r19 .def solarspg= r20 .def pothi= r21 .def potlo= r22 ;Portdefinitionen ;Port D Bit 1 = MOSFET Ladestrom ;Port D Bit 2 = AlarmLed ;Port D Bit 3 = LadeLed ;Port D Bit 4 = Batterie Voll ;Port C Bit 0 = AD-Eingang Akkuspannung ;Port C Bit 1 = AD-Eingang Solarzellenspannung ;Port C Bit 2 = AD-Eingang
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159ag0206.pdf
package, a compact and small product cool in the user’s hand? which contains the built-in switching MOSFETs and charge termination controller. Figure 3 shows an actual For instance, as battery capacities inevitably increase, PCB solution. chargecurrentswillalsoincreasetomaintainorimprove theirchargetimes.Traditionallinearregulator-basedbat
in „Li-Ion Akku am USB laden“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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uC-Board.pdf
MCP1700T-3002E/TT 1 C I P I P$2 GND P P IN2 GND P$1 3 IN1 1 1 9 C 2 1 I I C 2 I C 2 +5V 1 2 P P MOSFET-Switches I P I I I BQ255 P 6 5 4 3 2 1 P Connector_Bat P P P P P P $ $ C C $ P P u 2 15 2 2 U D 12 2 VIN_DC VSTOR I I + I - N D T N 1 A2 A VRDIV 7 P P IRF 7410 C V C D N O G I P P 14 VBAT S G V P 8
in „AtMega1284P+XBee funktioniert nicht ohne ISP“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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PhotodiodeAmplifers.pdf
current may be 15 pA, but will double every 10°C. Amplifier Input Stage: •CMOS parts have ESD diodes. MOSFET has no DC bias current but mis-match in ESD ? diodes causes bias current to flow in Correcting DC Bias •Use resistor. - Light + LMH6642 (fast) Correcting DC Bias •Servo out the error. - LMH6624 Light
in „Wer macht mit bei einer Pulsuhr“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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AN-D11_Prot-Circuit.pdf
LND150N8, 500V N- accomplished by limiting the amount of current going into the channel depletion mode MOSFETs with gate-to-source ESD measuring instrument. The circuit will protect against destruc- protection in a SOT-89 surface mount package. Q1 and Q2 tive high voltages inadvertently connected to the probes
in „Überspannungsschutz ADC leakage current“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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dummy_load.pdf
O 5 + + D VCC 100n L V 1 VCC 7 100R G 6 - R23 4 C5 0 2 - V S 2 0 V PWM_ENABLE U2A Q1 1 R LM324N MOSFET_N 1 R SET_CURRENT_PWM 3 1 R1 3 D 1 180 100 + V R4 1 JP1 2 R3 1 100R G 2 3 1 2 - V F C6 S DS1 LCD16X2 2 C2 LM324N BUZ71 A VCC 1 POT 3 0 2 1 3 2 R 47n 1 RV1 47u R18 16x2 1k WC1602A + - 1 8 S D O S /
in „Elektronische Last“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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UKWBerichte1970.pdf
1970_3 S. 151-154 Leiterplatte für die Quarzoszillatoren des 144-MHz/14-MHz- H. Kahlert, DL 3 YK MOSFET-Konverters im SSB-Transceiver nach DLOHA 1970_3 S. 155-158 R. Lentz, DL 3 WR Leiterplatten-Aufbau des integrierten NF-Verstärkers PA 237 1970_3 S. 159-161 H.J. Franke, DK 1 PN Transistoren für UHF-
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Warenkorb-Reichelt.pdf
0,14 € 20% FC-A 33U 50 Elko radial, 33 uF, 50 V, 105°C, low ESR, AEC1 1 0,17 € 0,17 € Q200 IRFD 110 MOSFET, N-CH, 100V, 1A, 1,3W, HD-1 1 1 0,38 € 0,38 € SB 160 Schottkydiode, 60 V, 1 A, DO-41 1 1 0,051 € 0,05 € L-07HCP 2,2M Stehende-Induktivität, 07HCP, Ferrit, 2,2m 1 1 0,38 € 0,38 € 1 von 2 07.04.21, 15
in „Röhrenuhr IV-18“ · Projekte & Code ·
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MIP2E4DMY-1.PDF
Control 3 Drain ෦ిݯڙڅ▯ ܰෛՙݕग़▯ λΠϚ▯ ؒܽൃৼ੍ޚ༻▯ ؒܽಈ࡞ճ࿏▯ ΤϥʔΞϯϓ▯ աอޢճ࿏▯ S Q ήʔτ▯ ύϫʔ▯ ࠶ىಈτϦΨ▯ R Q υϥΠό▯MOSFET ൃৼث▯ Max Duty S Q Clock Sawtooth V-Iมث▯ Φϯ࣌▯ R Q ϒϥϯΩϯά▯ εϩʔϓ▯ ύϧεൃੜճ࿏▯ ิঈ▯ υϨΠϯిྲྀ▯ աిྲྀ▯ ݕग़༻▯ อޢ▯ 2 Source ൃߦ݄ : 20018݄ SLB00030BJD 1 MIP2E4DMY ■ ిؾతಛੑ T = 25°C ± C°C ߲ ه߸ ݅ ࠷খ ඪ४ ࠷େ ୯Ґ ίϯτϩʔϧػೳ
in „MIP2E4DMY Bauelement prüfen ?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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CRPowtech.pdf
Konverter-Controller PWM/PFM Step-Down DC/DC Controller SOT23-5 PT1102 Buck DC/DC-Wandler (Eingebauter MOSFET) SOP-8 PT1109 1.5A, 24V, 380Khz Buck DC/DC-Wandler SOP-8 Linearer Regulierungsregler mit niedrigem Ausfall PT5107 High-PSR 300mA Niederabwurfregler SOT23-5 PT5127 Dual-Ausgang 200mA Hohe PSRR LDO SOT23
