-
Thread
Kostensteigerung bei Platinenbestellung in China ab 1.Juli
interessant sie bei "globalen" Händlern zu bestellen, also keine Choice-Angebote. Z. B. habe ich 1N5817 und 1N5819 bestellt, zwei verschiedene Artikel in mehrfacher Menge, selbe Warengruppe. Das wurde an der Kasse korrekt berechnet. Also nur 1x 3€. Dann habe ich testweise einen Mosfet hinzugefügt,
Marek N. schrieb im Beitrag #8070673: > So wie ich verstanden habe, ist die Sendung noch vor dem 1. Juli in der > EU gelandet und wird daher noch nicht von der Regelung betroffen sein? Yep, noch vor dem
-
Bild
Schaltplan und Oszilloskop-Messkurven
9 2m 160 ZTX749 47k 100u 1N5817 100u BC547B 100u 270 BZX79B5V1 50 Output 8.00 6.00 4.00 2.00 0.00 -2.00 0.0 250.0u 500.0u 750.0u 1.0m 10µ 100µ 100µ 10µ Time (s) a
-
Bild
Schaltplan und Oszilloskop-Simulation
Draft1.raw V(n005) V(n067) 8V 6V 4V 2V 0V -2V -4V -6V -8V 50.00ms 50.02ms 50.04ms 50.06ms 50.08ms 50.10ms 50.12ms Draft1.asc V1 15 R1 10k R2 10k R3 10k Q1 BC547 D1 1N5817 Q2 BC547 V2 PULSE(0 0 0.000001 0.000001 0.05 0.1)
-
Bild
Schaltplan mit zwei NPN-Transistoren und Dioden
D1 1N5817 Q1 NPN D2 1N5817 Q2 NPN
-
Bild
Schaltplan und Oszilloskop-Simulation in LTspice
KlingelDetektor.v001 Click to plot wire current: I(C2) x = -6.22ms y = 1.01760V V2 5V R1 390k R2 2k R3 100k C1 100n V1 SINE(0 40mV 175Hz 10m) R4 10k C2 100n U1 R5 1k D1 1N5817 C3 100n R6 1Meg Vout .tran 20m V(vout) 0.0V 2ms 4ms 6ms 8ms 10ms 12ms 14ms 16ms 18ms 20ms
-
Bild
Handgezeichneter Schaltplan einer Operationsverstärker-Schaltung
5V (3,3V) 10µF 100µF MCP 6001 0,6V/µs 390k (220k) 1018 mV 18k 10k 1000 mV Spule 100k 100n 100n 1k 1N5817 100n 1M
-
Thread
Türklinger verstärken ohne elektrischen Eingriff in Hausanlage
den Spannungsripple am Ausgangskondensator bin ich überrascht. Die > Simulation scheint bei der 1N5817 mit 50µA Ir zu rechnen, vermessen > hatte ich ein Exemplar mit 5µA bei 5V. Bitte mal mit BAT42, 1N4148 und > 1N4001 simulieren, womit das Minimum am höchsten ist. Oder mit 470nF und > 470k das Minimum erhöhen. In der Tat - es war der hohe Sperrstrom, der 1N5817, der in der Simulation den Ripple erzeugte. Mit einer 1N4148 (die anderen Typen sind im Standard-LTspice nicht enthalten), ist der Ripple deutlich verkleinert (siehe Bild im Anhang). Ja, ja - so
-
Bild
Diagramm des Sperrstroms gegen Sperrspannung für 1N5817/1N5818
Fig. 6-1: Reverse leakage current versus reverse voltage applied (typical values) (1N5817/1N5818). IR(mA) 1E+1 1E+0 1N5818 1N5817 Tj=125°C 1E-1 Tj=100°C 1E-2 Tj=25°C 1E-3 VR(V) 0 5 10 15 20 25 30
-
Bild
Schaltplan und Diagramm einer Ladestrom-Spannungs-Kennlinie
12 BD138 1N5817 220 4,7k 4,7k BC549C 2N3906 2k 9,1k 5,6k TL431_AVG TL431 60m 50m 40m 30m 20m 10m 0 -10m 0 5 10 15 20 Akku-Spannung Ladestrom
-
Bild
Schaltplan einer Batterieladeschaltung mit Shuntregler
Selbstentladung Motorradbatterie mit Shuntregler Achtung, R3/R2 entladen bei Stromausfall mit 0.4mA! T1 erreicht ohne Batterie, also Leerlauf 60°C auf meinem Testboard. Das geht also noch in Ordnung! Im Betrieb der Schaltung ist es weniger! R3 = 22k + 4.7k Trimmer 13.4V 15V/1A Netzteil F2, 1A 1R D2 33R 46mA 0.4mA 1.8mA NSCW100 R5 6.8k R1 1mA 1k S 24.8mA G TL431 U1 T1 FDC638P T1 ist bei BSP316 Jeder P-Channel der 1W abkann sollte gehen. D 13.1V 1N5817 SS16 F1, 1A 1R Bei Leerlauf/voller Akku fliessen 56mA in die
-
Thread
Wer kennt zwei-löchrige Kamera Zierhalbzeug Schraubendreher?
