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MOSFET-Eigenleben, LED Treiberschaltung
Siehst Du die Dioden in den Mosfets?
Schaltplan der Platine. (nur das linke "rail" ist bisher korrigiert mit Pull-up/downs und dem gedrehten MOSFET) Zusätzlich habe ich noch Netzteil -- Sicherung --- (LED Band-5V + Klemme x21 der Platine)
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[V] uC, Digtal, Analog, Transistoren, Evalboards
, 12A -> 0,15€/Stk. 12x IPB65R110CFD, Infineon: MOSFET N-Ch, 650V -> 0,75€/Stk. 12x BSC059N04LS, Infineon: MOSFET N-Ch, 40V, 73A -> 0,15€/Stk. 80x IRF7341PbF, Infineon: MOSFET Dual N-Ch, 55V, 4,7A -> 0,15€/Stk. 10X WMB040N08HGS, Wayon: MOSFET N-Ch, 80V, 130A -> 0,50€/Stk. 20X JMSL1040AV-7, JieJie: MOSFET N-Ch, 100V, 4,7A -> 0,50€/Stk. 6x VNB20N07TR, STM: MOSFET N-Ch, 70V, 20A -> 0,50€/Stk. 580x SQJQ480E-T1
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Neue Bauteile: Passives, Spannungsmanagement und MPUs
auskommt: [c] Dank des robusten Silizium-auf-Isolator-(SOI)-Prozesses von ST kann der SRK1004 den MOSFET sowohl in einer Low-Side- als auch High-Side-Konfiguration mit einer Drain-Source-Spannung von bis zu 190 V steuern. Mit einem weiten Versorgungsspannungsbereich von 4 V bis 36 V kann der IC in einer
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Suchstrategie Isolierter NPN Leistungstransistor
Ich habe für sowas den ST W13NK60z_600V_13A-NchMOSFET als "Arbeitspferd" verwendet. Ist TO247, kann 150W abführen, hat aber eine metallische "HeatSink" Platte auf der Rückseite. Ansonsten Kunststoffgehäuse. Große SOA.
https://www.tme.eu/de/katalog/diskrete-halbleitermodule_113440/ Schau dir mal dort die Kategorien MOSFET- und IGBT Module an. Was in SOT 227B z.B. Die Dinger haben eine isolierte Grundplatte, können richtig fett Leistung - und bei deiner Anwendung darfs auch n Euro mehr kosten :-)))
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Info zu Transistor gesucht - Harris 9527
530303/STMICROELECTRONICS/TO-247.html https://www.electrondepot.com/electronics_german/r3907-power-mosfet-ersatz-111367-.htm gleicher Datecode. ebenfalls Schweißgerät.
K. schrieb im Beitrag #8004651: > https://www.electrondepot.com/electronics_german/r3907-power-mosfet-ersatz-111367-.htm > gleicher Datecode. ebenfalls Schweißgerät. Und ohne verwertbaren Inhalt... Sieht wohl schlecht aus für den Apparillo.
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H-Brücke 48V, PWM 50kHz, Möglichkeit 100% Duty Cycle on
geeigneten H-Brückentreiber für diese Anforderungen? Am besten wäre eine Lösung ohne integrierte MOSFETs, um möglichst flexibel zu bleiben. Die MOSFETs habe ich noch nicht final ausgewählt, vermutlich N-MOSFETs mit VDS ~200V und möglichst kleiner Gate-Ladung (Qg). Aktuell habe ich den MP6528 im
vielen Dank für die Hilfe und die Erklärungen. Dann mache ich mich auf die Suche nach einem passenden MOSFET.
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Betriebsspannung für Leds?
werden? Sonst könnte man an Stelle von 74HC05, Z-Diode und 3.3kΩ Widerstand einfach einen kleinen MOSFET oder BJT nehmen.
> Sonst könnte man an Stelle von 74HC05, Z-Diode und 3.3kΩ Widerstand > einfach einen kleinen MOSFET oder BJT nehmen. Für jeden Led-Strang gibt es ein HC05-Gatter (insgesamt 12). Man hätte dafür jeweils Transistoren nehmen können, aber trotzdem die Entkopplungsdioden gebraucht oder jeweils eine
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AEG Waschtrockner trocknet nicht mehr
Netzstecker gehängt und dann gemessen, ob der Strom auch bis zu den Relais, Thyristoren, Triacs und Mosfet kommt, die die 230V auf die Verbraucher schalten.
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Was ist das für ein Bauteil?
https://www.alldatasheet.net/datasheet-pdf/view-marking/1142210/KEXIN/2KJ6003DS-3.html P-Channel MOSFET 2KJ6003DS Marking JA3 BAV74 hat "JA"
www.panjit.com.tw/upload/datasheet/BAW56W_SERIES.pdf BAV70W "JA" ohne "3" Common Cathode Drei Mosfets auf einmal ist unwahrscheinlicher als drei Doppeldioden, kann schon sein.
