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can_sd.c
TIMER0_COMPB_vect) {set_leds(23);} ISR(TIMER0_OVF_vect) {set_leds(24);} //ISR(SPI_STC_vect) {set_leds(25);} ISR(USART0_RX_vect) {set_leds(26);} ISR(USART0_UDRE_vect) {set_leds(27);} ISR(USART0_TX_vect) {set_leds(28);} ISR(ANALOG_COMP_vect) {set_leds(29);} ISR(ADC_vect) {set_leds(30);} ISR(EE_READY_vect)
in „ISR(SPI_STC_vect) wird nicht verlassen“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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vn820-e.pdf
output current Figure 8. High-level input current IL(off1) (µA) Iih (uA) 5 5 4.5 4.5 Off state Vin=3.25V 4 Vcc=36V 4 3.5 Vin=Vout=0V 3.5 3 3 2.5 2.5 2 2 1.5 1.5 1 1 0.5 0.5 0 0 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175 Tc (ºC) Tc (°C) Figure 9. Input clamp voltage Figure 10.
in „P2PAK in Eagle“ · Platinen ·
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111COMX_Communication_Module_DG_16_EN.pdf
LVTTL Input / Output 20 Don’t use - needed for isolation 21 Don’t use - needed for isolation 22 23 24 25 26 CC-Link, Data A DA 1 27 CC-Link, Data B DB 2 28 CC-Link, Data Ground DG 3 29 CC-Link, Function Ground FG 5 30 CC-Link, Shield SLD 4 Table 25: Fieldbus Connector X2 for CC-Link Slave Note Information
in „Externes SRAM + Atmel AT91SAM7SE“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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Playtronic_NTL05-_Netzgeraet.pdf
bemessen sein, da8 der max. Spannungs- abfall ijberden Widerstdnden bei griiBtemStrom nicht.mehr als Or25 U betrdgt.: or25 V Ohm R= 3A = 0r08ll Eine exakte Einhaltung des gefordert.enGesamtwiderstandswertes ist. durch BauteiletoLeranzen nicht mdglich, Daher ist, mitTrimmer P 4 eine Abgleichmciglichkeitzur
in „Playtronic ptm elektronik - NTL05 - Handbuch- o. Serviceunterlagen gesucht“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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CEPT-Laenderliste_2014.pdf
CEPT-Novice-Klasse: 144–146; 430–440 MHz 2 MHz: 15 W/60 W PEP; 50 MHz: 150 W/200 W PEP; 70–70,05 MHz: 25 W; Leistung: 400 W (135 kHz: 1 W ERP; 472 kHz: 5 W; 1,85–2 MHz: 10 W; 10, 50 70,05–70,175, 70,225–70,25 MHz: 100 W; 70,25–70,3 MHz: 25 W; 144 MHz und MHz: 100 W; 70 MHz: 50 W (Mobilbetrieb: 25 W); 430
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FS1273_NEU_R7_High_Power_DPM.pdf
doppelt fuer hoehere Ausgangstroeme 1N4007 R8 Trafobeschaltung gezeigt fuer 120VAC, 60 HZ Q1 Q1B 15FR200E D1 MJ15015 MJ15015 +OUT R8B 0-30V, 0.01-2A +SENSE Spannungsvergleichverstaerker 15FR200E 1N5402 R4 R4B VREF+ NETZSCHALTER 10R 10R W1 C16 GL1 R9 DPM- D L F1 0u1 KBL02 D T1 Q2 Q2B Neu 470K CURRENT
in „Labornetzteil 30V 4A (Schaltungsprinzip FS 73/12)“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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FS1273_NEU_R7_High_Power_DPM.pdf
doppelt fuer hoehere Ausgangstroeme 1N4007 R8 Trafobeschaltung gezeigt fuer 120VAC, 60 HZ Q1 Q1B 15FR200E D1 MJ15015 MJ15015 +OUT R8B 0-30V, 0.01-2A +SENSE Spannungsvergleichverstaerker 15FR200E 1N5402 R4 R4B VREF+ NETZSCHALTER 10R 10R W1 C16 GL1 R9 DPM- D L F1 0u1 KBL02 D T1 Q2 Q2B Neu 470K CURRENT
in „Labornetzgerät als Projekt“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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Spannungsregler_XC6902_negative_LDO_200mA.pdf
T T O O -4.98 : -3.29 V e e t -3.30 t o o -5.00 V V u -3.31 u t t -5.03 O O -3.32 -3.33 -5.05 -50 -25 0 25 50 75 100 -50 -25 0 25 50 75 100 Ambient Temperature: Ta [℃] Ambient Temperature: Ta [℃] XC6902NC01 VIN-13VOUT20mA CIN1μF(ceramicL,C =1μF(ceramic) -11.88 -11.92 V T O-11.96 : g-12.00 t o t-12.04
