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Datenblatt-Tabelle eines IRF3708 MOSFETs
IRF3708/S/LPbF International IOR Rectifier Static @ TJ = 25°C (unless otherwise specified) Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions V(BR)DSS Drain-to-Source Breakdown Voltage 30 V VGS = 0V, ID = 250µA ΔV(BR)DSS/ΔTJ Breakdown Voltage Temp. Coefficient 0.028 V/°C Reference to 25°C, ID = 1mA RDS(on) Static Drain-to-Source On-Resistance 8 9.5 13.5 mΩ VGS = 4.5V, ID = 12A VGS(th) Gate Threshold Voltage 0.6 2.0 V VGS = VGS, ID = 250µA IDSS Drain-to-Source Leakage Current 20 µA VGS = 24V, VGS = 0V IGSS Gate-to-Source Forward Leakage 100 µA VGS = 24V, VGS = 0V, TJ = 125°C Gate-to-Source Reverse Leakage 200
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Handgezeichneter Schaltplan einer H-Brücke mit MOSFETs
+12V 2x 470uF NPO R2 100k Q3 P-Ch R1 1k D5 1N4148 S3 L1 D1 1N4007 D2 1N4007 L2 R3 10u R4 10u R5 10u R6 10u Q1 N-ch D3 1N4148 S1 Q2 N-ch D4 1N4148 S2
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Schaltplan einer Widerstandskette mit MOSFET und LM385
20 LM385 1k 6,2 1,96 2,74 4,64 7,5 11 18 27,4 46,4 75 110 180 274 464 750 1,1k 1,8k 2,7k 4,64k 7,5 11k 18k 27k 46,4k 2N3819 470 IRF9510 560
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Schaltplan einer Spannungsregelung mit AZ431 und MOSFET
R101 2k2 R102 100k IC101 AZ431LANTR-G1 4 3 2 R103 100k IC102 NCS2001SN1T1G 1 V+ V- 5 R104 4R7 Q101 IRLML6344 C101 Cap+ Cap- R105 1k
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Nahaufnahme eines Leistungshalbleiters mit Schraubbefestigung
MagnaChip 60R280Q NS484057P
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Schaltplan einer Trennung von Wohnbereich- und Starter-Batterie
Trennrelais 12V Starter-Batterie Steuergerät PWM-Signal Freigabeschalter Wohnraum-Elektrik P-Ch. MOSFET Wohnraum-Elektrik Steuereingang Batterie-Trennschalter MOSFET? Licht Wohnraum
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Schaltplan, PCB-Layout und 3D-Modell eines ESP32-C3 Super Mini
J1, I2C, SDA, SCL, GND, 3.3V, GPIO21 bis GPIO0, U2, UCC37324, En_A, En_B, IN_A, IN_B, Out_A, LO, MosfetA, MosfetB, USB
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Forumbeitrag über IGBT Gate Schutzschaltung mit Schaltplänen
damit dort u werden (Gate Driver schützen). Auf dem Bild im Anhang sind drei Optionen für IGBT und MOSFETs. Bei dem MOSFET versteh ich den Schutz mit bei den anderen Varianten wäre ich für jeden Rat dankba Grüße Andre
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Schaltplan eines Gate-Treiber-ICs mit MOSFET-Ausgang
EG3013S VB max 90V HIN 15K 15K Vcc 电平移 脉冲滤波 驱动 死区时间电路 闭锁电路 8 VB +15V 75V B0515S (trafo) 60V V+ 10 R6 2 IRF3206 Q2 6 VS Out2 1 Vc 5 LO 4 GND
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Schaltplan einer Transistor-Mosfet-Treiberstufe für einen Motor
VCC_24V, R11, 10k, Q2, IRF4905, R12, 10k, D1, 1N4004, MOT1, GND, Q1, BC547C, R1, 1k, ESP_3,3V
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Schaltplan einer LED-Ansteuerung mit KNX-Board und MOSFET
24VDC, V-, V+, 1, 2, DC24V+, 2, 3, C, W, 19,2W/m LED, IRLZ44N, 1, 2, 3, 100R, 10k, KNX-BOARD, PWM0A, 3, PWM0B, 4, PWM1A, 5, PWM1B, 6, 7, GND, KNX+, 1, KNX-, 2
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Schaltplan zur Ansteuerung eines RGB-LED-Streifens mit MOSFETs
+5V LED-Streifen R G B Q1 IRLZ34N Q2 IRLZ34N Q3 IRLZ34N R1 10k R2 10k R3 10k Arduino GND
