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Sonos Play 1: FAN6751
defekte Sonos Play 1, bei der ist das Schaltnetzteil defekt. Es zeigt sich der übliche Schaden, MOSFET, Shunt, Sicherung, Gleichrichter sind hinüber. Alles kein Problem. Der Schaltregler FAN6751 erschien noch in guter Verfassung, allerdings habe ich versucht, den rückwärts mit Strombegrenzung auf 100mA
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Wie wird ein TO-50-Transistor auf einem Steckbrett angebracht?
Isolationsfräsung für den PA-Transistor. Am Ende wurde es dann eine simple Klasse-C-PA mit einem RD06HHF1 (MOSFET).
dicken Anschlusskabel. Und dann sah ich wieder auf diese kleinen, dünnen Anschlussbeinchen des MOSFETs. Also, 40A! können daher nur impulsweise in dieses kleine Bauteil geschickt werden, wobei die Impulse sehr kurz sein müssen. Nur so kann ich mir die Stromlast von 40A! erklären.
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Fritzing-Schaltplan mit Arduino, MOSFETs und Akku
27.6kΩ 10kΩ 10kΩ 1kΩ 100kΩ Mosfet P-Ch - IRF5305 Mosfet N-Ch - 2N7000 E585460-4121 2000mAh 3.7V fritzing
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Fritzing-Schaltplan mit Arduino, MOSFETs und Akku
27.6kΩ 10kΩ 10kΩ 1kΩ 100kΩ Mosfet P-Ch - IRF5305 Mosfet N-Ch - 2N7000 E585460-4121 2000mAh 3.7V fritzing
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Fritzing-Schaltplan mit Arduino, MOSFETs und Akku
27.6kΩ 10kΩ 10kΩ 1kΩ 100kΩ Mosfet P-Ch - IRF5305 Mosfet N-Ch - 2N7000 E585460-4121 2000mAh 3.7V fritzing
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Kennlinien eines BSP320S MOSFETs
Infineon BSP320S Typ. output characteristics ID = f(VDS) parameter: tp = 80 µs BSP320S ID [A] VDS [V] 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 5.0 Drain-source on-resistance RDS(on) = f(Tj) parameter: ID = 2.9 A, VGS = 10 V BSP320S RDS(on) [Ω] Tj [°C] -60 -20 20 60 100 180
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Schutz von OPAmp gegen 300V - aber rauscharm und ohne Quelle zu belasten
4524997 Für ein Sendesignal mit geringem duty cycle sicher OK aber ein Dauersignal werden die MOSFETs, ohne zusätzlichen Sourcewiderstand dazwischen, nicht überleben. Jemin K. schrieb im Beitrag #8046157: > Ich nehme an, dass ich meine Idee mit den JFETs gar nicht umsetzen > könnte, da die
man damit den > Anregungspuls abschwächen? Ich sehe auch nicht wie das funktionieren soll. Die MOSFETs sind in Diodenschaltung, wohl mit der Absicht nichtlineare Widerstände zu realisieren. Allerdings sitzen jeweils die Bodydioden des anderen Pfades in parallel. Das Sendesignal wird schon am Eingang
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[S] LiIo-Akku
bei Ali gibt. Der 6-pin Baustein könnte z.B. ein HY2120 sein, und dann benötigt man nur noch den MOSFET und etwas Hühnerfutter. Sollte vor Überladung, Tiefentladung und Kurzschluss schützen.
www.ebay.de/itm/265490374199 > https://www.aliexpress.com/s/wiki-ssr/article/hw-391 Mit gefälschten MOSFETs...
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Fritzing-Schaltplan mit Arduino, LiPo-Akku und MOSFET-Treiber
E585460-4121 2000mAh 3.7V, IRLZ44N, 10kΩ, 27.6kΩ, 330Ω, 100µF, 100kΩ
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Fritzing-Schaltplan mit Arduino, LiPo-Akku und MOSFET
27.6kΩ, 10kΩ, IRLZ44N, E585460-4121, 2000mAh 3.7V, 100µF, fritzing
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Schaltplan eines Hochspannungs-Ausgangsstadiums
V/µs Figure 4x.137. Precision high-voltage amplifier (±500 V, ±5 mA, 7.5 V/µs), implemented with MOSFET totem-pole output stage with class-AB pull-down current sink on the output source follower. See text for modifications for 0 to +1000 V unipolarity output.