in „Was ist das?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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BTS6143D_20030925.pdf
Summary • Reverse battery protection by self turn on of Operating voltage V bb(on) 5.5...38 V power MOSFET On-state resistance R ON 10 mΩ Features Nominal current IL(nom) 8 A • Short circuit protection with latch • Current limitation Load current (ISO) IL(ISO) 33 A • Overload protection Current limitation
in „MOSFET Treiber und galvanische Trennung“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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Optokoppler_ACPL-T350.pdf
Rejection (CMR) at stage. These optocouplers are ideally suited for driving V CM = 1500V power IGBTs and MOSFETs used in motor control inverter applications. The high operating voltage range of the • 1.5V maximum low level output voltage (V )OL outputstageprovidesthedrivevoltagesrequiredbygate • CC = 4 mA maximum
in „Frage zur Optokoppler“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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ir2110.pdf
Outputs in phase with inputs Packages Description The IR2110/IR2113 are high voltage, high speed power MOSFET and IGBTdriverswithindependenthighandlowsidereferencedoutputchan- nels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable 16-Lead SOIC ruggedized monolithic construction. Logic inputs are
in „IR2110 Probleme“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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ir2110.pdf
Outputs in phase with inputs Packages Description The IR2110/IR2113 are high voltage, high speed power MOSFET and IGBTdriverswithindependenthighandlowsidereferencedoutputchan- nels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable 16-Lead SOIC ruggedized monolithic construction. Logic inputs are
in „Wechselrichter mit MOSFET Endstufe“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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ir2110.pdf
Outputs in phase with inputs Packages Description The IR2110/IR2113 are high voltage, high speed power MOSFET and IGBTdriverswithindependenthighandlowsidereferencedoutputchan- nels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable 16-Lead SOIC ruggedized monolithic construction. Logic inputs are
in „HIGH AND LOW SIDE DRIVER Io+ Ausgangsstrom“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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FPF1048.pdf
R - 23mΩ at VIN4.5V FPF1048 consists of slew-rate controlled low- t - 41mΩ at VIN1.8V impedance MOSFET switch (23mΩ typical)and - integrated analog features. The slew-rate controlled o - 90mΩ at VIN1.5V turn-on characteristic prevents inrush current and the n Slew Rate/Inrush Control wiRh t : 2.7ms
in „Lithium Polymere Akku parallel schalten - Kurzschlussschutz“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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10n120bnd.pdf
IGBTs combine the best • Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . 1J0ns at T features of MOSFETs and bipolar transistors.This device • Short Circuit Rating has the high input impedance of a MOSFET and the low on- • Low Conduction Loss state conduction loss of a bipolar transistor.The IGBT used
in „Netzteil mit IGBT“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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MP2354DS.pdf
Technology DESCRIPTION FEATURES The MP2354 is a monolithic step down switch • 0.18Ω Internal Power MOSFET Switch mode converter with a built in internal power • Stable with Low ESR Output Ceramic MOSFET. It achieves 2A continuous output Capacitors current over a wide input supply range with • Up to 95%
in „[S] Step Down Converter MP2354DS (für Fritzbox 7170)“ · Markt ·
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AP5724_Backlightdriver.pdf
— % Reference Voltage V FB Feedback Voltage 0.09 0.1 0.11 V FB FB Pin Bias Current 10 45 100 nA MOSFET Rds(on) On Resistance of MOSFET — 0.95 1.2 Ω IOCP Switching Current Limit Normal Operation — 750 — mA Control and Protection EN Voltage High ON 1.5 — — V EN Voltage Low OFF — — 0.4 V EN EN Pin Pull