in „Geregelte negative Spannung mit LM2664 und LP2980 - geht das überhaupt?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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s_p305_intel_mm_pro_p300.pdf
- 18 NC --- 19 GND --- 20 NC --- 21 NC --- 22 NC --- CN36 USB Connector CONN DIP USB HOUSING 4P 1R FR(H7.6) PIN No. Signal name I/O PIN No. Signal name I/O 1 USBPWR0 --- 2 BUSBP0- I/O 3 BUSBP0+ I/O 4 GND --- CN37 RTC Connector CONN SMD HEADER 2P MR(P1.25) PIN No. Signal name I/O PIN No. Signal name I
in „LCD-Inverter kaputt - wer kann helfen?“ · PC Hard- und Software ·
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Diode.pdf
(typical values) versus pulse duration IFM A) Zthja/R t(a 1.0E+02 1.00 Recommended pad layout PCB FR4, copper thickness = 35 µm 1.0E+01 T =125 °C j 1.0E+00 Tj=25 °C 0.10 1.0E-01 V (V) FM 1.0E-02 0.01 P (s) 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 1.0E-03 1.0E-02 1.0E-01 1.0E+00 1.0E+01 1.0E+02 1.0E+03 Figure
in „Überspannungsschutz ADC“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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PCBDesignTutorialRevA.pdf
general tracking work, like running tracks between through- hole pads. For even finer work you may use a 25 thou snap grid or even lower. Many designers will argue over the merits of a 20 thou grid vs a 25 thou grid for instance. In practice, 25 thou is often more useful as it allows you to go exactly half
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PCBDesignTutorialRevA.pdf
general tracking work, like running tracks between through- hole pads. For even finer work you may use a 25 thou snap grid or even lower. Many designers will argue over the merits of a 20 thou grid vs a 25 thou grid for instance. In practice, 25 thou is often more useful as it allows you to go exactly half
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GH025A_A3__-_090622.pdf
HUMIDITY 3-2. Control Signal PIN NO. SYMBOL STATUS ACTION REMARKS HIGH LAMP(CCFL)-ON CN1 #3 BKLT_ON 2.4~5.25V LOW LAMP(CCFL)-OFF 0.8V MAX Page REV. 0 Page 2 INVERTER SPECIFICATION R&D GREEN C&C TECH (GH025A(A 3)) DATE : 2008.03.13 3-3. Output Characteristics CONDITION SPECIFICATION ITEM SYMBOL Vin1(V) BRT-
in „Display ansteurern“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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15SMC68AT3.PDF
Power Dissipation (Note 3) @ T = 25⋅C P 0.75 W A D Derate Above 25⋅C 6.1 mW/⋅C Thermal Resistance from Junction−to−Ambient R JA 165 ⋅C/W Forward Surge Current (Note 4) @ TA= 25⋅C IFSM 200 A Operating and Storage Temperature Range TJ, stg
in „Ersatzteilempfehlungen gesucht (TVS-Diode HDD)“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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BZX399.pdf
current − 250 mA ZSM non-repetitive peak reverse currtp= 100 s; square wave; see Tables 1 and 2 Tamb = 25 °C prior to surge Ptot total power dissipation Tamb = 25 °C; note 1 − 300 mW T storage temperature −65 +150 °C stg Tj junction temperature − 150 °C Note 1. Device mounted on a FR4 printed circuit-board
in „Frage Mosfet“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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etd29.pdf
8 Ungapped Material A Lalue e P V Ordering code nH W/set N27 2000 +30/–20% 1470 < 1.04 (200 mT, 25 kHz, 100 °C) B66358G0000X127 N87 2200 +30/–20% 1610 < 2.80 (200 mT, 100 kHz, 100 °C) B66358G0000X187 N97 2250 +30/–20% 1670 < 2.40 (200 mT, 100 kHz, 100 °C) B66358G0000X197 Gapped Material g A value
