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irf9z34n.pdf
PD - 9.1485B IRF9Z34N ® HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology D l Dynamic dv/dt Rating V DSS = -55V l 175°C Operating Temperature l Fast Switching R DS(on) = 0.10 l P-Channel G l Fully Avalanche
in „IRF9Z34N als Ersatz für BUZ171“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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IRF9Z34-Vishay.pdf
IRF9Z34, SiHF9Z34 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY • Dynamic dV/dt Rating VDS (V) - 60 • Repetitive Avalanche Rated Available R (Ω) V = - 10 V 0.14 DS(on) GS • P-Channel RoHS* Qg(Max
in „Saito Pro Charger Batterieladegerät - Mikrocontroller ATmel ATTINY26L defekt?“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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P-MOSFET_IRF9Z34N.pdf
PD - 9.1485B IRF9Z34N ® HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology D l Dynamic dv/dt Rating V DSS = -55V l 175°C Operating Temperature l Fast Switching R DS(on) = 0.10 l P-Channel G l Fully Avalanche
in „Pegelwandler 0/5V zu 5V/-9V“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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Infineon_20176A.pdf
IRF1010ZPBF PG-TO220-3 IRF1018EPBF SP001574502 IRF1018EPBF PG-TO220-3 IRF1104PBF SP001570050 IRF1104PBF PG-TO220-3 IRF1310NPBF SP001553864 IRF1310NPBF PG-TO220-3 IRF1324PBF SP001561460 IRF1324PBF PG-TO220
in „Unstimmigkeit bei IRLB4030 Bestellung“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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Transistoren_cht.pdf
B IR IRF9Z24 -60 0.28 11 60 TO-220AB 2SJ438 B IR IRF9Z24N -55 0.175 -12 45 TO-220AB 2SJ438 B IR IRF9Z24S -60 0.28 11 60 D2PAK 2SJ312 A IR IRF9Z34 -60 0.14 18 88 TO-220AB 2SJ349 B IR IRF9Z34N -55 0.1 -17 56 TO
in „Frage Mosfet“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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Power_MOSET_Cross_reference.pdf
B IR IRF9Z24 -60 0.28 11 60 TO-220AB 2SJ438 B IR IRF9Z24N -55 0.175 -12 45 TO-220AB 2SJ438 B IR IRF9Z24S -60 0.28 11 60 D2PAK 2SJ312 A IR IRF9Z34 -60 0.14 18 88 TO-220AB 2SJ349 B IR IRF9Z34N -55 0.1 -17 56 TO
in „Schaltregler Fragen“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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plan3.pdf
40 R4 3BC327-40 2 T26 2 PB1 PA1 2 1 1 R38 2 2 1 2 39 1 2 2 T4 2 T25 1 2K 3PB2 PA2 38 2K 1T3R5 K24 IRF3205 1 2 R39 1 4PB3 PA3 37 1R6 2 1 IRF3205 FEDERKRAFTKLEMME605_T1_P2 3 2 27 1 C7 5PB4 PA4 36 3 PB5 PA5 127 2 2K 1 2 6 35 2K FEDERKRAFTKLEMME605_T1_P2 7PB6 PA6 34 K9 3 R40 100nF R61 8PB7 PA7 33 C2 3 2
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Amilo_Core_Erzeugung.pdf
25V_0603 0.1u/25V_0603 LM358 10A/2.5V PU6A QT4516RL060HC_6A_1806 1 Z2605 Z2606 5 D LM358 PC76 PR87 7 I_CPU [22] D Load-Line PSW1_2 OFF ON ON 4 0.1u/10V 10K_1 PR61 6 X7R PL9 100K_1 Z2602 QT4516RL060HC_6A_1806 Z2603 PC53 PR60 PC45 Z2607 0.1u/10V 11.3K_1 4.7u/10V_0805 PR89
in „Laptop geht nicht an: MOSFET 4C06N?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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irl7486mpbf-936689.pdf
