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BJTransistor_2N2222A.pdf
V VCEO collector-emitter voltageopen base 2N2222 − 30 V 2N2222A − 40 V C collector current (DC) − 800 mA Ptot total power dissipation Tamb≤ 25 °C − 500 mW hFE DC current gain C = 10 mA; CE = 10 V 75 − T transition frequency C = 20 mA; CE = 20 V; f = 100 MHz 2N2222 250 − MHz 2N2222A 300 − MHz off turn-off
in „DC DC Verstärkung“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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2N2222_2222A.pdf
V VCEO collector-emitter voltageopen base 2N2222 − 30 V 2N2222A − 40 V C collector current (DC) − 800 mA Ptot total power dissipation Tamb≤ 25 °C − 500 mW hFE DC current gain C = 10 mA; CE = 10 V 75 − T transition frequency C = 20 mA; CE = 20 V; f = 100 MHz 2N2222 250 − MHz 2N2222A 300 − MHz off turn-off
in „Transistor mit Basistrom im µA-Bereich schalten?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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2n2222-datasheet.pdf
V VCEO collector-emitter voltageopen base 2N2222 − 30 V 2N2222A − 40 V C collector current (DC) − 800 mA Ptot total power dissipation Tamb≤ 25 °C − 500 mW hFE DC current gain C = 10 mA; CE = 10 V 75 − T transition frequency C = 20 mA; CE = 20 V; f = 100 MHz 2N2222 250 − MHz 2N2222A 300 − MHz off turn-off
in „Oszi v. SUN Motortester zeigt nur kurz einen Punkt.“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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BT137-800.pdf
MAXIMUM RATINGS ( Ta = 25 ℃ ) Parameter Symbol Typ Unit Repetitive peak off-state V DRM voltages V RRM 800 V RMS on-state current I 8.0 A T(RMS) Non-repetitive peak 1 2 3 on-state current TSM 65 A 1: T1 Max. Operating Junction T j 110 ℃ 2: T2 Temperature 3: G Tab:T2 TO-220 Storage Temperature Tstg -45~150
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IRMS6400.pdf
• Cupertino, CA (formerly Siemens Microelectronics, Inc.IRMS6400/IRMT6400 www.infineon.com/irdt • 1-800-777-4363 4 May 18, 1999-13 Figure 3. Infrared Reflow Soldering Profile 300 250 Maximum 240(+5/–0) °C ) 210°C C ( 200 e u a r 150 p m e 100 30 s minimum 30 s minimum T 50 60 s minimum 0 0 50 100 150 for
in „[V] Konvolut IRDA Bauteile 4x IRMS6400 und Decoder 6x HSDL7001 (10€)“ · Markt ·
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IRMS6400.pdf
• Cupertino, CA (formerly Siemens Microelectronics, Inc.IRMS6400/IRMT6400 www.infineon.com/irdt • 1-800-777-4363 4 May 18, 1999-13 Figure 3. Infrared Reflow Soldering Profile 300 250 Maximum 240(+5/–0) °C ) 210°C C ( 200 e u a r 150 p m e 100 30 s minimum 30 s minimum T 50 60 s minimum 0 0 50 100 150 for
in „[V] Rolle mit IRDA 4 Mb/s Infrared Data Transceiver Infineon IRMS 6400“ · Markt ·
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3454fa.pdf
1200 2.3 VIN= 3.6V TA= 25°C 1100 1100 2.2 )1000 )1000 ) V V ( 2.1 VINRISING ( 900 ( 900 L D D O 2.0 O 800 O 800 S S S VIH R 1.9 R 700 R 700 T 1.8 H VIH T 600 VIL O V FALLING E 600 V E V 1.7 IN B 500 IL B 500 U N N 1.6 E 400 E 400 1.5 300 300 1.–55 –35 –15 5 45 85 105 125 200 200 25 65 –55 –35 –15 5 25 45
in „Gibt es Buck-Converter, die einen regelbaren Konstantstrom liefern?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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Eurotec.pdf
Price and specifications subject to change without notice. • All units ex-stock delivery. E U R O T E C - T H E E U R O P E A N A D V A N T A G E 8 C A S E O U T L IN E D R A W IN G S LetterEoverPin2 TOPVIEW TOP VIEW NOTE: Odd coloured bead indicatespin 4. NOTE: Vdd coloured bead indicates pin 1. Pin