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fronius_transpocket_1400mw_sm_de.pdf
sobresselentes NL Onderdelenlijst N Reservdelsliste CZ Seznam náhradních dílů RUS Ñïèñîê çàïàñíûõ ÷àñòåé ud_fr_st_tb_012002 9 13 8 19 14 3 17,18 1 7 24,25 23 6 10 22 11 215 26 1 4 15,16 20 2 12 POS. BENENNUNG ARTICLE 1 VORDERFRONT TP1400 FRONT PANEL TP1400 22,0405,0167 2 RÜCKFRONT TP1400 REAR PANEL TP1400 22,0405,0168
in „Fronius Schweißinverter TP 1400 Leistungsteil defekt“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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W25Q40BV.pdf
defined as the point where data out is no longer driven. Figure 38. AC Measurement I/O Waveform - 60 - W25Q40BV 9.6 AC Electrical Characteristics DESCRIPTION SYMBOL ALT SPEC UNIT MIN TYP MAX Clock frequency for all instructions except Read Data instruction (03h) FR C D.C. 80 MHz 2.7V-3.6V VCC & Industrial
in „Wlan2Serial Modul für 5 euro“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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SSD1305.pdf
SEG110 174 SEG30 15 D/C# 95 SEG109 175 SEG29 16 RES# 96 SEG108 176 SEG28 17 CS# 97 SEG107 177 SEG27 18 FR 98 SEG106 178 SEG26 19 BS2 99 SEG105 179 SEG25 20 BS1 100 SEG104 180 SEG24 21 VDDIO 101 SEG103 181 SEG23 22 VDD 102 SEG102 182 SEG22 23 VCIR 103 SEG101 183 SEG21 24 BGGND 104 SEG100 184 SEG20 25 VBREF
in „i2c lese problem“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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DSASW00146882.pdf
SEG110 174 SEG30 15 D/C# 95 SEG109 175 SEG29 16 RES# 96 SEG108 176 SEG28 17 CS# 97 SEG107 177 SEG27 18 FR 98 SEG106 178 SEG26 19 BS2 99 SEG105 179 SEG25 20 BS1 100 SEG104 180 SEG24 21 VDDIO 101 SEG103 181 SEG23 22 VDD 102 SEG102 182 SEG22 23 VCIR 103 SEG101 183 SEG21 24 BGGND 104 SEG100 184 SEG20 25 VBREF
in „OLED Display mit ssd1305 Chip“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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DS1821.pdf
reported using a Chi-Squared statistical model at the 60% or 90% confidence level (Cf). The failure rate, Fr, is related to the acceleration during life test by: Fr = X/(ts * AfV * AfT * N * 2) X = Chi-Sq statistical upper limit N = Life test sample size Failure Rates are reported in FITs (Failures in Time)
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main.c
uint16_t) (((uint32_t) 5 * (TimerPeriod - 1)) / 10); /* Compute CCR2 value to generate a duty cycle at 25% for channel 2 */ Channel2Pulse = (uint16_t) (((uint32_t) 25 * (TimerPeriod - 1)) / 100); /* Compute CCR3 value to generate a duty cycle at 12.5% for channel 3 */ Channel3Pulse = (uint16_t) (((uint32
in „STM32F1 Brushless Motor Steuerung“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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BTA08-400.pdf
) P(W) IT(RMS) (A) 10 10 9 9 BTB / T8 8 8 7 7 BTA 6 6 5 5 4 4 3 3 2 2 1 1 IT(RMS) (A) TC(°C) 0 0 0 25 50 75 100 125 0 1 2 3 4 5 6 7 8 Figure 3: RMS on-state current versus ambient Figure 4: Relative variation of thermal temperature (printed circuit board FR4, copper impedance versus pulse duration thickness
in „Triac am atmega anstelle MOC3041 und BTA08-400“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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SMBJ5.pdf
(typical values) versus pulse duration FM(A) Z t(a)/Rthja 1.0E+02 1.00 Recommended pad layout PCB FR4, copper thickness = 35 µm 1.0E+01 Tj=125 °C T =25 °C j 1.0E+00 0.10 1.0E-01 VFMV) t (s) 1.0E-02 0.01 P 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 1.0E-03 1.0E-02 1.0E-01 1.0E+00 1.0E+01 1.0E+02 1.0E+03 Figure 10.