im Anhang gezeigt, leider ist das Messgeraet in Reihe mit der Spannungsquelle (d.h. 2 Knopfzellen a 1.55V waeren keine gute Idee). Daher ist Gerhards Idee mit einer Schottky-Dioden gar nicht so schlecht (z.B. eine 1n5711 bringt Dir 0.41V, eine 1n5817 sind 0.32V). Vielleicht kann man zwei kleine Zellen
Anhang gezeigt, leider ist das Messgeraet in > Reihe mit der Spannungsquelle (d.h. 2 Knopfzellen a 1.55V waeren keine > gute Idee). Daher ist Gerhards Idee mit einer Schottky-Dioden gar nicht > so schlecht (z.B. eine 1n5711 bringt Dir 0.41V, eine 1n5817 sind 0.32V). > Vielleicht kann man zwei kleine
-
Bild
Schaltplan mit MOSFETs, Induktivitäten und Mikrocontroller-Modulen
+5V,Diode? 1N5817?,Pin2 D,G,Pin3 S,Pin1,Vcc,A,1,5,B,2,Y,4,GND,?,1,2,GND,I/O,UCC,121
-
Thread
UND Schaltung einer 5V Spule
Falls man für die Schaltung nur einen einzigen N-MOSFET einsetzen möchte, dann könnte man aus zwei Dioden eine UND-Verknüpfung realisieren.
würde ich 1N5817 nehmen.
-
Bild
Schaltplan eines DC-DC-Wandlers
+24_V_IN L4 C3 C10 C11 Q10 VIN VOUT GND C5 C6 D1 +24V GND GND GND C7 +3,3V GND D2 VSYS (RP Pico) C8 GND Bauteile C3, C8: 100 nF / 50 V C10, C11: 10 µF / 50V L4: 5,6 µH, 3 A D1: P6KE30A C5: 22 µF / 50 V C6: 100 µF / 50 V Q10: TSR 1-2433 C7: 10 µF / 35 V D2: 1N5817
-
Bild
Schaltplan eines DC-DC-Wandlers
Schaltplan +24_V_IN L4 C3 C13 C14 VIN GND VOUT +24V C5 C6 D1 GND C8 C9 C7 C11 C12 C10 L2 L3 +3,3V VIN VOUT +5V Q11 D2 Bauteile C3: 100 nF/ 50 V C13, C14: 10 µF/ 50V L4: 4,5 uH, 3 A D1: P6KE30A C5: 22 µF/ 50 V C6: 100 µF/ 50 V Q10: TSR 1-2405 Q11: LD117V33 C7, C10: 100 nF/ 50 V C8, C11: 22 µF/ 12 V X7R C9, C12: 10 µF/ 35 V L2, L3: MPZ2012S601AT000 D2: 1N5817
-
Bild
Schaltplan mit ESP32-C3 und Spannungsregler
12V, U2 TPS79301-EP, 11,5V, 1, IN, 6, OUT, C1 15pF, 3, EN, 5, FB, R1 36,1k, D1 1N5817, D2 1N5817, C2 10nF, R2 30,1k, C3 1µ, GND, SW1 SP3T_NR01103, 1, C, 2, R5 23k, 0,5V, 3, MP, R4 11k, 1V, U1 ESP32-C3-WROOM-02, 2, EN, 11, IO20/RXD, 12, IO21/TXD, 18, IO0, 17, IO1, 16, IO2, 15, IO3, 14, IO4, 5, IO5, 6, IO6, 7, IO7, 8, IO8, 10, IO9, 13, IO1D, 10, IO18, 9, IO19, GND, R3 1k, GND
-
Thread
SOT23 Chip BAP77 Datenblatt
Michael B. schrieb im Beitrag #7894519: > Peter T. schrieb: >> Spannungswandlung von 1,5V auf 5V > > Ein step up Schaltregler ? Kaum. > Vielleicht ein IRLML2803 als Verpolschutz. Ich habe aber mit dem Oszilloskop gemessen, es ist ein Step-Up-Converter. Mit einer 1,5V Batterie bekomme
eher etwas Holtek artiges ist. Im HT77xx Datenblatt ist in der Applikationsschaltung eine externe 1N5817 Diode, wie auf meiner Platine, THT, deshalb auf der Lötseite nicht zu sehen. Der LCSC Chip kommt ohne externe Diode aus.