in „Distributor für M/A-COM in Deuschland“ · HF, Funk und Felder ·
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4121_60503B.pdf
canacceptwiregaugesuptoAWG#4(22mm).Theyrequireno Transient Response A toolstotighten,makingtheconnectionsquickandeasy. T B Mainframe Products Constant Resistance The6050A1,800-Wand6051A600-Welectronicloadmainframes Characterizing C accepttheuser-installableloadmodulesforeasysystemconfig- V Power Supplyy Crossover urationandfuturereconfiguration
in „Elektronische Last EA-EL 200“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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2Gb_1_35V_DDR3L.pdf
address/command inputs and the other V IH(AC)value may be used for data inputs. For example, for DDR3L-800, two input AC levels are defined: VIH(AC160),mind V IH(AC135),minorresponding V IL(AC160),min V IL(AC135),minFor DDRL-800, the data in- t t puts must use either VIH(AC160),minth IS(AC160) of 90ps or
in „DDR3 Datenblatt richtig lesen“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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U4224B.pdf
pulse width 500 ms t500 740 800 ms 800 TCO pulse width 800 ms Delay compared with the transient of the RF signal: ts 45 80 ms drop down (start transition) te 20 45 ms rise (end transition) 6 (17) TELEFUNKEN Semiconductors
in „DCF - Anschlüsse“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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P228_NEP_2037_2045_V2023_Anhang_2E_Aktual_Apr.pdf
erweitern (Netzverstärkung). Darüber hinaus ist die Schaltanlage in Liedingen (Gemeinden Vechelde; siehe M800) um zusätzliche Schaltfelder zu erweitern (Netzverstärkung). Das Projekt steht im Zusammenhang mit P33 M24b. Ebenfalls Teil des Projektes ist die Maßnahme TTG-P228 M800, die sich bereits in der Planfeststellung
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changes.asm
======= S U B R O U T I N E ======================================= .text:0002E908 .text:0002E908 ; Attributes: bp-based frame .text:0002E908 .text:0002E908 FpgaSel800M1G_x ; CODE XREF: FpgaSel800M1G+8 .text:0002E908 STMFD
in „Tekway/Hantek/Voltcraft MSO“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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Messungen eines BT139 Triacs mit einem Bauteiltester und Datenblatt
IR Triac A1 2 UF=0.75U A2 1 K 1 T7 multi-function Tester IR Triac A1 2 UF=0.74U A2 1 K 1 T7 multi-function Tester IR Triac A1 2 UF=0.77U A2 1 K 1 T7 multi-function Tester IR Triac A1 2 UF=0.76U A2 1 K 1 T7 multi-function Tester IR QUICK REFERENCE DATA BT139 series SYMBOL PARAMETER MAX. MAX. UNIT VDRM BT139- 600 800 V BT139- 600F 800G BT139- 600 800 V I(TRMS) Repetitive peak off-state voltages 16 16 A TSM Non-repetitive peak on-state current 140 140 A T0609BH SI - TRIAC Umax 200V Imax 6A IG T 10mA IH 25mA TJ 85
in „Triac prüfen und messen“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik · · Fotos
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AN1045-D.pdf
CSS 1 Joule = 1 Watt S Sec The case temperature rise above ambient at the end of power pulse is: *t onńt C (5.2) DT Cpk + DT CSS (1 * e ) Pd PKG T C where DT C pk+ T C * T A pk DT + T * T CSS CSS A To account for thermal capacity, a time dependent factor r(t) is TA applied to the steady state case-to-ambient