in „Zener Diode gesucht, die bei 4,0V nur 5-10mA zieht und 2-3 Watt "verbrennen" kann“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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LRTB_G6TG_Pb_free.pdf
Sperrschichttemperatur T + 125 °C j Junction temperature Durchlassstrom I 70 50 mA F Forward current (TA=25°C) Stoßstrom IFM 100 300 300 mA Surge current tp= 10 μs,D = 0.005,TA=25°C Sperrspannung 2)Seite 22 V 12 5 V 2) page 22 R Reverse voltage (TA=25°C) Leistungsaufnahme Ptot 195 210 mW Power consumption
in „LRTB G6GT Eagle-Library“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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Stromtastkoepfe_2009-11-13.pdf
150A 10mV/A 10MHz BNC 1MOhm 3272 / 3269 3.490,00 € 24 3275 500A 10mV/A 2MHz BNC 1MOhm 3272 / 3269 25 3272 (Netzgerät) 2x +/-12V -/- LEMO 694,00 € 26 3269 (Netzgerät) 4x +/-12V -/- LEMO 27 9277 20A 100mV/A? 100kHz 9555 28 9278 200A 10mV/A? 100kHz 9555 29 9279 500A ? 20kHz 9555 30 9555 (Netzg.+Verst.)
in „Stromzange für Oszi? E3N? HZO50?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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Screenshot eines Online-Shops für Elektrowaren
12:04 EB-A 470uF 25 RM5, 105°C, 10000h, 20% Rabattfähig ab Lager, Lieferzeit: 1-2 Werktage Anzahl 4 Einzelpreis 0,86 € 3,44 € FR-A 470U 25-2 Elko, radial, 470uF, 25V, RM5, 105°C, 8000h, 20% Rabattfähig ab Lager, Lieferzeit: 1-2 Werktage Anzahl 4 Einzelpreis 0,32 € 1,28 € FK-A 470U 25 Elko radial, 470 uF, 25 V, 105°C, low ESR, AEC-Q200 Rabattfähig ab Lager, Lieferzeit: 1-2 Werktage Anzahl 4 Einzelpreis 0,62 € 2,48 € reichtl.de
in „Samsung TV qe65q60rat Reboot Problem“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik · · Screenshots
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BC847BS_2xnpn.pdf
mA CM peak collector current − 200 mA BM peak base current − 200 mA P total power dissipation T ≤ 25 °C − 200 mW tot amb Tstg storage temperature −65 +150 °C Tj junction temperature − 150 °C Tamb operating ambient temperature −65 +150 °C Per device Ptot total power dissipation Tamb≤ 25 °C; note 1 −
in „BC547 matched“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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teilpaket_2_exemplarische_quantitative_langfristanalyse_2030.pdf
7500 7500 7500 NTC DE-CH 3300 3300 3300 NTC DE-CZ 3000 2200 3000 NTC DE-DKW 3500 3500 3500 NTC DE-FR 4800 4800 4800 NTC DE-LU 999999 999999 999999 DE/LUeinheitlichesMarktgebiet DE-NL 5000 3718 5000 NTC DE-PL 2000 NTC 1800 2000 DKW-DE 3500 3500 3500 NTC FR-DE 4800 4800 4800 NTC LU-DE 999999 999999 999999
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WD3133-WillSEMI.pdf
F F 1.1 1.1 VIN3.3V V =4.2V IN VIN5.0V 1.0 1.0 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 -50 -25 0 25 50 75 100 Input Voltage(V) o Temperature( C) Operation Frequency vs. Supply Voltage Operation Frequency vs. Temperature Will Semiconductor Ltd. 6 Aug, 2016 - Rev. 1.2 WD3133 2.4 1.2 V IN.6V ) EN
in „Vergleichstyp WD3133“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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BC856BDW1T1-D.PDF
Total Device Dissipation PD 380 mW dimensions section on page 6 of this data sheet. Per Device 250 mW FR−5 Board (Note 1) TA= 25°C Derate Above 25°C 3.0 mW/°C Thermal Resistance, RqJA °C/W Junction−to−Ambient 328 Junction and Storage Temperature TJ, stg −55 to +150 °C Range Stresses exceeding those listed
in „SunLike LEDs mit TRI-R-Technologie ( Seoul Semiconductors )“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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LL10_AEG_Ladegeraet.pdf