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Raspberry Pi CM0 bei AliExpress, STMicroelectronics mit PX5, neue Messtechnik und AI-Assistenten
Switching Speed Upward switching (to higher current): • <2.5 µs to fully open the ranging MOSFETs @3.3 V Downward switching: • Min. ~380 µs, Max ~800 µs to fully open the ranging MOSFETs • Defaults to mA range at power-up • Anti-lock circuitry prevents the device from remaining
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ZVS Modul sicher betreiben
de.aliexpress.com/item/1005009437634532.html Es verfügt über Unterspannung, Überstrom, Überhitzung Schutz der Mosfets und einem separaten On/Off switch, der sich auch durch eine Steuerung schalten ließe. Kühlung der Spule erfolgt durch Wasserkühlung. Das Modul wird maximal mit 2.5kW betrieben und dann auch nur
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SN schwingt nach
sich etwas Moderneres und Schnelleres zu nehmen, am besten einen Regler, der intern mit einem P-MOSFET und nicht N-MOSFET arbeitet und mindestens mit 150 kHz läuft (das PMOS-Konzept erkennt man am fehlenden Bootstrap-Kondensator)
vorgesehen, was höhere Verluste zur Folge hat. >, am > besten einen Regler, der intern mit einem P-MOSFET und nicht N-MOSFET > arbeitet Und was soll ein Regler mit P-MOS für Vorteile haben? P-MOS haben verglichen mit N-MOS immer schlechtere Werte, also z.B. höheres Rds_on oder höhere Gate-Kapazität
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Bewertung und Feedback zu meinem 14.5V-to-11.0V DC-DC Buck Converter Design und PCB Layout (TPS6213)
genau kucken, was passiert, wenn Vin so klein wird, daß Vout nicht mehr gehalten sein kann. Wird IC-MOSFET einfach offen bleiben? oder braucht Driver von MOSFET doch kurzen Pausen? Das ist z.B. für vielen N-MOSFET-Driver notwendig. Lieber mehr als zu wenig.
kucken, was passiert, wenn Vin so klein wird, daß Vout > nicht mehr gehalten sein kann. Wird IC-MOSFET einfach offen bleiben? > oder braucht Driver von MOSFET doch kurzen Pausen? Das ist z.B. für > vielen N-MOSFET-Driver notwendig. > Lieber mehr als zu wenig. Der kann 100% DC!
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LoRA am Vormarsch, PIC16/PIC18 mit FPGA, MOSFETs und Google
Bauteil-Seriennummern“ zu lesen gibt: [c] ROHM began supporting the bare dies business with 5th Generation SiC MOSFETs in 2025 and completed development in March 2026. Furthermore, starting from July 2026, ROHM will provide samples of discrete devices and modules incorporating 5th Generation SiC MOSFETs. [/c]
interesting feature/use case is that you would like to simulate the dynamic temperature dependence of a MOSFET™ in your new DC-DC converter design, just to make sure your Mosfet is still operating in SOA (safe operating area). Now with InfineonSpice and with the support of our device spice models (e.g. our
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High Side Strommessung
Interessantes Teil, aber für deine Anwendung ungeeignet. Du brauchst mindestens +-9V für die Mosfet Ansteuerung.
Martin schrieb im Beitrag #8040805: > Welche Mosfets? Die Mosfets des Ausgangsverstärkers. Bei 1kV gibt es keine Logik-Level Fets. Da ist 9 Volt das Minimum. Andere Rechnung: 2 Volt für den Stromshunt + 2 Volt für die Sense Leitung + 3 Volt
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Bauteil Identifikation
https://www.alldatasheet.com/view_marking.jsp?Searchword=A07 also wohl ein P-MOSFET 3407 oder 2307 verschiedener Hersteller.
