600mil ausgelötet 1 x Textoolsockel 32pol. 300/600mil neu 50 x Schottkydioden 1N5817 20V/1A auf Gurt 45 x EPROMs von 2764 bis 27C512 meist programmiert, BIOS-EPROMs 1 x P8042AH 1 x P80C51BH 4 x Metallgehäuse für SUB-D 9pol
für SUB-D 9pol. neu, OVP 9 x SUB-D 15pol. 3reihig (VGA) Stecker/Buchse-Kombi neu 25 x Schottkydioden 1N5817 20V/1A auf Gurt Reingepackt: mehrere 10 Gang Potis + Knöpfe einfache Potis 7 Segmentanzeigen (VQE...) ein paar 3mm Led's viele verschiedene Relais, teils mit Sockel mehrere 1N4148 Netzbuchsen Microtaster
DIS1 EA W204-NLED VCC Zum Schalter LED 4x20 LCD DISPLAY 16 20 Mit Kühlblech X4-2 20x25x3 V+ VCC R - X4-1 5 C8 IC3 8 k D C N D D R 1 D1 100nF 7805T R 4 N C O S / 0 1 2 3 4 5 6 7LCLC GND X2-1 1N5817 1 3 G V C R R E D D D D D D D D N N DIS1_LED- C + VI VO C9 1 2 3 4 5 6 7 8 9101 1 1 1 1 1 V X2-2 GND E GND SV2-1 SV2-16 DIS1_LED- 1 X2-3 2 100nF 0 e S VCC SV2-2 SV2-14 VCC 5 o 1 k DIS1_VEE DIS1_VEE DIS1_RS SV2-4-3 SV2-13 DIS1_D7 DIS1
misst. > Bypassdiode: prinzipiell ja, Schottky mit niedrigen Vf besser. OK, habe eben noch paar 1N5817, 1N5818 und 1N5819 gefunden > Panel: die Leistung bezieht sich immer auf den Quadratmeter und die > volle Einstrahlung. Praktisch liegen Welten dazwischen. Ist auch nur erst mal ein Versuch
eigentlich nur bei LED-Drivern, wenn man die Versorgung/ Eingang vermurkst :) Ich würde vorschlagen Cin 1uF Keramik/Tantal. Cout 1-2.2uF Elko/Tantal und langsam bis 10uF erhöhen. Den dicken Elkopuffer + 100nF Kerko in die Nähe des ESP, an seinem Vcc. Er ist ja der hungrige.
kamen mindestens 10 Jahre zu spät. Tim 🔆 schrieb im Beitrag #7659578: > Peter H. schrieb: >> 0,1mA > 0,1CmA. Unübliche Schreibweise, man sagt 1/10C oder 0,1C ohne mA. Diese 0,1C wären ein sinnvoller Wert für 14 Stunden Ladung, aber keinesfalls für längere Zeiten. Wenn jemand meint, 1/10C
fließt. Bei den diskret aufgebauten Solarlechten fallen ja schon 0,5V über die 1N5817 ab. Ich gehe davon aus, dass auch in dem von mir verwendeten YX8050 eine gewöhnliche Schottky-Diode enthalten ist.