Transient thermal resistance, see Figures 13) PD (ave) = 1/2 ( 1.3·BV·Iav = T/ ZthJC Iav 2T/ [1.3·BV·Z ]th Fig 16. Maximum Avalanche Energy vs. Temperature E = P t AS (AR) D (ave)· av 6 www.irf.com © 2015 International Rectifier Submit Datasheet Feedback May 14, 2015 IRL7486MTRPbF 2.6 9 IF= 82A V 2.4
in „Reparatur Makita XWT08Z (DTW1002Z)“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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3x_MOSFET_parallel_gnd_getrennt_V1.3.pdf
15V_T1 C 1 1 µ X8-1 1 0 GND_T1 GND_T1 C 1 2 + X8-2 MSTBV2 OP_1_HIGH_SIDE_LEFT +15V_T1 8 R17 2 7 Q1_IRF3205 Q2_IRF3205 Q3_IRF3205 Q4_IRF3205 Q5_IRF3205 Q6_IRF3205 330R T1.1 5R IRF540 5R IRF540 5R IRF540 5R IRF540 5R IRF540 5R IRF540 +15V_T2 3 6 T1.1 T1.1 T1.1 T2.1 T2.1 T2.1 X9-1 1 R1 9 R2 9 R3 9 R4 9
in „H-Brücke Messungen und Meinung“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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MOSFET-irfiz34v.pdf
Resistance Parameter Typ. Max. Units RθJC Junction-to-Case ––– 5.0 RθJA Junction-to-Ambient ––– 65 °C/W www.irf.com 1 12/12/00 IRFIZ34V Electrical Characteristics @ T = 25°C (unless otherwise specified) J Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions V(BR)DSS Drain-to-Source Breakdown Voltage 60 ––– ––– V VGS = 0V
in „Frage zur Optokoppler“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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PFC_FBC.pdf
/PCINT19)PC3 I K C C _ R 100nF T8/T9 T12/T13 R GND_SEC GND CS (TCK/PCINT18)PC2 21 O D E L A D C T2 D17 T4 k T7 D6 T9 D8 T11 T13 k ADC_CS_SEC (SDA/PCINT17)PC1 20 S _ I C A D T2_GATE G IRF3205 RFN10NS3S T4_GATE G IRF3205 1 T7_GATE G IRF3205 RFN10NS3S T9_GATE G IRF3205 RFN10NS3S T11_GATE G IRF3205 T13_GATE G IRF3205 1 (SCL/PCINT16)PC0 19 I I P S A P SP S I 16 I D S _ _ P (OC2A/PCINT31)PD7 15 P S _ C D _ S S S S S S (ICP/OC2B/PCINT30)PD6 _ _ D D A C GND_PRI
in „PFC + Vollbrücken-Gegentaktwandler“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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irf7389.pdf
Gate-to-SourceForwardLeakage N-P –– — ±100 nA V GS= ±20V Q Total Gate Charge N-Ch — 22 33 g P-Ch — 23 34 N-Channel N-Ch — 2.6 3.9 ID = 5.8A, DS= 15V, VGS = 10V Q gs Gate-to-SourceCharge nC P-Ch — 3.8 5.7 P-Channel Q Gate-to-Drain("Miller")Charge N-Ch — 6.4 9.6 gd P-Ch — 5.9 8.9 ID= -4.9A, DS = -15V, GS
in „Mini-FET's“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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IRF7389_N-P-Channel_30V_5.3A_0.058Ohm.pdf
Gate-to-SourceForwardLeakage N-P –– — ±100 nA V GS= ±20V Q Total Gate Charge N-Ch — 22 33 g P-Ch — 23 34 N-Channel N-Ch — 2.6 3.9 ID = 5.8A, DS= 15V, VGS = 10V Q gs Gate-to-SourceCharge nC P-Ch — 3.8 5.7 P-Channel Q Gate-to-Drain("Miller")Charge N-Ch — 6.4 9.6 gd P-Ch — 5.9 8.9 ID= -4.9A, DS = -15V, GS
in „DC-Motor mit HIP2101“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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irf7389.pdf
Gate-to-SourceForwardLeakage N-P –– — ±100 nA V GS= ±20V Q Total Gate Charge N-Ch — 22 33 g P-Ch — 23 34 N-Channel N-Ch — 2.6 3.9 ID = 5.8A, DS= 15V, VGS = 10V Q gs Gate-to-SourceCharge nC P-Ch — 3.8 5.7 P-Channel Q Gate-to-Drain("Miller")Charge N-Ch — 6.4 9.6 gd P-Ch — 5.9 8.9 ID= -4.9A, DS = -15V, GS
