transmit and receive signals. The cable connecting these circuits has a characteristic impedance of 75 Ω. To prevent reflections, which cause distortion and ghosting, the input and output circuit im- pedances must match the 75 Ω cable. Matching the input impedance is simple for a noninverting amplifier
Uebertragungsart in der Praxis, die das so macht. Da ist eher sowas wie 8b10b (und Nachfolger), tm(ds), biphase, oder irgendwelches "scrambling" angesagt. > Meine Erfahrung aus der Software-Entwicklung ist zumindest, dass es > sinnvoll ist, kleine aber vollständige Schritte zu gehen. > Ob das auf
ein Multimeter geklemmt und bin auf 81,3 Ohm gekommen. Vermutlich sind es in der Realität dann eher 75 Ohm, das würde zumindest dazu passen, dass im Netz bei diesen EIB-Kabeln eine "Schleifenimpedanz" von 75 Ohm angegeben wird. Ist das dann die Impedanz, die man für den Abschlusswiderstand wählt? Oder
TDS3014B holen und anschauen: https://www.eevblog.com/forum/repair/tds3014-adventures-(seeking-75-75mhz-oscillator)/125/ Die CPU ist ein MPC860 unter VxWorks, also nicht so schwer zu analysieren. BDM scheint bei dem Gerät ebenfalls zugänglich zu sein, man könnte also bei Bedarf sogar die Firmware
tds3032/ > https://www.eevblog.com/forum/testgear/tds-1000-2000-3000-bw-hack/ Kommt bald Rüdiger....ds
darüber gemacht: https://thecavepearlproject.org/2024/10/22/setting-accurate-rtc-time-with-a-gps-the-ds3231-aging-offset-to-reduce-drift/ Hier ist der Code dazu: https://github.com/EKMallon/DS3231-utilities Ich habe die drei Programme erfolgreich benutzt um meine DS3231-Module zu kalibrieren.
Flankenzählen für einen normalen Uhrenquarz auszureichen, für den DS3231SN könnte man noch die Bruchteile der 32KHz Impulse am Anfang und Ende des 60 GPS Sekunden Intervalls berücksichtigen.
GS0V, I =D0A - 3.3 4.3 R DS(on) note3 mΩ V GS.5V, I D20A - 5.4 7.5 Dynamic Characteristics C iss Input Capacitance V =20V, V =0V, - 5595 - pF C oss Output Capacitance DS GS - 411 - pF f=1.0MHz C rss Reverse Transfer Capacitance
1.5inch_RGB_OLED_Module_Schematic.pdf https://www.waveshare.net/w/upload/3/36/1.5inch_RGB_OLED_Module_DS.pdf Beim Studium dieser Dokumente sind mir mehrere Diskrepanzen zwischen Schaltplan und Datenblatt aufgefallen: 1. Laut Datenblatt ist VCI der Spannungsversorgungspin für die innere Logik des Displays
Kondensator zur Masse. 4. In den "Absolut Maximum Ratings" ist die Spannung an VDD mit maximal 2.75V spezifiziert. beschaltet ist er jedoch fest mit 3.3V. Allerdings cheint der zugrunde liegende Controller SSD1351 hier 3.3V zu vertragen. 5. Betrifft mich zwar nicht, ist aber trotzdem auffällig:
Tür länger offen steht. Elegant fände ich es, das PWM-Signal über einen MOSFET zu schalten, max. 75W Leistung erlaubt das Fahrzeug-Steuergerät für die Lampen. Wenn der Freigabeschalter für die Wohnraum-Elektrik also geöffnet ist, soll das PWM-Signal durchgeschaltet sein, um Licht im Laderaum zu haben. Ich habe hierzu den P-Kanal-MOSFET IRF5305PbF ins Auge gefasst (V_DSS = -55V, R_DS(on) = 0.06Ω, I_D = -31A, V_GS = ± 20V, V_GS(th) = -2 bis -4V). Nur kenne ich mich mit der Schaltungstechnik noch nicht besonders aus. Kann ich das so machen? Ich habe mich etwas eingelesen und sehe
www.dse-faq.elektronik-kompendium.de/dse-faq.htm#F.8 Oder wie wäre es in teuer? https://media.distrelec.com/Web/Downloads/_t/ds/rcd24_eng_tds.pdf (beachte Seite 4 unten) Wie gesagt: das ist kein Hexenwerk. Man kann das bauen, aber man lernt dabei nur den Stand der Technik von vor 10 Jahren kennen. Es schön und sicher und
Ersatzakkus auf dem Markt geben. Preis tu ich mir ein bisschen schwer, eine kurze Suche hat Preise von 75-250€ ergeben, ich würde mal 80€ + Versand als VHB vorschlagen. Bei Fragen oder Interesse -> PN Viele Grüße, Hermann
auf der Spur? > Meine Güte. Ja, nachdem ich mal eine Anzeige am Hals wegen Hehlerei (Nintendo 3DS) hatte, bin ich da ganz vorsichtig geworden. Entschuldigung das man da mal nachfragt. Verstehe dein Problem nicht ganz?! Meine Güte...