IKEA Ribba schwarz oder weiss (5.-), Die Folie bei folienplot24 (1Stück: 25.-, 2Stck 30.-). 1N4148 als level-shifter missbraucht (die bleibt eh übrig). Lichtgitter aus Pappe selbst zuschneiden oder 3D druck Lichtabhängiger Widerstand als Lichtsensor (kann man auch
riskant. Theorie: Maximal "Es ist dreiviertel Sieben" 26 Zeichen, bei voller Helligkeit 0.06A ergibt 1,56A. Praxis: bei voller Helligkeit habe ich max. 1.2A gemessen. Das kann ein USB Netzteil mit 1A (siehe Anleitung) schon ab. Eingebaute Diode: 1n5817 (average rectified output current 1.0A) die
wird mir aus dem Datenblatt nicht wirklich klar, wo > jetzt der große Unterschied ist. Beim lt3045-1 scheint das HIGH bei > 1,24V zu sein. Ist dann hier das darunterfallen mit einem LOW zu > verstehen? 1,24V ist die Schwelle zum Einschalten. Aus geht er danach bei 130mV weniger (steht direkt darunter
einmal die Spannung etwas runter - als Emulator für den Spannungsregler, in der Wertetabelle eine 1N5817 mit 0,45V Verlust (etwas mehr als der Regler hat). Daneben habe ich einen Spannungsteiler, der so gewählt ist, dass die Spannung unter der, der Diodenlinie liegt - bis zu dem Punkt, wo der Spannungsregler
noch Zeit, Dir diese Bauteile gegen Portoerstattung anzubieten. Im Angebot hätte ich aber noch SD103, 1N5817, SS14, SK24, SK34, SK54 und, wenn garnichts anderes mehr geht, auch SK84 ;-) Bezüglich der Treibertransistoren gäbe es alternativ noch BSS84, AO3400 oder AO3401, die sich zu Pfennigsbeträgen für
100nF oder mehr. > > 4,7 nF steht in der Application Note > http://ww1.microchip.com/downloads/en/appnotes/atmel-1619-emc-design-considerations_applicationnote_avr040.pdf > Seite 18, daran habe ich mich
interessant sie bei "globalen" Händlern zu bestellen, also keine Choice-Angebote. Z. B. habe ich 1N5817 und 1N5819 bestellt, zwei verschiedene Artikel in mehrfacher Menge, selbe Warengruppe. Das wurde an der Kasse korrekt berechnet. Also nur 1x 3€. Dann habe ich testweise einen Mosfet hinzugefügt,
Marek N. schrieb im Beitrag #8070673: > So wie ich verstanden habe, ist die Sendung noch vor dem 1. Juli in der > EU gelandet und wird daher noch nicht von der Regelung betroffen sein? Yep, noch vor dem
diode is connected to VDD and the cathode of the diode 1N5817 or similar is connected to VPP. Any low current, high voltage diode, Suggested Power Up/Down Sequence such as a 1N4004, will be adequate. The second diode is a Schottky diode across VNN and DGND
KudpUkr8QjYATPvz2jph2YA58IL4MAGYAhgCuADYALn58GHaGoiiBWRFRcUmpXEJB+lQuYjCQkrQyKKSkeDWGWCiacmwA7k58AuV9rt29YcGBo1DDOY4T06ai2j0hZaUTi+mZRqV52nqr4Uoz4eZwbGCEmSYTh4P5MQkpTIkM-hBe1eznl8H9N3l2BQeySeL3AVXENWGpUqN0q2iUYgAYm8IfAaqiauiWCAAMKxAAOsQ4AEtkrEAHYcBhsIA Vorteile: - Redundanz - Weniger Verluste an den Dioden
470 Ohm, eine Zenerdiode ?V, drei Schottkydioden 1N5817 und drei LEDs mit je 10 Ohm Vorwiderstand.Schaltbar mit einem Taster ist eine LED, oder alle drei LEDs.Den LEDs ist noch eine Plastiklinse vorgesetzt.Die Platine ist aufs Jahr 2003 datiert.
SUPPLY CURRENT SUPPLY CURRENT vs. TEMPERATURE vs. TEMPERATURE vs. SUPPLY VOLTAGE (NO LOAD) 20 0 0.40 0 1.8 0 - - - 18 X 0.35 X 1.6 X VIN 5.0V M M M A 16 A 0.30 ( ( A 1.4 N 14 N ( R R 0.25 T 1.2 U 12 U E f = 100kHz C C 0.20 R 1.0 L 10 L VIN 5.0V C P P 0.15 Y 0.8 U 8 U P f = 25kHz N N 0.10 U 0.6 D 6 D S S
n EPC / Notebook Car Adapter n Automotive and Industrial Boost / Buck-Boost / Inverting Converters n Portable Electronic Equipment Figure1. Package Type of XL6009 Rev 1.1 www.xlsemi.com 1 XL6009 400KHz60V4ASwitchingCurrentBoost
n EPC / Notebook Car Adapter n Automotive and Industrial Boost / Buck-Boost / Inverting Converters n Portable Electronic Equipment Figure1. Package Type of XL6009 Rev 1.1 www.xlsemi.com 1 XL6009 400KHz60V4ASwitchingCurrentBoost
3 2 1 0 C N { O C C D 0 { N E E N C VCC_{d} OVP B B B B B N G ~ I V S S A ~ G L L G N +3V3 } } 1 } } GND J ~{SS} P P P P P VCC 1 1 1 1 1 9 8 7 6 5 4 3 2 1 { { D { { 4 U3_{d} N 2 1 J1_{d} J3 C23 d C 2C G 3
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t o r f R5 p 1 l 10k J P PAD2 R6 1 2 R4 Sol+ IC110k 68 + 1 3 R3 1 A RESET PB4 G A (CLOCK)PB3 2 68 - (SCK)PB2 7 R2 8 VCC (MISO)PB1 6 + A 4 GND (MOSI)PB0 5 68 G A R1 PAD1 1N5817-B - TINY45 68 Sol- D1 r 1 2 d P a J t LED1 LED4 LED5 LED8 LED9 LED12 o b i - 1 LED2 LED3 LED6 LED7 LED10 LED11
t o R7 R5 r f LDR 10k p 8 5 1 l R 1 J P PAD2 R6 1 2 R4 Sol+ IC110k 68 + 1 3 R3 1 A RESET PB4 G A (CLOCK)PB3 2 68 - (SCK)PB2 7 R2 8 VCC (MISO)PB1 6 + A 4 GND (MOSI)PB0 5 68 G A R1 PAD1 1N5817-B - TINY45 68 Sol- D1 r 1 2 d P a J t LED1 LED4 LED5 LED8 LED9 LED12 o b i - 1 LED2 LED3 LED6 LED7 LED10 LED11
Selbstentladung Motorradbatterie mit Shuntregler
Achtung, R3/R2 entladen bei Stromausfall mit 0.4mA!