in „H-Brücke am µC“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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ABLIC-S-8520-8251_Series.pdf
Corporation External transistor SOT-89-3 package (MOS FET) V GS20 V max., ID: 2.4 A max.,th : 1 V min., IRF7606 International RectifCeiss 470 pF typ.,on : 0.15 max.GS= 4.5 V), Corporation Micro 8 package 34 STEP-DOWN,PWMCONTROLorPWM/PFMSWITCHABLESWITCHINGREGULATORCONTROLLER Rev.9.0 _02 S-8520/8521 Series
in „EHAYP 7606 - Welcher IC?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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DALIHardware.pdf
typically less than 25ms,butnotlongenoughtoignitethelamp Communications-enable (see waveforms in Figure 9). Doing this RB0 uniquemanagementminimizespowerdis- sipationduringshutdown. Pin SD IR2159 Pin LO IR2159 Fig. 9 Communications signal with the lamp off www.irf.com 9 IRPLDIM2 Memory Usage of the PIC16F628
in „DALI Steuerung“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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300W-Inverter.pdf
R36 200k 56k 22µ/50V C26 2 3 10/400V 180k 180k PC817 1-2=115V, 2-3=230V GND 1 RF17 RF7 S SJ2 D27 D23 IRF540 D28 D29 IRF540 V 1 3 1 2 R8 R5 + 115V 100k 100k 2 R32 Q2 0 R34 Q1 0 8 k 3 X 4 X R 2 470k 2 Z B 470k 1 Z B R47 U7 C8 C5 D C14 C10 D 1 4 PIC/AN2 470k 2 3 +C19 PC817 22µ/50V 6 5 R 1 D1 D5 D4 D3 GND
in „$40 GDI inverter, neuerdings qualitätsprobleme?“ · Haus & Smart Home ·
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300W-Inverter.pdf
R36 200k 56k 22µ/50V C26 2 3 10/400V 180k 180k PC817 1-2=115V, 2-3=230V GND 1 RF17 RF7 S SJ2 D27 D23 IRF540 D28 D29 IRF540 V 1 3 1 2 R8 R5 + 115V 100k 100k 2 R32 Q2 0 R34 Q1 0 8 k 3 X 4 X R 2 470k 2 Z B 470k 1 Z B R47 U7 C8 C5 D C14 C10 D 1 4 PIC/AN2 470k 2 3 +C19 PC817 22µ/50V 6 5 R 1 D1 D5 D4 D3 GND
in „Wie ist ein billiger Grid Tie Inverter aufgebaut ?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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IRFR2307Z.pdf
LEAD-FREE PRODUCT (OPTIONAL) 12 34 YEAR 9 = 1999 ASSEMBLY WEEK 16 LOT CODE A= ASSEMBLY SITE CODE www.irf.com 9 IRFR/U2307Z I-Pak (TO-251AA) Package Outline Dimensions are shown in millimeters (inches) 6.73 (.265) 2.38 (.094) 6.35 (.250
in „MOSFET IRFR2307Z“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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irlml6401.pdf
B 2003 3 03 C 1994 4 04 D 1995 5 LOT 1996 6 CODE 1997 7 1998 8 1999 9 PART NUMBER CODE REFERENCE: 2000 0 24 X 25 Y 26 Z A= IRLML2402 B = IRLML2803 W= (27-52)IF PRECEDED BY ALETTER C= IRLML6302 WORK D = IRLML5103 YEAR Y WEEK W E = IRLML6402 F = IRLML6401 2001 A 27 A 2002
in „CMOS Transistoren“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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IRLML6401.pdf
B 2003 3 03 C 1994 4 04 D 1995 5 LOT 1996 6 CODE 1997 7 1998 8 1999 9 PART NUMBER CODE REFERENCE: 2000 0 24 X 25 Y 26 Z A= IRLML2402 B = IRLML2803 W= (27-52)IF PRECEDED BY ALETTER C= IRLML6302 WORK D = IRLML5103 YEAR Y WEEK W E = IRLML6402 F = IRLML6401 2001 A 27 A 2002