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ATtiny85, energiesparende Schaltung mit PIR und LED FadeIn/FadeOut (Newbie)
man konstante 5V aus einer Powerbank nutzt. R5, C2 und R7 sind überflüssig. Der AVR kann den MOSFET direkt treiben. Der Pin Change Interrupt kann das Signal direkt erfassen und reagieren. Fertig.
Funktioniert auch ohne MOSFET, aber eben ab 3.7V.
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PFC IC Identifikation
und bricht dann wieder zusammen. Nach einigen Sekunden gleiches Spiel. Was ich geprüft habe. MOSFETs okay (am DCA75 Komponententester) Lastdiode okay 220pF Snubber an Drain-Source okay (Kapazität+1kV Test) Shunts okay Hochvolt-Spannungsteiler okay Was ich bis jetzt nicht identifizieren konnte
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Mosfet Ersatz SG318
Hallo, ich suche nach Ersatz für Defekte Mosfets auf der Platine eines Steuergerät aus dem Kfz Bereich. Die Aufschrift ist: S G 1233 S BSP318 Kann mir da jemand weiterhelfen? Grüße Gary
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Flyback hat extreme Schwingungen während des Einschaltens
Strommessungen weg zu lassen und eine 2 Kanal-Messung zu zeigen: 1. Kanal gate-Ansteuerung des PowerMOSFET 2. Kanal drain des PowerMOSFET = Vprimär. Falls Dich das aperiodisch abklingende Geklingle irritiert: Das ist die Sperrphase und prinzipiell bei flyback-Wandlern nahezu unvermeidbar. Und ob die
der Sekundärstrom wieder auf 0 sinkt. Seltsamerweise hören sie dann aber auch nicht auf wenn der MOSFET einschaltet, also wenn der MOSFET "zu früh" einschaltet dann sieht man den eigentlichen Flyback-Strom vor lauter Schwingungen nicht.
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Opas PV Anlage mit freiliegenden 60V Akkus
das hatte ich mir auch überlegt aber ich denke bei einem Defekt von BMS oder Balancer werden erst MOSFets oder Leiterbahnen abbrennen Ist jemand was bekannt das es durch defekte BMS-Sense-Leitungen oder durch aktive Balancer jemals zu Brandschäden gekommen ist?
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Ausschaltverzögerung für ein Relais
Sinn. Werden die Motoren über DC versorgt? Dann könnte man überlegen K1/Q1 durch einen schnellen Mosfet zu ersetzen.
> Werden die Motoren über DC versorgt? Dann könnte man überlegen K1/Q1 > durch einen schnellen Mosfet zu ersetzen. Nein, 230 V AC. Lothar M. schrieb im Beitrag #8001261: > Zeig doch mal. Welcher "ms-Bereich" da gemeint ist. Einstellig, > zweistellig oder dreistellig? Steht da nicht. Da
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ESP32 + TFT. PWM Helligkeitsregelung verursacht Störgeräusche im Audio-Teil
://blog.inspirant.de/content/public/upload/schaltplanv1_0_o.png MOSFET noch immer falsch eingebaut.
Transistor um die LED zu schalten. Den Mosfet also bitte einfach ganz weglassen und den PWM Ausgang des ESP32 direkt an den LED Anschluss. Die PWM muss dann noch invertiert werden, da der MOSFET als Inverter gewirkt hat.
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Funktion MPP Lademodul
Kann mir jemand vom Prinzip her erklären, wie man den MPP findet? Die Elektronik steuert den MOSFET des step up boost Wandlers mit einer PWM, z.B. mit 53% Einschaltquote. Dabei wird das Solarmodul mit einem sich ergebenden Strom belastet und schafft es noch, eine bestimmte Spannung zu produzieren
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Schaltung so funktional? MosFET Modellbahn
tvs-diodes/surface-mount/smbj Die Auswahl des richtigen Typs hängt von der Spannungsfestigkeit des MOSFETs ab.
Ein möglicherweise geeigneter p-Kanal-MOSFET wäre z.B. der IRLR9343. Eckdaten: 55 V, 20 A, ~1 V Vgsth Es lohnt sich auf jeden Fall, bei der Auswahl der MOSFETs in die jeweiligen Datenblätter und dort in die Diagramme zu schauen, in denen
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Überspannung die 4. - Kaffevollautomat Widerstand vor Varistor
... Vielleicht mal prüfen ob S und D vom LNK in beide Richtungen Durchgang hat. Dann wäre der Mosfet im LNK durchlegiert. Spart Widerstände und verhindert ggf. das der Trafo noch durchbrennt.
hab ich den FB-Pin nochmal abgetrennt. Weiterhin am BP-Pin nur 2,8V. Laut Datenblatt ist der power MOSFET inaktiv, wenn BP < 4,8V. Also kann da gar nichts passieren. Meiner Meinung nach müßten die 5,8V am BP doch in jeden Fall anliegen? Hab ich jetzt schon wieder einen defekten "neuen" LNK bekommen?