-
Bild
Tabelle der statischen elektrischen Eigenschaften von Schottky-Dioden
Table 4. Static electrical characteristics Symbol Parameter Tests conditions 1N5817 1N5818 1N5819 Unit IR (1) Reverse leakage current Tj = 25 °C VR = VRRM 0.5 0.5 0.5 mA Tj = 100 °C 10 10 10 mA
-
Thread
Defekte Klospülung T440 / XT94e
Transistor im TO18 Gehäuse mit Glasdach. Zwischen > Basis und Emitter ist ein sehr hochohmiger Widerstand >1GigaOhm. Falls > jemand weis welche Typen das sind, wären Hinweise nett Fototransistor. Der Typ ist jetzt Spekulation. https://www.reichelt.de/fototransistor-npn-400-1100nm-16-tht-to-18-bpy-62-iv-p5817
Fehler gefunden: Die Transistorschaltung um Q1 BC550 macht mit C12 220nF auf der Basis eine Phasendrehung. Dies gibt einen Oszillator bei 300 Hz welcher den Strom für den Phototransistor liefert. Der Fehler war insofern jetzt gut reproduzierbar
-
Bild
Schaltplan eines Easy PDK Programmers
Easy PDK Programmer Steckbrett-Version +5V 180 220u 6 7 MC34063 5 10k 1k 1,8n 47u 1N5817 8 330u +5V 1 8 23 35 47 VssA Vss +5V 9 24 36 48 Vdd +3.3V 100n 100n 100n USB +5V 32 22 USB_DM 22 D - 33 23 USB_DP 23 D + 48 GND STm32F072Cxxx TQFP-48 5 OSC in 8 8 MHz 6 OSC out 22p PB7
-
Bild
Schaltplan und Diagramm eines Stromquellen-Aufbaus
LM317 1N5817 1N5817 47 9 SFH487 Current (A) 24.0m 22.0m 20.0m 18.0m 16.0m Temperature (C) 0.0 10.0 20.0 30.0 40.0 50.0
-
Thread
Wie funktioniert diese PTT-Schaltung aus re. Audiokanal
. Vielleicht ne BAT54 oder sowas. Was halt grad so rumfliegt. Vielleicht gehts auch schon mit ner 1N4148 oder sowas. Gruss WK
Für den Zweck geht jede Kleinsignal Schottkydiode. Zum Beispiel eine BAT42, BAT48, 1N5817, 1N5818 usw. Hans Markus G. schrieb im Beitrag #7737755: > jetzt muss ich nur noch verstehen wie das vervielfachen funktioniert ;-) Hier gut erklärt: https://www.elektroniktutor.de/analogtechnik
-
Thread
Diode 1N5817 kein verringerte Spannung
Hallo zusammen, ich habe eine alte Kamera, welche eigentlich mit zwei 1,35V Quecksilberbatterien gefüttert werden möchte. Die gibt es natürlich nicht mehr. Also wollte ich eine Diode vom Typ 1N5817 einlöten, um die Spannung für aktuelle 1,5V Batterien anzupassen. Also die
angezeigt, wenn ich nach der Diode messe. Wo ist der Denkfehler? Im Bild ist eine 3V-Batterie vom Typ 1/3N, im Prinzip 2xLR44 gestapelt. Danke!