in „parasitäres Glimmen beim LED-Muxing. Transistoren? Einstreuungen?“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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IRLML6401.pdf
B 2003 3 03 C 1994 4 04 D 1995 5 LOT 1996 6 CODE 1997 7 1998 8 1999 9 PART NUMBER CODE REFERENCE: 2000 0 24 X 25 Y 26 Z A= IRLML2402 B = IRLML2803 W= (27-52)IF PRECEDED BY ALETTER C= IRLML6302 WORK D = IRLML5103 YEAR Y WEEK W E = IRLML6402 F = IRLML6401 2001 A 27 A 2002
in „LED Multiplexer glimmt“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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Schaltplan.pdf
100R0 6N8 100V 39R 2N2 400V MR854 1 W RP B 2I FLMP FLMP D 13 U4 3 W KI 7 / 0F 7 / KI V D37B IRF630NPBF 13 6 1R2M R 1 1 1R8MBC550C 3 Q32B 6 G N 6752 3 V 1W 0. 0 W K. Q15B 9W 0I B W 8I 3 BAV21 TO220 Z 3 R/ 3 R / 6 BC560C 5101 6 U 2 W RM 8/ 5M 9 / KM 6 . 1 3 1 1 4 8 / 0F R1 1 R 61 R130B S 5 Q9B TO92
in „Funktion Protectschaltung“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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IRLML6401.pdf
IRLML9301 YWW = 432 = DF 2018 2008 H R = IRLML9303 YWW = 503 = 5C 2019 2009 J 2020 2010 K 50 X 51 Y 52 Z Note: For the most current drawing please refer to IR website at http://www.irf.com/package 7 www.irf.com © 2014 International Rectifier Submit Datasheet Feedback April 28, 2014 IRLML6401PbF Micro3™
in „3,3 V schalten mit möglichgst geringem Spannungsabfall“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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Control_S03_Sch_4011.pdf
3 B3 off4,25V on4T1+V 8 PC817C 1k G1 Brushless Pumpe 537620 Shurflo 8000 Druckpumpe 12V 7A 3,4bar 34m 6,5l/min 390l/h 210x110x105mm Betriebsdauer Dauerlauf 209€ Schr1-3_Wi2 4 3,2V 2 B2 on3,0V 150mVT2-V 9 N-FET-G T3_N-FET IRF1405 55V 169A 5,3mR 5480p Vgsth2-4V M3x8 VA DIN84 D 4 1 1 B1 7SW-Therm70GC 5A
in „Laufzeitbegrenzung für 12V Pumpe mit Akku, Solarmodul, Step-Up, Zeitschaltuhrbetrieb LED-Anzeige MPP“ · Projekte & Code ·
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irf7389.pdf
N-P ±100 nA VGS = ±20V Q Total Gate Charge N-Ch 22 33 g P-Ch 23 34 N-Channel N-Ch 2.6 3.9 D = 5.8A, DS = 15V, GS = 10V Q gs Gate-to-SourceCharge nC P-Ch 3.8 5.7 P-Channel Q Gate-to-Drain("Miller")Charge N-Ch 6.4 9.6 gd P-Ch 5.9 8.9 D = -4.9A, DS= -15V, GS = -10V N-Ch
in „Treiber für Push-Pull 12V?“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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irf7389.pdf
N-P ±100 nA VGS = ±20V Q Total Gate Charge N-Ch 22 33 g P-Ch 23 34 N-Channel N-Ch 2.6 3.9 D = 5.8A, DS = 15V, GS = 10V Q gs Gate-to-SourceCharge nC P-Ch 3.8 5.7 P-Channel Q Gate-to-Drain("Miller")Charge N-Ch 6.4 9.6 gd P-Ch 5.9 8.9 D = -4.9A, DS= -15V, GS = -10V N-Ch
in „Brushless DC Motorsteureung Dysfunktion AVR444“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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DS_IRFB7430.pdf
Recovery Current vs. di fdt Fig. 20 - Typical Stored Charge vs. dif/dt 260 F = 100A V = 34V 220 R TJ= 25°C TJ= 125°C ) C 180 ( R QR 140 100 60 0 200 400 600 800 1000 diF/dt (A/μs) Fig. 21 - Typical Stored Charge vs. di /dt f www.irf.com 7 IRFB7430PbF Driver Gate Drive P.W. D.U.T + P.W. Period