in „Zwei Triacs in Reihe - warum?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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LTM8054.pdf
Output RMS Voltage Ripple VIN= 24V, OUT = 3A 25 mV Switching Frequency R = 453k 100 kHz R = 24.9k 800 kHz T Voltage at FB Pin 1.188 1.2 1.212 V l 1.176 1.220 V RUN Falling Threshold LTM8054 Stops Switching l 1.15 1.25 V RUN Hysteresis LTM8054 Starts Switching 25 mV RUN Low Threshold LTM8054 Disabled
in „DC/DC Wandler (Step Down) gesucht“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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f726564e-8600-11ed-b9f3-173507b98fa1.pdf
TERMINAL TM2 HAUPTKLEMMEN TM1 MAIN TERMINAL TM1 1 3 5 7 9 11 13 15 TM2 2 4 6 8 10 12 14 16 TM1 L1 L2 L3 T1 T2 T3 P R 7H2-75H2 L1 L2 L3 P N T2 TM1 T1 T3 110H2-220H2 TM1 L1 L2 L3 T1 T2 T3 4S0-22S0 11 ANSTEUERUNG CONTROL 4.2. HAUPTANSCHLÜSSE TM 1 MAIN CIRCUIT TERMINALS TM 1 Klemme Nr. Beschreibung Anmerkung
in „Frequenzumrichter Ersatzteil fuer QM15TB-2H“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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hc86.pdf
7.0 V dueto high static voltages orelectric ÎÎÎÎÎÎÎinÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎoltage (Referenced to GND) – 0.5 tCCV + 0.5 V fields. However, precautions must betaken to avoid applications of any ÎÎÎÎÎÎÎoutÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎVoltage (Referenced to GND) – 0.5 tCCV + 0.5 V voltage higher than maximum rated ÎÎÎÎÎÎÎinÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎurrent
in „Vollbrücke, wo kondensatoren einbauen?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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1_AMD_BKDG_Family__15h_Mod_00h-0Fh_BKDG.pdf
2 _ 9 9 c C C 1 x x 0 0 0 N S 0 0 u DdrRate DdrVDDIO DIMM0 DIMM1 DIMM2 o l 0 0 D w 0 0 m c _ _ m e t t S M 1 1 t o ] ] s e 3 800 1.5, 1.35, 1.25 NP QR NP 0 00390039h 20222222h 3 800 1.5, 1.35, 1.25 NP QR SR, DR 0 003A003Ah 30222222h 3 800 1.5, 1.35, 1.25 SR, DR NP SR, DR 0 003A003Ah 20222222h 3 800
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BT-145-800R_800V_16A_300A_Pk_Thyristor___PHI.pdf
MAX. MAX. MAX. UNIT envelope, suitable for surface mounting, intended for use in BT145B- 500R 600R 800R applications requiring high VDRM, Repetitive peak off-state 500 600 800 V bidirectional blocking voltage VRRM voltages capability and high thermal cycling T(AV) Average on-state current 16 16 16 A
in „Thyristor DC On Off Steuerung“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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Clock_jitter_analyzed_in_the_Time_Domain_Part_1.pdf
well as the aperture jitter of the ADC. Those –20 360 fs two components combine as follows: –40 2 2 tJitter (t Jitter,Clock_Input+(t Aperture_ ADC ) (3) –60 The aperture jitter of the ADC can be found in the data B –80 sheet. It is important to remember that this value is ( e –100 typically specified
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Nokia_2-mm_DC_Charging_Interface_Specification_v1_2_en.pdf
Charging Interface Specification 12 Forum.Nokia.com 140 A 120 [ n e 100 g u e n k n r e 80 r o p f t m t o m 60 u A x R I M I 40 Allowed peak 20 current 90 200 400 600 800 1000 CHA[mA] Figure 8: Maximum allowed charging current peaks (creICHAR½ Hz) f . 300 ] s A 250 m e e a 200 g g r a n l f r s 150 o o u u t m o o x 100 C A M I Allowed current I 50 slew rate 800 90 200 400 600 1000 ICHA[mA] Figure 9: Maximum allowed charging current slICHAR½ Hz Nokia 2-mm DC Charging Interface Specification 13 Forum.Nokia.com