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Ausschnitt eines Datenblatts für einen N-Channel MOSFET
HL2302 N-CHANNEL MOSFET Features • VDS=20V • ID=3A • RDS(on)@VGS=4.5V < 45mΩ • RDS(on)@VGS=2.5V < 58mΩ
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Handgezeichneter Schaltplan mit Diode und n-Kanal MOSFET
+24V 1N4007 n-Kanal G S
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Schaltplan mit MOSFET Q1 BSS138
+5V +3V3 R1 4K7 R2 1K Q1 BSS138
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Vereinfachter Schaltplan mit Batterie, MOSFET, Heizdraht und NTC
Vereinfachter Schaltplan Batterie MOSFET Heizdraht NTC GND
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Schaltplan mit ICM7555 Timer und MOSFET-Treiberstufe
+24V, R5 0R33/2W, T1 BSS138, D2 TS4148, T2 BC860C, R4 4k7, T3 IRF5305, OUT, 1, 2, 3, IC1 ICM7555, 8 VCC, 6 TR, 7 TH, 4 RST, 5 DIS, 1 CTR, GND, C1 10uF 25V, C2 10uF 25V, R1 100k, R2 4k7, D1 BZV55-C12, R3 2k2
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Schaltplan mit ATmega168P, OLED und MOSFET
LiPo 4,2V 270K 11K ATmega168P D6 A0 42K A09T (N-Kanal) BC547 D G S 470K C4 SDA C5 SCL OLED Start
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Symbole verschiedener n-Kanal MOSFET Typen
n-channel MOSFET substrate or body terminal D G S Enhancement mode Depletion mode B VSB
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Schaltplan einer Impulsteuer Schaltung mit NE555 und MOSFET
File Edit Component Windows Options Transient Analysis Scope Monte Carlo Help N555_AC_001a Transient Analysis KnAC Gleichrichter (DC-Bridge) D1 D2 V1 3N4148 D5 VCC for N555 Impulslength Monoflop NE555 400K R2 100K R8 7k R7 10k C2 10n NE555 as Monoflop VCC RESET THRES OUT CONT 10k R10 MD3 300 R9 VCC X3 BZX55C9V1 C1 10u Trig TimerConst C3 1u X1 TRIG DISCH GND 1Meg V_AC AC 24V (48Vss) SW1 V0,2,15 D3 D4 KnAC 2 AC-Stufe fur RL RL = Inductive M1 BS170 Source Body M2 Dran Gate BS170
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Datenblatt eines N-Channel Enhancement Mode MOSFET
HYG060N08NS1D/U/V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature 80V/80A RDS(ON)=5.7mΩ(typ.)@VGS = 10V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Pin Description G D S D D Ordering and Marking Information D: TO-252-2L U: TO-251-3L V: TO-251-3S G060N08 XYMXXXXXXX
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Diagramm der maximalen sicheren Arbeitsbereichs (SOA) eines MOSFETs
Fig 9. Max. Safe Operating Area Operation in This Area is Limited by RDS(on) ID, Drain Current [A] 10 µs 100 µs 1 ms 10 ms DC @ Notes : 1. TC = 25 °C 2. TJ = 175 °C 3. Single Pulse VDs, Drain-Source Voltage [V]
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Schaltplan mit MOSFETs und I2C-Erweiterern
VCC, GND, SCL, SDA, INT, A0, A1, A2, U?, PI4IOE5V9555, GPIO_0 bis GPIO_15, IRLML2244, alternative MCP23018, C7, TLC59116, TLE 4913, VOUT, O = 64x
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Maximum Safe Operating Area Diagramm eines MOSFETs
100 10 1 0.1 0.01 -ID, Drain-to-Source Current (A) OPERATION IN THIS AREA LIMITED BY RDS(on) 100µsec 1msec 10msec TA = 25°C Tj = 150°C Single Pulse -VDS, Drain-to-Source Voltage (V) 0 1 10 100 Fig 8. Maximum Safe Operating Area www.irf.com
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Fritzing-Schaltplan Arduino mit DC-Motor und MOSFETs
12V DC IN, R3 10kΩ, R4 10kΩ, FET P, DC Motor, R5 330Ω, R6 330Ω, R7 330Ω, R8 330Ω, UNO, Arduino, DIGITAL (PWM), ICSP2, TX, RX, FET N, R1 10kΩ, R2 10kΩ, AEQ-WEB, fritzing