T1 erreicht ohne Batterie, also Leerlauf 60°C auf meinem Testboard. Das geht also noch in Ordnung! Im Betrieb der Schaltung ist es weniger!
R3 = 22k + 4.7k Trimmer
13.4V
15V/1A Netzteil
F2, 1A
1R
D2
33R
46mA
0.4mA
1.8mA
NSCW100
R5
6.8k
R1
1mA
1k
S
24.8mA
G
TL431
U1
T1
FDC638P
T1 ist bei BSP316
Jeder P-Channel der 1W abkann sollte gehen.
D
13.1V
1N5817
SS16
F1, 1A
1R
Bei Leerlauf/voller Akku fliessen 56mA in die
XL6009E1 XL6009E1 Tube XL6009TRE1 XL6009E1 Tape & Reel XLSEMI Pb-free products, as designated with “E1” suffix in the par number, are RoHS compliant. Absolute Maximum RatingsčNote1Ď Parameter Symbol Value Unit
Oscillator Frequency Fosc 127 150 172 Khz Switch Current Limit IL VFB =0 3 A High (Regulator OFF) 1.4 EN Pin Threshold V EN V Low (Regulator ON) 0.8 V FBV Output Saturation Voltage V CE SW =2A 1.1 1.4 V Constant current sense V 0.140 0.155 0.170 V Voltage CS Rev 1.2 www.xlsemi.com 5 Datasheet 2A 150kHz
neulichst gelesen dass es in den USA mehr als ein Dutzend Brücken gibt die jeweils zwischen 500Mio und $1.1Mrd gekostet haben! Also Geld für Verkehrswege ist offensichtlich da.
neulichst gelesen dass es in den USA mehr als ein Dutzend Brücken gibt die jeweils zwischen 500Mio und $1.1Mrd gekostet haben! Also Geld für Verkehrswege ist offensichtlich da.
MBRAF440, NRVBAF440 TYPICAL CHARACTERISTICS 10 10 D D R R A A R ) R ) O P O P F M F M U ( U ( O T O T E N1 TJ= 125°C E N 1 A R A R TJ= 125°C N R N R A C A C S S TJ= 100°C I I F F I T = 25°C T = −55°C I T = −55°C 0.1 T J 100°C J J 0.1 TJ= 25°C J 0.10 0.20 0.30 0.40 0.50 0.60 0.10 0.20 0.30 0.40 0.50 0.60
MBRAF440, NRVBAF440 TYPICAL CHARACTERISTICS 10 10 D D R R A A R ) R ) O P O P F M F M U ( U ( O T O T E N1 TJ= 125°C E N 1 A R A R TJ= 125°C N R N R A C A C S S TJ= 100°C I I F F I T = 25°C T = −55°C I T = −55°C 0.1 T J 100°C J J 0.1 TJ= 25°C J 0.10 0.20 0.30 0.40 0.50 0.60 0.10 0.20 0.30 0.40 0.50 0.60
Collector−Emitter Saturation Voltage http://onsemi.com 2 BD135G, BD137G, BD139G TYPICAL CHARACTERISTICS ) 1.2 ( 1.2 E C BI = 10 G VCE = 2 V V1.0 T 1.0 E ( −55°C O T G V −55°C I A0.8 N 0.8 E L 25°C O 25°C − O R S V0.6 T 0.6 A O 150°C I ) T M 150°C a A0.4 − 0.4 E U S B T A V S0.2 , 0.2 n E 0 B 0 0.001 0.01 0.1 1 10 V 0.001 0.01 0.1 1 10 IC, COLLECTOR CURRENT (A) IC, COLLECTOR CURRENT (A) Figure 3. Base−Emitter Saturation Voltage Figure 4. Base−Emitter On Voltage 1000 10 f = 1 MHz ) ( 0.1 ms ) C ib T 5 ms p N
CURRENT (A) Figure 1. On-Region Characteristics. Figure 2. On-Resistance Variation with Drain Current and Gate Voltage. 1.6 0.15 I = -4.5A D I = -2.2A C V GS= -4.5V ) D N1.4 M 0.12 T H E I ( I S C L R1.2 N 0.09 M -N T R