in „Fehlersuche Backlightdriver startet nicht“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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snva390c.pdf
the actual Δi is: The chosen components from step 5 are: L-PP www.national.com 4 A N 6. P-CHANNEL MOSFET - Solve for R7: 9 Determine minimum Q1 voltage rating and current rating: 5 3 The closest 1% tolerance resistor is 6.98 kΩ so VTURN-ON is: A 100V 3.8A PFET is chosen with R DS-ON = 190mΩ and Q = g
in „LED Serienschaltung mittels Transistor schalten“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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SPV1040.pdf
pins as shown in Figure 2. In such way the Schottky diode in parallel to the embedded P-channel MOSFET will reduce the voltage drop between the VLX pin and the VOUT pin determined by the body diode when the internal PMOS is OFF from 0.7 V down to 0.3 V. 2. Given T j Ta+ R thJAx D , and assuming thJA
in „Platine Designen für SPV1040“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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STP15N80K5.pdf
STB15N80K5, STF15N80K5, STP15N80K5, STW15N80K5 N-channel 800 V, 0.3 Ω typ., 14 A MDmesh™ K5 Power MOSFETs in D PAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247 packages Datasheet − production data TAB Features Order code VDS RDS(on)max D PTOT 3 STB15N80K5 190 W 1 D PAK 23 STF15N80K5 35 W 1 800 V 0.375 Ω 14 A TO-220FP
in „1500V 8A mit MOSFET schalten“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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EVQ4210-U-00B_r1.1_MPS.pdf
straight DIP WE 61300411121 2 Q1, Q2 AON72 40V, 3.2mΩ, 50A, 26.5nC, DFN AOS AON7242 42 N-channel Mosfet 3.3x3.3 EP AON75 30V, 3.9mΩ, 30A, 15.6nC, DFN 3 x3 2 Q3, Q4 02 N-channel Mosfet EP AOS AON7502 1 R1 90K9 Film Res,1% 0603 YAGEO RC0603FR-0790K9L R2, R11, 4 R12, R13 10K Film Res,1% 0603 YAGEO RC0603FR
in „Controlling DC DC converter with STM32“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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1-BTS6144_20030925.pdf
Summary • Reverse battery protection by self turn on of Operating voltage V bb(on) 5.5...38 V power MOSFET On-state resistance R ON 9 mΩ Features • Nominal current IL(nom) 9.5 A Short circuit protection with latch • Current limitation Load current (ISO) IL(ISO) 37.5 A • Overload protection Current limitation
in „36 V DC / 10 A mit Schalter oder Relais schalten?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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pdfslide.net_service-manual-0303-service-inverter-lincoln.pdf
initially using bipolar transistors with the more modern models fitted with IGBT transistors or MOSFETs of different manufacturers. The following is some general information that can help any qualified service technician in the investigation of the cause of a failure. In certain circumstances it may
in „3 Phasen Brückengleichrichter liefert 580 Volt“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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datenerfassung.pdf
Programmiergeräten programmierbar → mit UV-Licht 100-200 mal löschbar → Speicherzellen bestehen aus MOSFET-Transistoren jeder Transistor repräsentiert ein Bit ●Electrically Eraseable Programmable ROM (EEPROM): → mit speziellen Programmiergeräten (auch von der CPU) programmier- und löschbar → 1000-100000
in „Schmitt-Trigger mit Operationsverstäkrer?!?!?!“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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BF1009SW_2001_INF.pdf
BF1009SW Silicon N-Channel MOSFET Tetrode 3 For low noise, high gain controlled input stages up to 1GHz 4 Operating voltage 9V Integrated bias network 2 Drain HFOutput + DC 1 VPS05605 AGC G2 HF G1 Input GND EHA07215 ESD: Electrostatic
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teile-ttester.txt
CRYSTALHC49S HC49/S crystal 1 Q5 BC847CSMD BC847CSMD SOT23 transistor-npn 1 Q6 IRLML6402 IRLML6402 MICRO3 mosfet 1 R1 680 R-EU_R0805 R0805 resistor 1 R2 470k R-EU_R0805 R0805 resistor 1 R3 680 R-EU_R0805 R0805 resistor 1 R4 470k R-EU_R0805 R0805 resistor 1 R5 680 R-EU_R0805 R0805 resistor 1 R6 470k R-EU_R0805