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IBT_2 Motortreiber-Modul mit MOSFETs und Elektrolytkondensator
330uF, IBT_2, VCC, GND, R_S, L_S, EN, RPWM, LPWM, R5, 1, 2, 3, 5
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Schaltplan einer CAN-Bus Isolierung mit Optokopplern und MOSFET
CAN-H, CAN-L, CAN-GND, CN3, R5 1k3, TLP291-4, IC2B, 14, 13, +5V, R8 4k7, D2, SMBJ30CA, R4 1k3, TLP291-4, IC2A, 16, 15, 2, 1, SMBJ30CA, TRS2, Pin 35 FE4, R10 10k, T1, BC817, C15, C2 100u, IC1, IRF7342, +12V, GND, GND, IC3, TS2940-5.0, C3, +5V, C4 100u 16V
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Schaltplan mit USB-C, NTC-Thermistor und MOSFET
J1 USB_C_Receptacle_PowerOnly_6P VBUS A9 R3 10 Ohm TH1 Thermistor NTC 10k J2 Conn_01x03_Pin 1 2 3 D1 1N4007 Q1 IRLZ44N 1 2 3 RV2 Trimpoti 10k CC1 A5 CC2 B5 R1 10k A12 SHIELD GND
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Schaltplan mit BC547 und P-Kanal MOSFET
+ IN, R1, 2k2, G, S, MC Port, 1k, P-Kanal, D, BC547, +OUT, GND
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Schaltplan einer Batteriewächter-Schaltung mit MOSFET und TL431
muss die Minimalspannung UBAT eingestellt werden. Für LiFePo4 sind das etwa 10,4V, dann muss der MOSFET Q7 die restlichen Verbraucher abschalten. 10k TC33X-2-103E TM2 A-K-D GND J8-6 ON_Switch J8-12 OFF_Switch PSTA-12 GND
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Schaltplan mit NPN-Transistor und P-Kanal MOSFET
12v 10K D G S P-Channel From Arduino 3 10K 2N3904 C
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Produktbeschreibung von ASFETs für parallele MOSFET-Anwendungen
ASFETs with enhanced dynamic current sharing are designed to meet the demands of high-power parallel MOSFET applications, ensuring balanced load distribution and reliable operation in BLDC and other demanding inductive systems: • No VGS(th) matching required – simplifies design and production. • Enhanced
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Schaltplan mit BC547 und P-Kanal MOSFET
MC Port, 1k, BC547, GND, R1, 2k2, G, S, P-Kanal, D, +IN, +OUT
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Handgezeichneter Schaltplan mit LM358 und P-MOSFET
Vss R1 10k R2 100k LM358 R3 1k G S P-MOS D 300 R R4 1k zur Last 4700uF
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Schaltplan einer MOSFET-gesteuerten Schaltung mit TL431
12V IN Q1 IRF9540 12V OUT R1 10k R2 10k SW1 On 1 2 3 4 U1 TL431 RP1 10k GND
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Schaltplan eines MOSFET-Treiber-Designs für Transformatoren
J1, +12V, C3 100u, C1 100n, U1 LM7B12, VD, C2 100n, C4 10u, GND, T1, T1_3, T1_4, T1_5, T1_6, 40:40 Wicklungen auf Ferritring, J2, PWM 50% Duty Cycle 8-12kHz, C5 100n, R1 1k, U2A 4093, R2 1k, C7 560p, U2B 4093, TC4421, INPUT, OUTPUT, J3, Enable, D3, D2, R3 1k, R4 1k, U2C 4093, U2D 4093, C9 560p, TC4421, U5, C13 1u, T2, T2_3, T2_4, T2_5, T2_6, TC4422, U6, J4, +15V, Q1 FF300R12KT4, Q2 FF300R12KT4, D8, D9, D10, D11, DSE/120-12A, T3_1, T3_2, T2_4, T1_5, T1_6
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Zwei MOSFET-Bauteile im TO-220 Gehäuse
IRLZ34N IORP703D 89P0
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Schaltplan mit BC547 und P-Kanal MOSFET
MC Port, 1k, BC547, GND, R1, 2k2, G, S, P-Kanal, D, +IN, +OUT
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Schaltplan mit Raspberry Pi Pico und MOSFET-Treiber