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ULN2003 defekt
bitteschön. 9V deswegen, weil an den steinalten Treiber-ICs fast 3V hängenbleiben. Ist halt kein MOSFET. Wobei selbst bei einem Relais mit 12V Nennspannung die Anzugsspannung meist bei 9V liegt. Andererseits, da die Relaiskontakte an einem Herd ordentlich Last sehen, sollte das Relais nicht nur müde
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Schaltungstechnik von Netzgeräten mit Vorregelung/Relais für Sekundärwicklungen
Die Vorregelung mit gesteuertem Gleichrichter (Thyristor oder Mosfet heute) hat ein paar Besonderheiten: - Funktioniert nur gut mit sinusförmiger Wechselspannung (keine Wechselrichter mit nahezu rechteckiger Spannung) - Der Strom darf bei halber Spannung nicht
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LED Tester nach Arno - Vorlage
. schrieb im Beitrag #8007246: > 19,52V bestehen, auch wenn R2 vom G des 9510 abgetötet ist. Mosfet mit offenem Gate führt zu undefiniertem Zustand.
Arno R. schrieb im Beitrag #8007292: > Auf die Schnelle: die Last muss an Drain des Mosfet und Rx an Source, > bei deinem letzten Bild sind Drain <-> Source vertauscht. Beim Mosfet Source und Drain tatsächlich vertauscht im Plan angedeutet. Jetzt funktioniert alles vom Feinsten!
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TBB0324 was ist das
Immerhin sieht man, dass es npn/pnp Bipolartransistoren sind, im Gegensatz zu den (vermutlich) MOSFET im Funktionsblockschaltplan der TL0x4. Zu denen gibt es die Angabe 100 MOhm 2pF (differentiell).
Immerhin sieht man, dass es npn/pnp Bipolartransistoren sind, im > Gegensatz zu den (vermutlich) MOSFET im Funktionsblockschaltplan der > TL0x4. Zu denen gibt es die Angabe 100 MOhm 2pF (differentiell). Also lt Funktionsschaltplan sind das JFets in der Eingangsstufe, keine Mosfets. Deshalb heißt
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SMD-MSOP10-Platinprojekt in Eigenfertigung mit bestelltem Belichtungsfilm
reduce inductive ringing: • In SEPIC configuration, the high di/dt loop contains the power MOSFET, sense resistor, output capacitor. [/pre] Und natürlich ist auch die Spule fernab von dem, was der Hersteller für die Induktivität vorschlägt.
allerdings eine bessere Gesamtkühling der Platine.Wenn die Berechnungen stimmten ist aber an meinem Mosfet durch den geringen Schaltwidersstand von 8mOhm kaum Verlust,da wird nix warm bis jetzt.Höhere Ausgangsleistungen bis 2 Ampere waren mal angedach,das müsste ich dann noch testen.:)
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Oszilloskop-Spielereien
Zeiten noch Zeilentrafos gebunkert. Damit geht es sehr leicht, wenngleich falsche Polarität. Ein MOSFET und Freilaufdiode reicht fast schon. Ab und zu stehen ja noch CRT-Monitore am Straßenrand.
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Einfache Idealo Diode P-Mosfet
> Controller“ Bei kleinen Leistungen braucht man keinen Ideal Diode Controller mit externem MOSFET, sondern kann Controller+Transistor in einem Gehäuse integriert verwenden.
sinnvoller als ein Limit für die Spannung wäre eine Angabe des erlaubten maximalen Stroms. Beim MOSFET verträgt die Body-Diode typisch genauso viel Strom wie der MOSFET selber.
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Razor 24V DC scooter controller ZK-2430-D-FS
erahnt man nicht (keine rampe, nix) - bremst man (schalter im griff), bleibt das releais an aber der mosfet schaltet ab (vermeindlich mit rampe) - wtf, wieso denn in dem fall nun so? Ist das "normal" - Relais wg "safety"? Klaus.
schrieb im Beitrag #7994681: > Ist das "normal" - Relais wg "safety"? So ist das. Legiert der MOSFet durch, verhindert das Relais den Amoklauf des Motors. Klaus R. schrieb im Beitrag #7994681: > WTF, ist das normal? Für einen 'Single Speed Controller', ja. Ist halt die ganz billige Klasse.
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Push Pull PWM Ausgangsstufe auf Highside SSR
deshalb an euch. Sehe ich es richtig, dass ich mir einen Treiber mit NPN Transistor und P-Kanal MOSFET bauen muss? Oder kennt ihr fertige Module? Danke vorab!