in „Sammelbestellung Transistortester III - schnelle Runde“ · Markt ·
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ATTiny24_QTouch-V-2.txt
Stromversorgung mit einem geeigneten ECO-Netzteil 12V und Stepdown Wandler auf 5V ' - ein geeigneter MOSFET schaltet/dimmt die (IP65) LED-Stripes ' ' Jeder ATTiny mit Hardware-PWM und 2 freien Portpins für den Touch-Sensor und 1/2 Portpins für die Output Compare Pins ' mit 2k Flash ist geeignet ' $regfile
in „LED Dimmer mit Touch Sensor“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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DC_Motor_Regler.c
, welches mit Vcc und GND versorgt eine variable Spannung an POTI_EINGANG liefert. Ein Leistungs-MOSFET (IRLZ34N) wird per PWM_AUSGANG angesteuert; Source liegt an GND und Drain am Minuspol des Motors. Zwischen Source und Gate sollte noch ein Widerstand (10k) ergänzt werden. Der Pluspol des Motors liegt
in „Drehzahlregler für DC-Motor, ATmega48-328“ · Projekte & Code ·
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datasheet.pdf
pin. 13 2016-06-10 TB6600HG ISD (Over current detection) Current that flows through output power MOSFETs are monitored individually. If over-current is detected in at least one of the eight output power MOSFETs, all output power MOSFETs are turned off then this status is kept until ENABLE signal is input
in „Schaltplan TB6600“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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Datasheet_MIC2875.pdf
supply provides power to the internal converter. For the fixed voltage version, this pin should MOSFETs gate drivers and control circuitry for the be connected to the OUT pin. For the adjustable boost regulator. The operating input voltage range is version, connect a resistor divider to set the output
in „MI2875 PG-PIN“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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Schrittmotor_TB6600HG.pdf
pin. 13 2014-01-30 TB6600HG ISD (Over current detection) Current that flows through output power MOSFETs are monitored individually. If over-current is detected in at least one of the eight output power MOSFETs, all output power MOSFETs are turned off then this status is kept until ENABLE signal is input
in „Schrittmotor Stepper Endstufe Treiber Steuerung Schaltung Varianten Ideen Diskussion“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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TPS2113A.pdf
hysteresis helps avoid repeated switching from one supply to the other due to resistive drops. N-CHANNEL MOSFETs Two internal high-side power MOSFETs implement a single-pole double-throw (SPDT) switch. Digital logic selects the IN1 switch, IN2 switch, or no switch (Hi-Z state). The MOSFETs have no parallel diodes
in „Speisung umschalten“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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ucc28c43.pdf
±1 A peak output current capability with improved rise and fall times for driving large external MOSFETs directly. APPLICATIONS D Switch-Mode Power Supplies The UCC38C4x family is offered in 8-pin D dc-to-dc Converters packages, MSOP (DGK), SOIC (D) and PDIP (P). D Board Mount Power Modules FUNCTIONAL
in „SNT will nicht anlaufen - falsches TI Datenblatt?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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ca3140-a.pdf
DATASHEET CA3140, CA3140A FN957 4.5MHz, BiMOS Operational Amplifier with MOSFET Input/Bipolar Output Rev.10.00 Jul 11, 2005 The CA3140A and CA3140 are integrated circuit operational Features amplifiers that combine the advantages of high voltage • MOSFET Input Stage PMOS transistors
in „OpAmp Ausgang schwingt mit 50Hz (oder 100)“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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BUZ11.pdf
BUZ11 ∪ N - CHANNEL 50V - 0.03 - 33A TO-220 STripFET∧ MOSFET TYPE VDSS R DS(on) ID BUZ11 50 V < 0.04 33 A TYPICAL R DS(on)= 0.03 AVALANCHERUGGED TECHNOLOGY 100%AVALANCHE TESTED HIGH CURRENT CAPABILITY 175 C OPERATINGTEMPERATURE 23 1 APPLICATIONS TO-220 HIGH
in „Transistorschalter für Glühlampe 12V 5W“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·