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Wasserstandsmessung mit RaspberryPico und Drucksensor MPX2050DP
. *MOSFET-Auslegung:* Der IRLML2502 (SOT-23) schaltet Pumpe und Ventil mit einem MOSFET gleichzeitig. Der zweite IRLML2502 schaltet ein zweites Ventil zur Entlüftung der Druckleitung vor der eigentlichen Messung
die Ansteuerung der 12V Ventile eignen sich übrigens die TPIC6C595 Shift Register mit 50V/350mA MOSFET O.D. Ausgängen. Den verwende ich bei mir, um die drei Magnetventile zu betreiben. Gruß, Gerhard
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Pulsweitenmodulation
ansteuernden Rechteckimpulse jedoch dahingehend eine Rolle, dass sie die Verluste der Schaltelemente (MOSFETs) in die Höhe treiben und die ungefilterten Anteile in den Motoren zu Schwingungen führen, weil Resonanzen angeregt werden können. Dimmen von Leuchtmitteln (ohmsch - kapazitiv). Eine spezielle Form
geringer Induktivität sinnvoll sein, die die Anstiege begrenzt. Wie schätze ich die Verlustleistung am MOSFET im PWM Betrieb ab?. Beitrag von Falk: Vereinfacht kann man sagen, dass während der Umschaltzeit die Verlustleistung am MOSFET = 1/4 der Verlustleistung am Verbraucher ist, wenn der eingeschaltet ist
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Problem mit dem Funkuhrbausatz von Sol-expert
ist es, dass das Empfangsmodul, von dem kein Schaltplan existiert, kaputt ist? (Wenn im Eingang MOSFETs sind, dann wäre dies nicht erstaunlich) Könnte ich es durch ein neues Funkuhrmodul wie das von Pollin ( https://www.pollin.de/p/dcf-empfangsmodul-dcf1-810054 ) ersetzen? Ich habe übrigens einige
Eingangstransisors beim DCF77-Modul durch statische Aufladung. Ich weiß nicht, ob das DCF77-Modul MOSFETs verwendet und die Verpackung war eine einfache Plastikfolie mit Luftkissenfolie.
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PDP8974 Ersatz gesucht
Dann würden wohl auch 60V MOSFETs reichen, aber selbst da fällt mir kein LL-MOSFET mit ausreichend ähnlichen Daten ein.
H. H. schrieb im Beitrag #8038083: > Dann würden wohl auch 60V MOSFETs reichen, aber selbst da fällt mir kein > LL-MOSFET mit ausreichend ähnlichen Daten ein. Wie wärs mit dem IRLB4030PBF?
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Schaltplan einer MOSFET-Treiberstufe
+15V, D1, UF4004, C1, 47u, R3, 510, Q3, D2, UF4004, R4, 6R8, Q4, V+, Q2, 2k2, R5, Q1, HS-PWM, R1, 2k2, R2, 2k2, Q5, GND
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Gate Treiber diskret
Wenn man anstelle des oberen N-Mosfet einen P-Mosfet verwendet, wird nicht nur die Ansteuerung viel einfacher, sondern man kann außerdem 100% Einschaltdauer machen.
Arno R. schrieb im Beitrag #8036684: > Wenn man anstelle des oberen N-Mosfet einen P-Mosfet verwendet, > wird > nicht nur die Ansteuerung viel einfacher, sondern man kann außerdem 100% > Einschaltdauer machen. Kannst Du mir einen P Mosfet nennen, der 36V Gatespannung erträgt
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Optokoppler
Für höhere Ströme jenseits einiger mA gibt es von Panasonic sogenannte Photo-MOS Relais. Das sind MOSFETs, welche optisch angesteuert werden. Ebenso gibt es MOSFET-Treiber, welche diskrete MOSFETs potentialfrei ansteuern können, ohne eine zusätzliche Hilfsversorgung zu benötigen. PhotoMOS Relais Photoelektrischer MOSFET-Treiber ohne Hilfsversorgung Siehe auch. I2C-Schaltmodul mit Optokoppler MOC3040 zur galvanischen Trennung von I2C-Bus und 230V Netzspannung. Forumsbeitrag: Methoden zur Beschleunigung von Optokopplern
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Rothenberger Presse ROMAX 3000 reparieren
MOSFET durchlegiert.