J2 24V, J3 0V, U3 R-78CK5.0-0.5, C1 100uF, C2 100nF, U6 4N35, R1 220R, U4 Raspberry Pi Pico, GPIO0 bis GPIO26, VBUS, VSYS, 3V3_EN, ADC_VREF, AGND, GND, SWCLK, GND, SWDIO, R2 10k, R3 10k, Q1 IRFU 9540N, R4 10k, U7 4N35, J4 Eingang, J1 Ausgang
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Schaltplan mit Raspberry Pi Pico und MOSFET-Treiber
J2 24V, J3 0V, U3 R-78CK5.0-0.5, IN, OUT, GND, C3 10uF, C1 100uF, C2 100nF, R2 10k, R3 10k, U6 4N35, R1 220R, Q1 IRF 9540N, R4 10k, U7 4N35, GND, J4 Eingang, J1 Ausgang, U4 Raspberry Pi Pico, GPIO0 bis GPIO28, VBUS, VSYS, 3V3_EN, 3V3, ADC_VREF, GND, SWCLK, GND, SWDIO
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Schaltplan mit ProMini, Spannungsregler und MOSFET-Schaltung
Lilon 18650, 1uF, MCP1702-3302, VOUT, GND, VCC, RAW, ProMini, D0/Tx, D1/Rx, RST, GND, D2, D3 PWM, D4, D5 PWM, D7, D8, D9 PWM, CS, D10, A6, GND, A7, A4, SDA, A5, SCL, VCC, A3, A2, A1, CLK, MISO, D12, MOSI, D13, 26k1, 9k09, 0,1uF, LL-P-FET, 562k, N-FET oder NPN, 10k, 3M16, GND
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Kennlinien des IRLZ44NPbF MOSFETs
International IOR Rectifier IRLZ44NPbF Fig 1. Typical Output Characteristics ID, Drain-to-Source Current (A) VDS, Drain-to-Source Voltage (V) TOP 15V 12V 10V 8.0V 6.0V 4.0V 3.0V BOTTOM 2.5V 20µs PULSE WIDTH TJ = 25°C Fig 2. Typical Output Characteristics TJ = 175°C
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MOSFET Trigger Switch Drive Module mit Spezifikationen
MOSFET Trigger Switch Drive Module 16.5mm/0.65in 36.5mm/1.4in R1 R3 PWM TRIG Q2 IO LED1 GND Working Voltage DC 5V-36V Continuous Current 15A Maximum Current and Power 30A,400W The Trigger Source Digital high-low
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Schaltplan PWM-Dimmen mit externem MOSFET und Tabelle
VIN AL5809 IN 1 OUT 2 PWM_DIM (ZXMN6A11Z) a) PWM Dimming by External MOSFET Recommended PWM Frequency and Dimming Range PWM Frequency (Hz) Duty Cycle (%) Min Max 100 5 95 200 10 90
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Schaltplan zur Aktivierung eines Servos
Wake up Servo ServoVCC R19 1k +3V3* R18 10k Schalter P - Mosfet D N - Mosfet Q1 AO3400A Q3 AO3401A G S +3V3 R16 10k NPN2 S9013 J3 GND +3V3* R17 10k
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Schaltplan einer Solar-Ladeschaltung mit ATtiny
Q1 P-Ch. MOSFET S D 100k 5.6V SOLAR 6V, 150mA + Q2 N-Ch. MOSFET D S 220n GND 8 VDD 1 ATtiny PA3 7 PA0 4 PA1 3.3k 6 UPDI PA2 5 4.7k Li-Ion 2000 mAh
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Schaltplan zur Aktivierung eines Servos
Wake up Servo ServoVCC R19 1k +3V3* R18 10k Schalter P - Mosfet D +3V3* N - Mosfet D Q1 AO3400A G S Q3 AO3401A G S R17 10k +3V3* R16 10k +3V3 NPN2 S9013 J3 GND
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Schaltplan einer Solid-State-Relais-Anwendung
VO1263AB Vishay Semiconductors 1 Channel 1 control 2 8 7 2 MΩ P-channel JFET Switch 1 N-channel MOSFETs 3 Channel 2 control 4 6 5 2 MΩ P-channel JFET Switch 2 N-channel MOSFETs Fig. 11 - Typical Dual Form A Solid-State Relay Application
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Drei Bände des Werkbuchs Elektronik von Franzis'
Solarzellen EMV-Technik Seiten 1-1165 Franzis' Band 2 Dioden Thyristoren Triacs Transistoren FETs, MOSFETs Power-MOSFETs Operationsverstärkertechnik Optoelektronik Sensoren Röhrentechnik LWL-Technik Stromversorgung Seiten 1156-2215 Franzis' Band 3 Transistor-Schaltungen Operationsverstärkerschaltungen