-
Thread
Hotswap für DJI FPV System
Einstellbar über Trimmpoti. Die Werte der DJI Box stehen oben rechts Zur Beschreibung des Vorgangs: 1. Die Box wird an das System angeschlossen. Das FC/FPV System wird über Vbat von Lipo 1 versorgt. 2. Lipo 1 wird abgesteckt. Das FPV System (und FC?) werden über die Box mit Spannung versorgt. 3. Lipo
schaden nehmen könnte (je nachdem wie es gebaut ist...). Für diesen Fall könnte sowas passen wie z.B. 1N5817. Kriterien für die Diodenauswahl sind: Durchlasspannung (also Spannungsabfall an der Diode) => möglichst gering, max. Durchflußstrom (hier sollte 1A reichen) und max. Sperrspannung. Oder wie
-
Bild
Verschiedene elektronische Bauteile in Plastikbeuteln auf Tisch
3Y 500/400 C2579 A1104 C2579 A1104 43 YL 43 YL MC3361B? HT 7039A 10 FCS HT7039A- 1 7039 1875 32 7537 5405 N5817 ANS 54 01 082 052 500p
-
Thread
Wie lange ist eine Überladung von NiMH-Akkus unkritisch?
kamen mindestens 10 Jahre zu spät. Tim 🔆 schrieb im Beitrag #7659578: > Peter H. schrieb: >> 0,1mA > 0,1CmA. Unübliche Schreibweise, man sagt 1/10C oder 0,1C ohne mA. Diese 0,1C wären ein sinnvoller Wert für 14 Stunden Ladung, aber keinesfalls für längere Zeiten. Wenn jemand meint, 1/10C
fließt. Bei den diskret aufgebauten Solarlechten fallen ja schon 0,5V über die 1N5817 ab. Ich gehe davon aus, dass auch in dem von mir verwendeten YX8050 eine gewöhnliche Schottky-Diode enthalten ist.
-
Artikel
Wanderkiste
600mil ausgelötet 1 x Textoolsockel 32pol. 300/600mil neu 50 x Schottkydioden 1N5817 20V/1A auf Gurt 45 x EPROMs von 2764 bis 27C512 meist programmiert, BIOS-EPROMs 1 x P8042AH 1 x P80C51BH 4 x Metallgehäuse für SUB-D 9pol
für SUB-D 9pol. neu, OVP 9 x SUB-D 15pol. 3reihig (VGA) Stecker/Buchse-Kombi neu 25 x Schottkydioden 1N5817 20V/1A auf Gurt Reingepackt: mehrere 10 Gang Potis + Knöpfe einfache Potis 7 Segmentanzeigen (VQE...) ein paar 3mm Led's viele verschiedene Relais, teils mit Sockel mehrere 1N4148 Netzbuchsen Microtaster
-
Thread
Schaltung Messung kleiner Ströme bei uC in Standby/Idle
Also kann ich ja gar keinen höheren Widerstand anhängen? Du könntest deinen Shunt auch mit einer 1N5817 o.ä. überbrücken. Das verzerrt dir deine Messung ein wenig, begrenzt aber den Spannungsabfall über dem Shunt auf eine Diodenspannung. LG, Sebastian
Sebastian W. schrieb im Beitrag #7599783: > Du könntest deinen Shunt auch mit einer 1N5817 o.ä. überbrücken. Eine 1N4148 geht besser. Eine Shottky sperrt nicht so gut und kann die Messung bei sehr kleinen Strömen verfälschen. Die AVRs arbeiten ja von 1,8..5,5V. Somit kannst Du an
-
Thread
Welche Shottky Diode für Bastelkiste?
Die 1N400x unter den Schottkys ist die 1N5819. Ob alle gewünschten Daten passen darfst du selbst abklären.
Dieter W. schrieb im Beitrag #7583815: > Die 1N400x unter den Schottkys ist die 1N5819. Ich habe B5819W bestellt, aber etwas anderes mit viel höherer Flussspannung erhalten. Notfalls würde ich B5817W bei einem anderen Händler bestellen und
-
Thread
Step-up Converter 2,5V->5V mit LM78S40
. Dabei bin ich ausgegangen von [code] Vo = 5V Vi = 2,5V VD = 0,3V (aus dem Datenblatt für die 1N5817 Diode) Usat = 0,45V (von S. 3 ganz unten) fMin = 20kHz (in AN711 S.12 (58) wird mind. 20kHz empfohlen und ton und toff sind so über 10µs) Iomax = 317mA (damit passt der Rsc=0,22 Ω Widerstand
.html?&trstct=pos_0&nbc=1 * https://www.reichelt.de/schottkydiode-20-v-1-a-do-41-1n-5817-p41848.html?&trstct=pos_0&nbc=1
-
Bild
Schaltplan eines Schaltreglers
LM78S40, D1, L 100µH, 180Ω, Rsc 0,22Ω, 2,5V, Ci 150µF, CT 1,5nF, Co 100µF, R2 2k2, R1 20k, D2 1N5817, 5V, 100nF, VGS, RELEVENCE