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10-100Mbit/s Ethernet Verbindung gezielt stören
dachte ich, ich stelle die Frage mal hier. Ich ging davon aus, ich könne die Leitungen mit einem MOSFET über einen Koppelkondensator auf Masse ziehen, um eine Störung hineinzubringen. Ich habe mit einem Raspberry PI Pico und einem selbst designten MOSFET-Treiber und einer Assembler-Funktion einen einstellbaren
Ethernet ist differentiell und erdfrei. Auch wenn Du jewels beide Mosfets ansteuerst sperrt immer ein Deiner Dioden
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Boost Converter mit 1kV Ausgangsspannung
Na sorry, aber 1000V/10mA/10W jage ich durch einen einzigen HV-MOSFET durch, davon gibts heute jede Menge. Irgendwas kaskadieren braucht man da nicht mehr. Und ja, das wird eine diskrete Schaltung, lässt sich aber mit einem einfachen OPV bewerkstelligen. Wenn man
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Schaltplan mit MOSFET und Spannungsteiler
VSYS R5 200K 63mW 1% M1005 3V3 1 3 2 GPIO29_ADC3 Q1 DMG1012T C3 1n M0603 25V X7R 10% R6 100K 63mW 1% M1005
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Mosfet Ersatzteil, Auswahl richtig?
Hallo, ich habe ein Akkuladegerät für V-Mount Akkus bei denen der Mosfet und einige Widerstände und die Sicherung T3.15A defekt sind. Original verbaut ist FQPF12N60C https://www.mouser.com/datasheet/2/149/FQPF12N60C-195465.pdf?srsltid=AfmBOopBSm_L1t6bpTZrc2vjdfHKqWeflYNAU2rzsRfkIs9TXnBeMD59
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Schaltplan mit ProMini, Spannungsregler und MOSFET-Schaltung
Lilon 18650, 1uF, MCP1702-3302, VOUT, GND, VCC, RAW, ProMini, D0/Tx, D1/Rx, RST, GND, D2, D3 PWM, D4, D5 PWM, D7, D8, D9 PWM, CS, D10, A6, GND, A7, A4, SDA, A5, SCL, VCC, A3, A2, A1, CLK, MISO, D12, MOSI, D13, 26k1, 9k09, 0,1uF, LL-P-FET, 562k, N-FET oder NPN, 10k, 3M16, GND
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Stromsparende Schaltung Klimalogger auf Basis Rasp Pi Pico
abstellen, so dass der Energieverlust gegen Null geht. Dazu schaltest du die Batterie mit einem Mosfet ab. Durch den Triggerimpuls wird der Mosfet eingeschaltet und der Pico startet. Über einen GPIO geht der Pico in Selbsthaltung. Ist das Programm durch, kann sich der Pico selbst abschalten indem er
abstellen, so dass der Energieverlust gegen Null geht. > Dazu schaltest du die Batterie mit einem Mosfet ab. Durch den > Triggerimpuls wird der Mosfet eingeschaltet und der Pico startet. Über > einen GPIO geht der Pico in Selbsthaltung. Ist das Programm durch, kann > sich der Pico selbst abschalten
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Wemos 5 LED's über einen GPIO
SMD und Lochraster schließt sich auch nicht zwingend aus. Transistoren, Mosfets, Widerstände, Kondensatoren, Spulen und Dioden die zwischen lötaugen passen gibt es genug. Auch andere Gehäuseformen, sind je nach pinout gar kein Problem. Oder man biegt halt die Beine einfach
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Neue Bauteile: Verstärker, Drucksensoren und Can-Can
suitable for either high-side or low-side rectification. The RVS002 integrates two N-channel MOSFETs and two Schottky diodes in a DFN2*2 package to create a low-loss full bridge rectifier capable of handling up to 3W. A built-in intelligent voltage limiter prevents the output voltage prevents the
power ICs are available with either integrated switches or with a gate drive output for an external MOSFET. These wide input voltage range regulated ICs are unique in having three different feedback modes on the same pin: Primary Side Regulation: where the output is regulated by monitoring the primary side
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LED-Wasserwaage aus Bastelheft
den Hammer (N-Kanal-Monster mit 30A) liegen und nimm einen Schraubendreher (P-Kanal-Logic-Level-Mosfet) zur Lösung der Aufgabe. > müsste somit auch nichts am Sketch ändern. Das dürfte das allerkleinste Problem sein. Denn auch den P-Kanal-Fet wirst du über einen npn-Transistor mit "high" einschalten
passiert, kriegen wir das wahrscheinlich durch einen zusätzlichen Widerstand zwischen den beiden MOSFET hin - quasi als Sanftanlauf. Welcher Wert dazu gut ist, kann ich nicht einschätzen. Ich würde mich da ab 1k aufwärts heran tasten. Hast du ein Oszilloskop, um das zu kontrollieren?