in „Nokia über USB laden“ · Offtopic ·
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Nokia_2-mm_DC_Charging_Interface_Specification_v1_2_en.pdf
Charging Interface Specification 12 Forum.Nokia.com 140 A 120 [ n e 100 g u e n k n r e 80 r o p f t m t o m 60 u A x R I M I 40 Allowed peak 20 current 90 200 400 600 800 1000 CHA[mA] Figure 8: Maximum allowed charging current peaks (creICHAR½ Hz) f . 300 ] s A 250 m e e a 200 g g r a n l f r s 150 o o u u t m o o x 100 C A M I Allowed current I 50 slew rate 800 90 200 400 600 1000 ICHA[mA] Figure 9: Maximum allowed charging current slICHAR½ Hz Nokia 2-mm DC Charging Interface Specification 13 Forum.Nokia.com
in „Handy mit "Falscher" Spannungshohe laden.“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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BC846BDNPN.PDF
BC846BDW1T1G, SBC846BDW1T1G, BC847BDW1T1G, SBC847BDW1T1G Series, BC848CDW1T1G Dual General Purpose http://onsemi.com Transistors NPN Duals SOT−363 CASE 419B These transistors are designed for general purpose amplifier
in „Leckströme für NPN Transistor“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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s81350hg.pdf
=25 C C L22 F, Ta=25 C 800 800 Ringing Ringing amount 600 amount 600 (mV) 400 (mV) 400 200 200 0 0 0 20 40 60 80 100 0 20 40 60 80 100 IOUT(mA) OUT(mA) 2. C Lependency 2.1 Overshoot S-81330HG S-81350HG 2500 3000 OUT=30mA, OUT
in „Geiger Counter Sparkfun“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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ds1820.bas
angeschlossenen DS1820 zum Messen veranlassen 1wreset 1wwrite &HCC 1wwrite &H44 Waitms 800 '---Sensor 1 Auslesen--- 1wreset waitms 800 1wwrite &H55 1wverify Dsid1(i) 'Sensor mit Seriennr. auswählen 1wwrite &HBE 'Kommando READ SCRATCHPAD Sc(1) = 1wread(9) If Sc(9) = Crc8(sc(1) , 8) Then T1 = Makeint(sc(1) , Sc(2)) ' Die Nachkommastelle entfernen T1 = T1 / 2 ' Temperatur in ganzen Grad Schritten ausgeben end if '---Sensor 2 Auslesen--- 1wreset waitms 800 1wwrite &H55 1wverify Dsid2(i) 'Sensor mit Seriennr. auswählen 1wwrite &HBE 'Kommando READ
in „zweimal DS1820“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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3642fc.pdf
Temperature vs Temperature and I SET )0.801 ) 5.6 130 ( VIN= 10V m VIN= 10V ) 120 VIN= 10V SET OPEN G ( m T S 5.4 ( 110 O E L100 V T H 90 I0.800 S 5.2 E T H H 80 O R T 70 A T 5.0 I RISET= 500k R R T 60 P P N 50 M0.799 M 4.8 E C C R 40 C K C 30 SET= GND A A 4.6 K 20 D D E E E P 10 F0.798 F 4.4 0 –40 –10 20
in „Bauteil LDYM N188 817“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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bc557.pdf
Figure 2. “Saturation” and “On” Voltages -2.0 1.0 ( ⋅ E TA= 25⋅C V -55⋅C to +125⋅C A ( 1.2 L -1.6 T V I R I 1.6 T -1.2 F M O - C 2.0 R IC= C = -50 mA IC= -200 mA R T -0.8 -10 mA T E R 2.4 L C = -100 mA P C -0.4 C = -20 mA M ,E T 2.8 C ,B V θV 0 -0.02 -0.1 -1.0 -10 -20 -0.2 -1.0 -10 -100 IB, BASE CURRENT
in „bc557 kennlinie im datenblatt“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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main.cpp
warten } uint8_t LowL = ADCL; uint16_t L_LDR = ADCH<<8 | LowL; ADCSRA &= ~(1<<ADEN); //ADC aus if(R_LDR > L_LDR){ PORTD |= (1<<PD5); //Richtung rechts? PORTD |= (1<<PB6); //Step Puls an _delay_us(800); PORTB &= ~(1<<PD6); //Step Puls aus _delay_us(800); } else{ PORTD &= ~(1<<PD5); //Richtung links? PORTD |= (1<<PD6); //Step Puls an _delay_us(800); PORTD &= ~(1<<PB6); //Step Puls aus _delay_us(800); } } }