Modell LL 10.0 Ladestrom (max.) 2 A 6 A 10 A größerie- 12 V / 24 V 12 V 12 V / 24 V 10 Ah 7 h 2 h 1,5 h 25 Ah 17 h 6 h 3 h 50 Ah 33 h 11 h 7 h 75 Ah 49 h 16 h 10 h 100 Ah 65 h 21 h 13 h 125 Ah 82 h 26 h 16 h 150 Ah 98 h 32 h 19 h 200 Ah 130 h 42 h 25 h 16 Ladevorgang beenden und Ladegerät trennen 1. Ziehen
in „Suche Ladegerät für Autobatterien“ · Fahrzeugelektronik ·
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Supply.pdf
R911 R909 R908 R907 HER303G-18 L921 D902 24V 18.7K 1/8W 1% 1M 1/4W 1% 1M 1/4W 1% HQ902 1M 1/4W 1% FR107 2 7 + C933 0.8uH W + C920 8 470UF 35V 0 / C938 C961 9 1 47UF 50V 100N 50V C913 1U 25V R918 D923 11 R H 470P 50V 47K +-5% 1/8W Q905 BAV21 1 12 C934 O 1 BC857C 1K OHM +-5% 1/8W R961 5 1 IC902 FMV11N60ES
in „Philips geht nach 1 Minute aus“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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0900766b81417515.pdf
T A 25°C ID 6.3 A State T A= 70°C 5.0 = 25°C Continuous Drain Current (Note 5) GS= 4.5V t ≤ 10s T A ID 9.3 A T A 70°C 7.4 Pulsed Drain Current (Note 6) DM 50 A Maximum Ratings – P-CHANNEL, Q2 @T A 25°C unless
in „Datenblatt DMG4511SK4 COMPLEMENTARY PAIR MOSEFT“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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Bandwidth_Versus_Video_Resolution.pdf
width of the display divided by the height of the display) V = Total number of vertical scan lines LT FR = Frame rate or refresh rate KH = Ratio of total horizontal pixels to active pixels K = Ratio of total vertical lines to active lines V The 1/2 factor comes from the highest frequency component in a
in „VGA Schalten“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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KB.pdf
500 mAdc 1 THERMAL CHARACTERISTICS BASE Characteristic Symbol Max Unit 2 Total Device Dissipation FR–5 Board P D 225 mW (Note 1.)AT = 25⋅C EMITTER Derate above 25⋅C 1.8 mW/⋅C Thermal Resistance – R 556 ⋅C/W θJA Junction-to-Ambient (Note 1.) 3 Total Device Dissipation Alumina P D 300 mW Substrate (Note 2A) T = 25⋅C 1 Derate above 25⋅C 2.4 mW/⋅C 2 Thermal Resistance – RθJA 417 ⋅C/W SOT–23 Junction-to-Ambient (Note 2.) CASE 318 STYLE 6 Junction and Storage TJ, stg –55 to ⋅C Temperature Range +150 1. FR–5 = 1.0
in „Unbekanntes Bauteil - Aufschrift KB50“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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2N4403-82294.pdf
°C/W θJC R θJA Thermal Resistance, Junction to Ambient 200 357 °C/W Notes: 3. PCB size: FR-4, 76 mm x 114 mm x 1.57 mm (3.0 inch x 4.5 inch x 0.062 inch) with minimum land pattern size. 4. Device mounted on FR-4 PCB 1.6 inch x 1.6 inch x 0.06 inch. © 2001 Fairchild Semiconductor Corporation
in „moderner Ersatztyp für BC550 Audio low noise gesucht“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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ADNS-3080-Avago.pdf
/sec @ 6469fps Acceleration A 15 g @ 6469fps Light level onto IC IRRINC 20 6,000 mW/m2 l = 639 nm, FR=1500 fps 24 7,200 l = 875 nm, FR=1500 fps 100 6,000 l = 639 nm, FR=6469 fps 120 7,200 l = 875 nm, FR=6469 fps Frame Rate FR 2000 6469 Frames/s See Frame_Period register section LED Drive Current ILED
in „ADNS3080 Steuerung“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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Datenblatt PXP012-30QL Trench MOSFET
. Quick reference data Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit VDSS drain-source voltage TJ = 25 °C - -30 V VGS gate-source voltage - 25 V ID drain current VGS = -10 V; Tamb = 25 °C; t ≤ 5 s [1] -15.2 A Static characteristics RDSon drain-source on-state resistance VGS = -10 V; ID = -9 A; TJ = 25 °C - 11.1 12.8 mΩ VGS = -4.5 V; ID = -7.6 A; TJ = 25 °C - 14.5 17.7 mΩ [1] Device mounted on an FR4 Printed-Circuit Board (PCB), single-sided copper, tin-plated and mounting pad for drain 6 cm².