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Website-Fehlermeldung eines Online-Shops
https://www.reichelt.com/ch/de/shop/produkt/mosfet_n-ch_30v_24a_0_0048r_so8-254850 Wir sind gleich wieder zurück Wir erweitern gerade unser System für Sie. Code: myra-500 Sie können aber gerne auch telefonisch bestellen unter: +49(0)4422 955-333 Mo
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Datenblatt JWB19818 Single-Channel Linear LED Driver
JWB19818 Single-Channel Linear LED Driver FEATURES 800V Bridge Rectifier Integrated 500V MOSFET Integrated High-accuracy output current. Over temperature protection. No EMI issues. Low BOM cost. Meet the IEC61000-3-2_2018 standard Meet the requirements of SVM <0.4, Pst_LM <1, DF > 0.7 H SOP-8
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CMS4576 durchgebrannt - Ersatz?
' des Motors. Was ist da das Szenario, was 'durchgebrannt' ist? Ist das typischerweise dann der MOSFET? (zu hohe abwärme?, kurzschlusstrom?) *Ersatztyp dann rein über Specs? https://alltransistors.com/mosfet/crsearch.php?&struct=MOSFET&polarity=N&pd=3.1&uds=30&id=20&ugsth=2.5&qg=16&rds=0.006&caps
Tobias, die MOSFETs sind heute angekommen. Habe dir eben auch eine PN gesendet.
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HP nw8540w startet nicht mehr
da. Hinter den beiden Tantals, kommt die fette L3. Danach kommen die switche. N-Side :4395n - Mosfet 16A P-Side :TPCA8030H Der Schluss ist direkt an den Mossfet's. Dann könnte es immer noch der nvidia-Chip sein. Und das könnte immer noch normal sein.
waren. Karte eingebaut, eingeschaltet. - Lappi springt mit GraKa nicht an. Nun hätte ich nen Mosfet (Q15) auf der GraKa im Visier. Der gegen gnd schaltet. Hier ist ca. 1,8 Ohm gegen gnd. Also, entweder es ist der defekt, oder der Nvidia selbst. Sonst hätte ich keine Ideen mehr.
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LoraWan Projekt Antenne-/Layout
Spezifikation explizit ein langsames Ansteigen der Spannung - genau das Gegenteil von dem, was ein einzelner MOSFET macht (die sind ja auf schnelles hartes Schalten ausgelegt). Probier's aus, mit einem Low-ESR Kondensator der per MOSFET an eine Versorgung geschaltet wird. Mit einem Load Switch hast du ganz simpel
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Symmetrische Spannungsversorgung mit einer Sicherung versehen
Ist mit Vorsicht zu genießen, je nachdem, was die nachfolgende Schaltung daraus macht. Schalt-MOSFETs, die nicht mehr die nötige Ansteuerspannung sehen, werden dann ganz schnell ganz heiß ...
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Großes Bauteil-Konvolut (SMD, ICs, Dioden, Steckverbinder) – Einzelkauf oder Gesamtpaket
dir hier keiner ab, nicht mal ansatzweise, schon gar nicht das Gesamtpaket Meine Rolle von 1000 MOSFET-Treibern wartet seit ca. 3 Jahren auf einen Abnehmer ;-) https://www.mikrocontroller.net/topic/549134#7315420 Selbst die kleine Rolle mit Einzelstückverkauf auch über Ebay hatte überschaubaren
hat im Wesentlichen viele Präzisionswiderstände (0,1%), ein paar Keramikondensatoren, Kleinsignal-MOSFETs und einen 8 Bit bidirektionalen Pegelwander im Angebot, alles in 100er-10.000 Stückzahlen. Los geht's!
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Küchenwaage ohne Funktion
Leiterbahnen zu verfolgen um an mögliche andere Bauteile (Wandler) zu kommen. Vermutlich ist ein Mosfet, Diode oder ggf. ein Kondensator die Ursache. SMD-Bauteile mit 2 oder 3 Anschlüssen lassen sich noch problemlos auslöten. Natürlich kann auch einer der Chips die Ursache sein. Da würde ich, und
langsam immer weiter absinkend über die > nächsten Minuten. Dann ist die Selbsthaltung mit einem MOSFET/Transistor vor dem BL8028 realisiert und funktional. Da Du zuvor einen recht kleinen Widerstand auf der 3,5V Seite gemessen hast wird der Kurzschluss hinter dem BL8028 liegen.