404er Webseiten (was du dann bestätigt hast) ich kann nur sehen was mir bekannt ist. wenn die SN75er chips bei mir auf dem Board sind (schlecht lesbar) weiß ich ja nicht wie es bei dir aussieht, ausserdem stehe ich dazu im Fehlerfall die SN75er tauschbar auf DIL Adapter im DIL Sockel wäre wartungsfreundlicher. Was ist nun bei dir bestückt mit oder ohne SN75? wir sollten an besserer Kommunikation arbeiten ;-)
Spannungsteiler für das N-FET Gate. Wenn die -18°C Luft vom offenen Türspalt den Widerstand erhöht (15°C 0,75M, -5°C 2M4) wird der Fet langsam durchgeschaltet.
68 digitized by the ADC of the microcontroller, if the chosen controller has enough analog inputs (dsPIC33EP128GM304). Otherwise, a temperature monitoring is not possible (dsPIC33EP32MC204). Because the output voltage of the divider is strongly non-linear, the microcontroller must linearize the TmpA,
es ist. Praxis: schau in ein Datenblatt von einem Konkreten IC. z.B. https://www.ti.com/lit/ds/symlink/sn74hct74.pdf Das siehst du, das th= 0ns ist.
von Bradward würde dem Stile der aktuellen KIs entsprechen. Im Moment geht meine Einschätzung zu 75% für KI und 25% gegen KI. Ich denke, man kann sich mit dem Gedanken vertraut machen, dass sich zunehmend ChatBots in den Foren herumtreiben. edit: Typo
-s S Gf RD 100 0.005 0 0.00 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 0 15 30 45 60 75 90 D - Drain Current (A) D - Drain Current (A) Transconductance R DS(on)vs. Drain Current 2500 10 VDS= 15 V Ciss ) 2000 ( 8 ID= 21.8 A e F a ( o VDS = 24 V c 1500 V 6 n c i u a S a t C 1000 e 4 - a C
Meistens ist leider nicht der Typ drin HY2112-HB 3.65±0.025V 2.50±0.05V sondern der mit 3,75 und 2,0V als Grenzen. Als Tiefentladeschutz kann man daher noch einen TP4056 mit D01 noch zusätzlich dazwischen schalten. Wobei ich das auch noch für den TO als nicht einfach genug betrachte.
Power MOSFET Description The UMW IRL540N uses advanced trench technology and design to provide excellenDS(ON)ith low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● V DS = 100V,D =30A RDS(ON)< 28mΩ @ V GS0V (Typ:24 mΩ) Schematic diagram ● Special process technology for high
Leakage GSS VGS = ± 10 V - - ± 100 nA V = 100 V, V = 0 V - - 25 Zero Gate Voltage Drain Current I DS GS μA DSS V = 80 V, V = 0 V, T = 150 °C - - 250 DS GS J VGS = 5.0 V D = 17 Ab - - 0.077 Drain-Source On-State Resistance R DS(on) Ω VGS = 4.0 V D = 14 Ab - - 0.11 Forward Transconductance gfs VDS = 50
. ein Computer mit > 1000,- Netto, der im Oktober 2023 angeschafft wurde, muss mit 25% in 2023 und 75% in 2024 angesetzt werden. Welche Erfahrungen habt ihr mit eurem FA gemacht? Akzeptiert es die Vollabschreibung? Hier kommentiert Haufe, dass ein PC, der in DEZ 2021 angeschafft wurde, komplett
Noch besser ist Barzahlung mit Skonto - Da gehen nochmal 5% von ab: https://www.dj-technik.de/JUNO-DS76 Als GWG unter 800,- sofort absetzbar. Nach UST und gesparter EKST real <300,-
IRFHS8342PbF HEXFET Power MOSFET V 30 V TOP VIEW DS V GS max ± 20 V D R DS(on) max D 1 6 D D 16.0 mΩ D G (@V GS = 10V) D 2 D 5 D Q g(typical) 4.2 nC D (@V = 4.5V) D S GS G 3 S 4 S S I D 8.5 d A 2mm x 2mm PQFN (@T c(Bottom) 25°C) Applications • Control
On-Resistance Vs.Temperature IRF4905 7000 V = 0V, f = 1MHz 20 I = -38A C GS = C + C , C SHORTED D iss gs gd ds ) 6000 C rss= C gd ( ▯VDS = -44V C oss= C ds+ C gd e16 V = -28V ) a DS F 5000 o ( C▯iss V c e12 n 4000 r i C▯ o a oss - p 3000 t C t 8 , a C 2000 G Crss ,S G4 1000 - FOR TEST CIRCUIT▯ 0 A 0 SEE FIGURE
Wartezeit gemeint ist? Wann wird denn angefangen zu warten und auf was? Hier ist Screenshot von BA Rigol DS1102. Wenn es geht mit einem Beispiel.