in „12V 2A per Raspberry Pi (3,3V) schalten“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik · · Screenshots
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2001071338_EG-Micro-EG2132_C480660.zh-CN.de.pdf
IGBTRöhren-Gate-Treiberchip 7.Elektrische Eigenschaften 7.1Parameter begrenzen Ohne weitere ErkläTA=25unter ℃-Bedingungen Symbol Parametername Test-Bedingungen am kleinsten maximal Einheit VB Bootstrap-High-EndVBStromversorgung - - 0,3 300 V VS High-End-Hängederdungsklemme - VB-25 VB+0,3 V HO High-End-Ausgabe - VS-0,3 VB+0,3 V LO Low-End-Ausgang - - 0,3 VCC+0,3 V VCC Stromversorgung - - 0,3 25 V HINHigh-Channel-Logik HIN - - 0,3 VCC+0,3 V Signaleingangspegel Logiksignalausgang mit niedrigem Kanal LIN Eingangspegel - - 0,3 6 V TA Umgebungstemperatur - - 45 125 ℃ Tstr Lagertemperatur - - 55
in „Probleme mit Bootstrap Halbbrücke“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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XC6216.pdf
Hz) XC6216B/D332 XC6216B/D332 VIN5.3Vdc+0.5Vp-OUT=1mA VIN4.0Vdc+0.5Vp-pOUT=30mA CL1μF (ceramic),Ta℃25 CL=μ F (ceramic),T℃=25 90 90 ) d 80 )80 ( d R 70 (70 S R : S t)60 :60 aB t n(50 (50 tR n cS40 t40 eP P R 30 e l R30 i 20 l R i20 R 10 10 0 0 0.01 0.1 1 10 100 0.01 0.1 1 10 100 Fr qu ncy : f (kHz) Ripple Frequency: f (kHz) RiFr quency : f (kHz)kHz) XC6216B/D502 XC6216B/D502 VIN7.0Vdc+0.5VpOUT1mA VIN7.0Vdc+0.5VpOUT30mA CL=μ F (ceramic),℃a=25 90 CL=μ F (ceramic),℃a=25 90 B 80 ) 80 ( B R 70 ( 70 S R : 60 S 60 te B (R50 a 50 R
in „Suche Spannungsregler mit kleinem Ruhestrom <<2mA“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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XC6216.pdf
Hz) XC6216B/D332 XC6216B/D332 VIN5.3Vdc+0.5Vp-OUT=1mA VIN4.0Vdc+0.5Vp-pOUT=30mA CL1μF (ceramic),Ta℃25 CL=μ F (ceramic),T℃=25 90 90 ) d 80 )80 ( d R 70 (70 S R : S t)60 :60 aB t n(50 (50 tR n cS40 t40 eP P R 30 e l R30 i 20 l R i20 R 10 10 0 0 0.01 0.1 1 10 100 0.01 0.1 1 10 100 Fr qu ncy : f (kHz) Ripple Frequency: f (kHz) RiFr quency : f (kHz)kHz) XC6216B/D502 XC6216B/D502 VIN7.0Vdc+0.5VpOUT1mA VIN7.0Vdc+0.5VpOUT30mA CL=μ F (ceramic),℃a=25 90 CL=μ F (ceramic),℃a=25 90 B 80 ) 80 ( B R 70 ( 70 S R : 60 S 60 te B (R50 a 50 R
in „Suche Linearregler 5V für ca. 100uA minimal / 100mA max.“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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Infineon_ITS436L2-1168586.pdf
70 to 40% V OUT, RL= 12 Ω , Operating Parameters Operating voltage Tj=-40 V bb(on) 4.75 -- 41 V T j+25...+150°C: -- 43 Overvoltage protection 7) T j-40°C: V bb(AZ) 41 -- -- V Ibb40 mA Tj=25...+150°C: 43 47 52 8) Standby current (pin 3) T=j40...+25°C : bb(off) -- 5 8 µA V IN; see diagram on page 9 Tj 150
in „ITS436L2 Verfügbarkeit oder Alternative“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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sihfr014.pdf
Notes a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11) b. VDD = 25 V, startinJ T = 25 °C, L = 924 μg, R = 25AS,= 7.7 A (see fig. 12) c. SD ≤ 10 A, dI/dt ≤ 90 A/μsDD≤ VDS, J ≤ 150 °C d. 1.6 mm from case e. When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 material) S21-0466