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Suche nach Elektronikbauteil als Öffner
einer Möglichkeit mit einem Elektronik Bauteil einen Öffner zu realisieren. Ähnlich wie einem MOSFET, Optokoppler oder in die Richtung. Ein Relais wäre deutlich einfacher, aber in diesem Fall nicht einsetzbar. Am Vorgesehenen Montageplatz ist zu wenig Platz und er unterliegt Erschütterungen.
Mosfet Verarmungstyp vom prinzip her, ob das jetzt hilfreich ist, kann ich nicht beurteilen.
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IC identifizieren
Bei U10 handelt es sich um einen Schaltregler, bei U6, U5, U7 und U8 meiner Meinung nach um einen MOSFET. Die Bezeichnung an U6, U5, U7 und U8 sind nicht mehr lesbar, aber an U4 welcher meiner Meinung nach der gleiche Baustein ist. Bei U4(Bild U4) ist die Kennzeichnung Y13A 5288B, das Gehäuse ist ein
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Topologie Konstantstromsenke
sind bevorzugt, SMD bis kleinstens SOT-23 geht ebenfalls. Eine Konstantstromsenke mittels OPV und MOSFET halte ich für den geplanten Zweck als zu aufwendig. Themen wie Temperaturkoeffizient sind nicht von vordergründiger Wichtigkeit. Hauptpunkt ist ein möglichst hoher und bis min. 50kHz konstanter
bevorzugt, SMD bis kleinstens > SOT-23 geht ebenfalls. Eine Konstantstromsenke mittels OPV und MOSFET > halte ich für den geplanten Zweck als zu aufwendig. > > Themen wie Temperaturkoeffizient sind nicht von vordergründiger > Wichtigkeit. Hauptpunkt ist ein möglichst hoher und bis min. 50kHz
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Germanium-Halbleiter auf einer Platine fixieren
beginnen. Sie können wirklich, bis auf wenige Ausnahmen, durch modernere Siliziumtransistoren, bzw. MOSFET's ersetzt werden. Interessant wird es hingegen im HF-Bereich, der ja lange Zeit noch von der alten Röhrentechnik dominiert wurde. Die alten klobigen, teuren Röhren können heutzutage gottseidank
Erfolgserlebnissen. Michael H. schrieb im Beitrag #8033906: > ohnehin erst mit einem Silizium-FET oder -MOSFET > möglich, Der erste Transistor soll ja ein FET (JFET?) gewesen sein, vielleicht war der noch mit Germanium gemacht.
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P-Kanal MOSFET/JFET - Wo liegt derzeit max. Ugth und min. Rds_on?
Hallo zusammen, anbei hätte ich eine Frage bezogen auf p-Kanal Typen von MOSFET/JFET. Wo liegen derzeit die Daten für die maximale Spannungsfestigkeit Drain-Source und zweitrangig für kleinen On-Widerstand Drain-Source? Zu finden im Netz wäre zum Beispiel folgender Typ:
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Handgezeichneter Schaltplan mit Transistoren und MOSFET
+5V 10k 10k Q3 S P-Mos NPN G D 0-5V A 470R 470R PNP 10k 10k
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solarmax DC-DC-Konverter, Serienfehler, Hilfspannung
ich das Netzwerk skizziert (SiC-MosFets Ansteuerung, 700V Kreis). Interessanterweise werden die MosFets nur über den Ladestrom einer Kapazität eingeschaltet. Ich habe aber wirklich keinen weiteren Widerstand gefunden. Die beiden antiseriellen Dioden werden Zeners sein. Ich weiss nicht, mit welcher
da solarmax einen 100V-Step-Down genommen hat, wird der wohl die Batteriespannug runterregeln. Mosfets 700V-Seite: SCT2280 50V-Seite: 023N10N Stromsensor 700V: 0.05Ohm-Shunt an den Eingangsklemmen, dann ist nochmal ein LEM CASR6 zwischen einem Brückenzweig und dem Trafo; ebenfalls auf