in „ADC-Schrittmotor Atmega16“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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2080-um001_-en-e.pdf
on mounting and wiring the Diagrams 2080-WD001 Micro810 USB Adapter Plug-in Module. Micro800 1.5" LCD Display and Keypad Module Information on mounting and wiring the Wiring Diagrams 2080-WD009 Micro800 1.5" LCD Display and Keypad Module. Instructions 2080-RM001ontrollers General programs for
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Transistor_2N3904.pdf
pagewidth BB CC R R B C (probe) Vo (probe) oscilloscope oscilloscope 450 450 R2 V DUT i R1 MLB826 Vi= 5 V; T = 500 sp t = 10 r; f = t ≤ 3 ns. R1 = 56 ; R2 = 2.5 k ;BR = 3.9 kC; R = 27. VBB= −1.9 V;CC = 3 V. Oscilloscope input impedance Z = .0 i Fig.2 Test circuit for switching times. 1999 Apr 23 4 Philips Semiconductors
in „12V relais lässt nicht los“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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gpio_xmc1100_tssop38.h
; } __STATIC_INLINE void P0_1_set_mode(uint8_t mode){ PORT0->IOCR0 &= ~0x0000f800UL; PORT0->IOCR0 |= mode << 8; } __STATIC_INLINE void P0_1_set_hwsel(uint32_t config){ PORT0->HWSEL &= ~0x0000000cUL; PORT0->HWSEL |= config << 2; } __STATIC_INLINE
in „Sorry aber mal wieder ein LCD162 therad“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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lithiuml91l92_appman.pdf
and Application Manual Lithium Iron Disulfide Version: Li4.0 Energizer Battery Manufacturing Inc. | 800-383-7323 (USA-CAN) | www.energizer.com Contents Introduction Introduction Battery Energizer ®ithium iron disulfide differs from alkaline Description batteries in chemi stry and constru ction. They are
in „uC Familien Empfehlung“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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irfb3077pbf.pdf
www.irf.com 5 IRFB3077PbF 4.0 24 ID = 1.0A V I = 1.0mA e D 20 g ID = 250μA l V 3.0 l 16 o A s - r M 12 t R t I G 2.0 ) 8 ( IF= 30A S V R 64V VG 4 TJ= 125°C T = 25°C 1.0 J 0 -75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000 T J Temperature ( °C ) df / dt - (A / μs) Fig 16. Threshold
in „Suche nach Treiber für Power-Mosfet“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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psb192.pdf
• Package with screw terminals IdAV T C 100°C, module 174 A IFSM T VJ= 45°C t = 10 ms (50 Hz), sine 2800 A • Isolation voltage 3000 V∼ • Planar glasspassivated chips V R 0 t = 8.3 ms (60 Hz), sine 3300 A • Blocking voltage up to 1800 V T VJ= TVJM t = 10 ms (50 Hz), sine 2500 A • Low forward voltage drop V R 0 t = 8.3 ms (60 Hz), sine 2750 A • UL registered E 148688 ∫ i dt T VJ= 45°C t = 10 ms (50 Hz), sine 39200 A s 2 V R 0 t = 8.3 ms (60 Hz),
in „Kann mir jemand sowas zu nen vernünftigen Preis besorgen?“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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MOSFET.pdf
t 2.0 8 F (S VR= 85V G V 1.5 TJ= 125°C T = 25°C 0 J 1.0 -75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000 TJ, Temperature ( °C ) dif/ dt - (A / μs) Fig 16. Threshold Voltage
in „LeistungsMosfet Kühlfläche als Drain-Anschluss nutzen“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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AG101.pdf