in „Hilfe bei Bauteil identifikation“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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BTB16-600C.pdf
12 11 12 BTA 10 10 9 8 8 7 6 6 5 4 4 3 2 2 IT(RMS)(A) 1 T C°C) 0 0 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 0 25 50 75 100 125 Figure 3. RMS on-state current versus ambient temperature (printed circuit board FR4, copper thickness: Figure 4. Relative variation of thermal impedance versus pulse duration 35 μm) (full
in „Leistung für Gatewiderstand Triac“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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Trockenfilmbeschichtung-CQDL.pdf
Vakuum-UV-Belichter erleich- fahren: Eine Filmvorlage wird zur Be- fotobeschichteten Basismaterial FR4: tert die Herstellung von PCBs mit größe- lichtung einer auf dem Laminat befind- www.bungard.de/images/downloads/ rer Präzision ganz erheblich. lichen, fotosensitiven Schicht benutzt, ipc4101d.pdf Die
in „Woher günstiges basismaterial mit photoresist?“ · Platinen ·
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BTS4140N.pdf
VIN = bb to 0V to 90% OUT ton µs R = 270 Ω - - 125 4) L R L 270 Ω, V bb = 13.5 V, Tj= 25 °C - 45 100 Turn-off time3) VIN = 0V tobb to 10% VOUT toff 4) R L 270 Ω - - 175 R = 270 Ω, V = 13.5 V, T = 25 °C - 40 140 L bb j Slew rate on3) V IN= Vbbto 0V 10 to 30% OUT dV/dt on V/µs R L= 270 Ω - - 64) R L 270 Ω, T =j25 °C, V bb = 13.5 V - 1.3 4 3) Slew rate off V IN= 0V to bb 70 to 40% OUT -dV/dtoff R L 270 Ω - - 84) R L 270 Ω, T =j25 °C, V bb = 13.5 V - 1.7 4 1 Device on 50mm*50mm*1.5mm epoxy PCB FR4 with 6 cm2 (one
in „+12V mit +3.3V schalten P-MOSFET?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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BTS4880R_20040127.pdf
off 70 to 40% V OUT , -dV/dtoff - 1 2 R L 47 Ω, V bb = 15 V 1 Device on 50mm*50mm*1.5mm epoxy PCB FR4 with 6 cm2 (one layer, 70µm thick) copper area for drain connection. PCB is vertical without blown air. 2004-01-27 Page 5 BTS 4880 R Electrical Characteristics Parameter Symbol Values Unit at T = -25
in „Suche SPI Interface IC“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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Rhode_Schwarz_URV3_RF-Millivoltmeter_Schematics.pdf
contained BU1 TP EINLOETEUCHSE 470 -6447 243.9101 SOCKET BTNDER 08-0090-003ó BUU IC-FASS UNG 14POL FR 155 243.8828 IC 14-POLE - -09?6 SOCKET 714-AG1 D AUGAT ?43.91 01 BU3 FP EINLOETBUCHSE 470.6447 SO CKET ETNDER 08-0090-003ó BU4 FR IC.FASS UNG 14POL. tR 155 -092ó 243.88?8 IC SOCKET 14-POLE AUGAT 714-
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Rhode_Schwarz_URV3_RF-Millivoltmeter_Schematics.pdf
contained BU1 TP EINLOETEUCHSE 470 -6447 243.9101 SOCKET BTNDER 08-0090-003ó BUU IC-FASS UNG 14POL FR 155 243.8828 IC 14-POLE - -09?6 SOCKET 714-AG1 D AUGAT ?43.91 01 BU3 FP EINLOETBUCHSE 470.6447 SO CKET ETNDER 08-0090-003ó BU4 FR IC.FASS UNG 14POL. tR 155 -092ó 243.88?8 IC SOCKET 14-POLE AUGAT 714-