Pulsen ist bei mir ca. 118ms. Wenn ich die "Wartezeit" 120ms einstelle dann triggert es brav auch 75 Puls von Anfang an. Wenn ich die "Wartezeit" weniger als 118ms einstelle, dann wird alles, was bis Ende dieser Pause passiert ist, ausgelassen. Gezählt wird dann 75 Pulse ab ersten Puls nach der Pause
werden, > wenn dreistellige-mA Last gefordert sind. Das dürfen sie auch laut USB-Spezifikation. 4,75-5,25V. Also wird man sinnvollerweise ein USB-Netzteil im Leerlauf 5,25V ausspucken lassen. > Falk B. schrieb: >>> Das finde ich ungehörig, ich versorge externe Lasten nicht über den >>> Nano. Wenn
microchip.com/downloads/aemDocuments/documents/APID/ProductDocuments/DataSheets/MCP1825-Family-Data-Sheet-DS20002056.pdf Seite 3. Ich bevorzuge die MCPs gegenüber LM1117 etc, weil der Mittelpin und die Kühlfahne dort auf GND liegen und ich das besser an eine GND-Plane anbinden kann, um die Wärme abzuleiten
MOSFET GENERAL DESCRIPTION The SFS0405T4 uses advanced trench technology and design to provide excellentDS(ON)ith low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. FEATURES ◆ N-CHANNEL V DS0V,I D7A R DS(ON)2mΩ(TYP@V =10GS R DS(ON)8mΩ(TYP@V =4.GS) ◆ P-CHANNEL V DS40V,I D-5.5A R DS(ON)5mΩ(TYP
)verstärkung laut LNB-Hersteller von 55dB ergibt einen Eingangspegel von -115dBm. Umrechnungen von 75 zu 50 Ohm habe ich nicht berücksichtigt, die dürften kaum auffallen. Ist das normal, oder zu wenig?
nicht zu oft zwischen Keller und Dach hin und > herklettern muss. Eines kurzschließen eines mit 75R Abschlußstecker versehen. Dann erkennt man am Dachboden schon zwei von vier. Wenn man Krokokabel und verschiedene Widerstände hat, geht es auch auf einmal.
device integrates 100mΩ 4A Peak Output Current MOSFETS that provide 3A of continuous load • Wide 4.75V to 23V Operating Input Range current over a wide operating input voltage of • Integrated 100mΩ Power MOSFET Switches 4.75V to 23V. Current mode control provides • Output Adjustable from 0.925V to 20V
of Analog IC Technology DESCRIPTION FEATURES regulator. The device integrates two 130mΩk Wide 4.75V to 18V OperatinO Input Range current over a wide input voltage of 4.75V to Output Adjustable from 0.923V to 15Ves transient response and cycle-by-cycle currentast Programmable Soft-Start limit.
Ich finde den Link nicht. War ein Reparaturbericht von einem DS411 slim, daß durch die leere Batterie, ohne physikalische Schäden, das OS verlorengeht und dadurch das blaue Dauerblinken einsetzt. Soweit ich das verstanden hatte, muß man mit mächtigem Voodoo dann
Reference Noise Voltage DS005652-45 DS005652-46 DS005652-47 Minimum Supply Voltage Output Saturation Typical Stability Range DS005652-48 DS005652-49 DS005652-50 Typical Applications (Note 10) (Pin numbers are for devices in 8-
RILIM= 20 kW, e T = 25°C n 125 DRV Package 16 A t s m e - 14 e 100 s t n 12 - DBV Package p n e O 75 R 10 r i u i S t 8 i 50 n r r D u 6 t C t 4 - 25 o D 2 r 0 -50 0 50 100 150 0 T J Junction Temperature - °C 0 1.5 3 4.5 6 Peak Current - A Figure 15. Current Limit Response – µs Figure 16. MOSFET r DS
J o A30 D I 1 20 0.9 10 0.8 0 -50 -25 0 25 50 75 100 125 -50 -25 0 25 50 75 100 125 Temperature (°C) Temperature (°C) Drop-Out Voltage vs. Temperature Adjust Pin Input Current 5 of 14 ZLDO1117 July 2012 Document number: DS32018 Rev. 6 - 2 www.diodes.com
Recommended Operating Conditions Symbol Parameter Conditions Min Max Unit V Supply voltage: 5.0 V 4.75 5.25 V CC VCCO Output supply voltage: 5.0 V 4.75 5.25 V VCCO Output supply voltage: 3.3 V 3.0 3.6 V V Input voltage 0 V V I CC VO Output voltage 0 VCCO V TA Operating temperature For commercial use 0
CH340N/CH340K/CH340E/CH340X/CH340B is less than 1.2%" https://cdn.sparkfun.com/assets/5/0/a/8/5/CH340DS1.PDF
Sparkfun steht: Beim Hersteller gibs schon ein neueres DB: - https://www.wch-ic.com/downloads/CH340DS1_PDF.html > the baud rate error ... of UART transmission ... CH340N ... less than 1.2%" Das passt aber nicht zu den Messwerten, von denen Ralph S. schrieb im Beitrag #7749799: > Die für mich
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