5.20 B 0.170 0.210 4.32 5.33 C 0.125 0.165 3.18 4.19 D 0.016 0.021 0.407 0.533 X X D G 0.045 0.055 1.15 1.39 H 0.095 0.105 2.42 2.66 G J 0.015 0.020 0.39 0.50 H J K 0.500 --- 12.70 --- L 0.250 --- 6.35 --- V C N 0.080 0.105 2.04 2.66 SECTION X−X P --- 0.100 --- 2.54 1 R 0.115 --- 2.93 --- N V 0.135
N L E R 0.6 A - R M N2.2 U O O 3.0V C 2.5V N C1.8 I 0.4 N R 3.5V R S O 4.0V , D -1.4 4.5V ID R I 6.0V 0.2 2.0V A D 1 10V 0 0.6 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 VDS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V) D, DRAIN CURRENT (A) Figure 1. On-Region Characteristics. Figure 2. On-Resistance Variation with Drain Current and Gate Voltage. 2 4.1 E I = 110mA C1.8 ID= 220mA ) D N VGS= 10V M3.5 T O E I1.6 ( I S C2.9 L R N o M N1.4 T TA= 125
2 MMSD4148, SMMSD4148 100 ) A ( N R 10 R C TA= 85°C TA= -40°C D A W O 1.0 , IF TA= 25°C 0.0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 VF, FORWARD VOLTAGE (VOLTS) Figure 2. Forward Voltage 10 TA= 150°C A ( 1.0 TA= 125°C T E R C TA= 85°C E 0.1 R E E TA= 55
A 3 ) VIN 2.4V ) ( % 80 % 80 V IN1.2V T Y Y E N N R TA= +85°C I 70 V = 1.2V I 70 VIN 0.9V C 2 I IN I R E E E 60 60 A B 1 TA= +25°C 50 PFM 50 PFM PWM PWM TA= -40°C 40 40 0 0.1 1 10 100 1000 10,000 0.1 1 10 100 1000 10,000 0 1 2 3 4 5 6
, t = 300dm0.02. 120 V = 10 Vdc T = +125°C CE 100 J A G 80 N E R 60 25°C C C , 40 F h -55°C 20 0 0.1 1.0 10 100 IC, COLLECTOR CURRENT (mA) Figure 1. DC Current Gain www.onsemi.com 2 PZTA42T1G 100 Ceb 1MHz ) p E 10 C A C A A , 1.0 Ccb 1MHz C 0.0.1 1.0 10 100 1000
80 200 T = 150°C T N J A 70 A ( T 100 N 60 N 25°C T R P 50 U 50 S MJE3055T C -55°C D 40 D 30 R MJE2955T ,E 20 E 30 hF O , 20 10 P 10 5.0 0 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 0 25 50 75 100 125 150 175 IC, COLLECTOR
: Pulse Width = 300 ms, Duty Cycle 2%. http://onsemi.com 2 MBR0520LT1G, SBR80520LT1G, MBR0520LT3G, SBR80520LT3G S 10,000 P ( T 1 ) E A R ( U N TJ= 100C D R R R W T = 100C 75C 25C -25C C 1000 R J S F 0.1 R U V O R N ,R T I 75C A S I 0.01 iF 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 1000 5 10 15 20 25 vF, INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (VOLTS) VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS) Figure 1. Typical Forward Voltage Figure 2. Typical Reverse Current 200 100 A TJ= +25C F 150 ( 10 ( N E R N R I 100 C 1 A E A R C V C R -25C 50 R 0.1 I 0 0.01 0 5 10 15 20 25 0 5 10 15 20 25 VR, REVERSE VOLTAGE
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