Specifications and information are subject to change without notice. WJ Communications, Inc • Phone 1-800-WJ1-4401 • FAX: 408-577-6621 • e-mail: sales@wj.com • Web site: www.wj.com, wPage 1 ofMay 2008 AG101 GaAs MMIC Gain Block Typical Device Data S-Parameters (V DS = +4.5 V, DS = 50 mA, T = 25 °C, 50 ohm
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IRFB3006_IR.pdf
16 500 ) 12 ) ( n 400 - - M R R R 300 I 8 Q F = 170A 200 IF= 112A V = 51V 4 R VR= 51V TJ= 125°C 100 T = 125°C J TJ= 25°C TJ= 25°C 0 0 100 200 300 400 500 600 700 800 100 200 300 400 500 600 700 800 dif/ dt - (A / μs) dif/ dt - (A / μs) Fig. 18 - Typical Recovery Current vs. di /dt f Fig. 19 - Typical Stored Charge vs. di f/dt 700 600 500 ) n 400 - R 300 Q 200 I = 170A F VR= 51V 100 T = 125°C J TJ= 25°C 0 100 200 300 400 500 600 700 800 df / dt - (A / μs) Fig. 20 - Typical Stored Charge vs. di f/dt 6 www.irf.com IRFB3006PbF Driver Gate Drive D.U.T Period D = P.W. + P.W. Period VGS
in „Motor PWM Steuerung, Mosfet Problem“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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Richtek-Tech-RT9193-33GB.pdf
n 0 u t u t t v -20 t v u e u e-50 O D O D Time (500μs/Div) Time (500μs/Div) Line Transient Response Line Transient Response e ) VIN 4V to 5V RT9193-25xB e V VIN 4V to 5V RT9193-25xB a ( 6 COUT = 1μF ILOAD= 1mA t ( 6 COUT= 1μF ILOAD= 100mA o n o i V t 5 t a 5 u v u v n e 4 I D I D 4 g V g V t ( 10 t m 10 o n o ( t i 0 t i 0 p i u i u e -10 u e -10 O D O D Time (50μs/Div) Time (100μs/Div) Noise Noise VIN= 4.5V
in „CH340C bricht Verbindung ab / Reset“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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RT9193-33GB.pdf
n 0 u t u t t v -20 t v u e u e-50 O D O D Time (500μs/Div) Time (500μs/Div) Line Transient Response Line Transient Response e ) VIN 4V to 5V RT9193-25xB e V VIN 4V to 5V RT9193-25xB a ( 6 COUT = 1μF ILOAD= 1mA t ( 6 COUT= 1μF ILOAD= 100mA o n o i V t 5 t a 5 u v u v n e 4 I D I D 4 g V g V t ( 10 t m 10 o n o ( t i 0 t i 0 p i u i u e -10 u e -10 O D O D Time (50μs/Div) Time (100μs/Div) Noise Noise VIN= 4.5V
in „Fragen Stromversorgung / Schaltplan“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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Weidezaun_S04_ELV50.pdf
8A Igt=5mA Ih=4-30mA TO220 ST.com a BL4 220k 3*4,7u630V=14,1u*400V^2=2,256J CBB PP 2,71€/10 i BL35 T2 B2 10uA e=U*U*C7=J (Energie max.50J <10ms) Oese1+2_Crimp r Schr1-4_Geh1_PCB1 BC546B R4 T M3x10_DIN963 65V 0,1A hfe110-800 0,5W TO92 10u50V D5x11mm RM2,5 85°C Mut1-4 M3_MUTTER_DIN934_SW55 E1 1M 1 2 3
in „Weidezaun gegen Schnecken mit Netztrafo und Rohr DN160 für Hobbygärtner“ · Projekte & Code ·
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B154EW04_VB.pdf
Note1】 V CM : Common mode voltage of LVDS driver. 【Note2】 On-off conditions for supply voltage 0.5＜t1≦10 ms 90%10% 90% t4 0＜t2≦50 ms 0＜t3≦50 ms 10% 400 ms≦t4 VDD t1 t3 10% t2 200 ms≦t5 DATA t5 t6 CCFL B154EW04 V.B Page /23 200 ms≦t6 Vcc-dip conditions vcc 1) 2.5 V≦Vcc＜3.0 V 2.5V 3.0V td≦10 ms 2) Vcc
in „Notebookdisplay als "normalen" Bildschirm verwenden“ · PC Hard- und Software ·
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0s922lq6p7gwsc2hhzx6z4e3pl3y.pdf
WW = Work Week ORDERING INFORMATION Operating Device Temperature Range Package Shipping 2 LM317BD2T D PAK−3 2 50 Units / Rail LM317BD2TG D PAK−3 (Pb−Free) LM317BD2TR4 D PAK−3 LM317BD2TR4G T J −40⋅ to +125⋅C D PAK−3 800 Tape & Reel (Pb−Free) LM317BT TO−220 LM317BTG TO−220 50 Units / Rail (Pb−Free) LM317D2T D PAK−3 50 Units / Rail LM317D2TR4 D PAK−3 800 Tape & Reel LM317T TJ= 0⋅ to +125⋅C TO−220 LM317TG TO−220 50 Units / Rail (Pb−Free) NCV317BD2T* D PAK−3 50 Units / Rail NCV317BD2TR4* T = −55⋅ to +150⋅C D PAK−3 800 Tape & Reel J NCV317BT* TO−220 50