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Spannungsregler für Kleinverbraucher bei 1,2V gesucht
auch mit 5V und PWM betreiben. Z.B. ein 8-Pin PIC (gibt's im 3x3mm Gehäuse) und ein Transistor (Mosfet) (2,5 x 3 mm) u. ein Kondensator u. eine Freilaufdiode Wenn es ein eisenloser Rotor (Glockenanker-Motor ist dann wird es wegen der hohen erforderlichen Frequenz schwieriger. -ev. Drossel erforderlich
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Welcher 8-Pin ist das?
Pack von den 4953A bei ebay bestellt. Ja ich werde da aufjedenfall zwei reinlöten. Ist das der Mosfet, welcher die Leistung hoch zum Elektromotor schickt? 4,9A x 20v = 98W Zwei würden dann 196W mitmachen ohne durchzubrennen? Die IRF7316 kosten 0,69€; 10 wären 6,90 Habe 10 für 5,30€ plus 6€
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Relais mit Logik ansteuern
sich hier die Berechnung des Basiswiderstands. Rechts im Bild wird das Relais mit einem N-Channel MOSFET gesteuert. Der Vorteil ist hier der wesentlich geringere Steuerstrom im statischen HIGH Zustand (praktisch Null). Wichtig ist hier R1. Dieser Pull-Down-Widerstand sorgt dafür, dass der MOSFET sicher
schaltenden Leistungen kommt daher oft vor dem Schalttransistor/FET ein Treiber zum Einsatz. Große MOSFETs brauchen meist 10-15V Gatespannung um voll durchzusteuern, deshalb wird ein Pegelwandler bzw. Treiber benötigt und wir haben etwas Mehrstufiges. Ausnahmen sind sogenannte Logic Level MOSFETs, welche
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IC "IOR409M" gesucht.
"International Rectifier" (gehört jetzt zu Infineon), zwischen den Buchstaben das Logo. Sind MOSFETs IRF7103. Du solltest natürlich noch irgendwie klären, *warum* es die geschossen hat.
Bild rot eingekreist markiert Ergänzende Frage wäre noch, warum sie zerstört wurden. Ein 3 A-MOSFET verträgt keinen gewaltigen Strom. Ist der Motor noch gesund? Strom gemessen?
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Hitzebeständiger Kleber?
> isolationsabstand vergrößern sollen, Auf jeden Fall. Da wird ja nicht ohne Grund ein 1,5kV MOSFET verbaut sein.
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Bitte überprüfen: 5V Netzteil für EPS32 im KFZ
Olli Z. schrieb im Beitrag #7991726: > der P-Channel Mosfet als > Verpolschutz wirken. So aber nicht.
gegen Bordnetzstörungen dienen, die > TVS Überspannungen (Load-Dump) abfangen und der P-Channel Mosfet als > Verpolschutz wirken. Mindestens 47uF und den MOSFET kannst du weglassen, die Transil schützt schon vor Verpolung. Aber 16V sind knapp, eher 27V.
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Aktive Lautsprecher knacken beim Ausschalten
ich, die Lust verloren an > den Dingern. Ich habe doch noch mal reingeschaut. Diesmal war der MOSFET TSF10N60M der Stromversorgung hinüber. Ich habe ihn gegen einen 2SK2645 getauscht. Nun läuft die Schachtel wieder.
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Verpolungsschutz
Varianten recheriert und favorisiert: 1. Shottky Diode in Serie zu Vin (Spannungsabfall relevant?) 2. Mosfet als Verpolschutz (Zu viel Aufwand?) 3. Brückengleichtrichter (ebenfalls relevanter Spannungsabfall?) Meine Anforderungen sind: -Möglichst einfach in der Umsetzung -Stromverbrauch weiterhin gering
Wenn dir die ideale Diode (MOSFET) zu aufwändig ist, dann nimm halt eine Schottkydiode. Bei nur 500mA ist der Spannungsabfall an einer einigermaßen dicken Schottkydiode ja gering.
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ESP32-E22, schneller Chip aus dem Hause WCH, ressourcensparendes WiFi 7 uvam
Tata Electronics will assemble and test ROHM’s India-designed automotive-grade Nch 100V, 300A Si MOSFET in a TOLL package, targeting mass production shipments by next year. [/c] ### Seeed Studio: LoRA-Karte im MiniPCIe-Format LoRA und LoRAWAN erfreuen sich in den letzten Monaten an permanent wachsender
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Pcb Design: Load switch + passende Sicherung finden
Platz verworfen. Darlington Transistoren wegen einer zu hohen Verlustleistung. Schalten mit nMOSFET, MOSFET Treiber und eine schnelle Sicherung habe ich als Favoriten im Kopf. Ich hab leider gelesen, dass die Sicherung ein Problem werden könnte, wegen zu langer Auslösezeit. Dann gibt es noch Efuses