in „LM317 Spannungsregler“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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ga1.pdf
Current vs. Cathode Voltage Cathode Current vs. Cathode Voltage 150 V =V 800 V =V KA REF KA REF T =25 C T =25 C A 600 A 100 A A m ( t n 400 e 50 r r u C C e e 200 o 0 o t t a C 0 C -50 -200 -100 -2 -1 0 1 2 3 -1.0 -0.5 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 Cathode Voltage (V) Cathode Voltage
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PT4115E.pdf
Voltage Vin(V) Output Current L=47uH Rcs=0.13ohm 800 Output Current L=47uH Rcs=0.13ohm 6% 790 n ) t 4% A780 i t e 2% n770 D r760 t u e 0% C750 r u u 7LEDs t740 7LEDs t-2% u730 1LED u 1LED 4LEDs 5LEDsLEDs O 4LEDs 5LEDs6LEDs t-4% 2LEDs 720 2LEDs O 3LEDs
in „LED 20-50mA mit verlustarmer und winziger Lösung an 24V DC/= betreiben“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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PT4115E-datasheet.pdf
Voltage Vin(V) Output Current L=47uH Rcs=0.13ohm 800 Output Current L=47uH Rcs=0.13ohm 6% 790 n ) t 4% A780 i t e 2% n770 D r760 t u e 0% C750 r u u 7LEDs t740 7LEDs t-2% u730 1LED u 1LED 4LEDs 5LEDsLEDs O 4LEDs 5LEDs6LEDs t-4% 2LEDs 720 2LEDs O 3LEDs
in „Problem bei LEDKSQ“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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RE5VL-RICOH.pdf
5VL55A 5.363 5.500 5.637 –0.20V R 5VL56A 5.460 5.600 5.740 R 5VL57A 5.558 5.700 5.842 R 5VL58A 5.655 5.800 5.945 R 5VL59A 5.753 5.900 6.047 10 R 5VL Topt=25˚C Output DetectorThreshold Output Current 1 Output Current 2 DelayTimeOperatingVoltage Tempco. OUT(mA) IOUT(mA) tµs) VDD(V) ∆(ppm/˚C)t ConditioMIN.
in „12V Tiefentladeschutz ohne Eigenverbrauch“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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RE5VL-RICOH.pdf
5VL55A 5.363 5.500 5.637 –0.20V R 5VL56A 5.460 5.600 5.740 R 5VL57A 5.558 5.700 5.842 R 5VL58A 5.655 5.800 5.945 R 5VL59A 5.753 5.900 6.047 10 R 5VL Topt=25˚C Output DetectorThreshold Output Current 1 Output Current 2 DelayTimeOperatingVoltage Tempco. OUT(mA) IOUT(mA) tµs) VDD(V) ∆(ppm/˚C)t ConditioMIN.
in „Wie sprunghafte Bereitstellung der Betriebsspannung für MC realisieren?“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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C4020.pdf
ICTemperatureCharacteristics(Typical) IC V BE Temperature Characteristics (Typical) (IC/B=5) (VCE=4V) 3 00 mA V 2 3 5 4 00m A t ( V C t 30 0m A V ( e B ) a V A A 2 00m A l e I C 2 V ag t 2 t n l e n 1 40m A i V r r a n u ) u u i1 r p p p C 100m A a a t e m m o S u e eT Te T c e a VBE(sat) l a s s l 1 60m A i S C 1 ( a a o m e
in „PWM SCHALTNETZTEIL Beispiel (Assembler) ATmega8“ · Projekte & Code ·
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ws2812.c
Meyer - frank(at)fli4l.de * * Timings: * WS2812 WS2812B WS2812S WS2813 Common symmetric(!) values * T0H 200ns-500ns 250ns- 550ns 250ns- 550ns 220ns - 380 ns 470 ns * T1H 550ns-850ns 650ns- 950ns 700ns-1000ns 580ns -1600 ns 800 ns * T0L 650ns-950ns 700ns-1000ns 700ns-1000ns 580ns -1600 ns 800 ns * T1L
in „WS2812B mit Lib von Martin Hubáček auf F103“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