in „MOSFET Steuer vs Hauptkreis“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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irlz34n.pdf
PD - 9.1307B IRLZ34N HEXFET Power MOSFET l Logic-Level Gate Drive l Advanced Process Technology D V = 55V l Dynamic dv/dt Rating DSS l 175°C Operating Temperature l Fast Switching R DS(on) = 0.035 G l Fully
in „IRLZ34N anschliessen ?“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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IRLR7843C.pdf
125 150 175 TC , Case Temperature (°C) T J Temperature ( °C ) Fig 9. Maximum Drain Current vs. Fig 10. Threshold Voltage vs. Temperature Case Temperature 10 ) J 1 t Z D = 0.50 ( s 0.20 n 0.10 RR R2R p 0.1 τ 1 2 Ri (°C/W) τi (sec) e 0.05 JJ τCτ 0.5084 0.000392 R 1 τ a
in „H-Brücke - 30A - MOSFET“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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Sinuswechselrichter.pdf
GND XFMR1 6.49K LGD1 +12V 2N2222 1 0 1 0 1 0 1 0 IC16D IC16E R 2 R 2 R 2 R 2 L1OUT 9 8 11 10 R34 Q27 74C14 74C14 22N2907 Q10 Q9 Q8 Q7 IRF620 IRF620 IRF620 IRF620 R35 Q33 47K D14 2N2222 GND 1N4148 4 K +C35 R 4 2 0 R 2 22uF R43 4 2 R 2 1K Q32 C28 C29 C30 C31 Q34 2N2907 GND IC16C 2N7000 2 0 2 0 2 0 2 0 0.22uF 0.22uF 0.22uF 0.22uF U2OUT 5 6 R 2 R 2 R 2 R 2 74C14 GND Q20 Q19 Q18 Q17 IRF620 IRF620 IRF620 IRF620 R9 XFMR2 XFMR2 6.49K LGD2 +12V Q36 2 R 1 R 0 R 9 R IC16B IC16A 2N2222 R 2 R 2 R 2 R 2 R45 L2OUT 3 4 1 2 2K35 74C14 74C14 2N2907 IRF620 IRF620 IRF620 IRF620 R46 47K GND Abbildung
in „Wechselrichter Spannung und Frequenz steuerbar für Teichpumpe“ · Haus & Smart Home ·
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irlb3034pbf-Datasheet.pdf
(ave) av Fig 15. Maximum Avalanche Energy vs. Temperature www.irf.com 5 IRLB3034PbF 3.0 14 ) F = 78A ( 2.5 12 V = 34V e R t TJ= 25°C o 10 V 2.0 TJ= 125°C o ) s ( 8 r 1.5 t R t I 6 a ID = 250µA , 1.0 ID = 1.0mA t 4 S ID = 1.0A G 0.5 V 2 0.0 0 -75 -50 -25 0 25 50 75
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IRLB3034PbF.pdf
(ave) av Fig 15. Maximum Avalanche Energy vs. Temperature www.irf.com 5 IRLB3034PbF 3.0 14 ) F = 78A ( 2.5 12 V = 34V e R t TJ= 25°C o 10 V 2.0 TJ= 125°C o ) s ( 8 r 1.5 t R t I 6 a ID = 250µA , 1.0 ID = 1.0mA t 4 S ID = 1.0A G 0.5 V 2 0.0 0 -75 -50 -25 0 25 50 75
in „Aufwärtsschaltregler bauen“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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IRLB3034.pdf
(ave) av Fig 15. Maximum Avalanche Energy vs. Temperature www.irf.com 5 IRLB3034PbF 3.0 14 ) F = 78A ( 2.5 12 V = 34V e R t TJ= 25°C o 10 V 2.0 TJ= 125°C o ) s ( 8 r 1.5 t R t I 6 a ID = 250µA , 1.0 ID = 1.0mA t 4 S ID = 1.0A G 0.5 V 2 0.0 0 -75 -50 -25 0 25 50 75
in „Logic Level Mosfet - Welcher "kann mehr"“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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IRLU2905.pdf
on Forward Turn-On Time Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by LS+LD) 2 www.irf.com IRLR/U2905ZPbF 1000 1000 VGS VGS TOP 10V TOP 10V ) 9.0V ) 9.0V ( 7.0V ( 7.0V n 5.0V n 5.0V e 4.0V e 4.0V u 100 3.5V u 100 3.5V C BOTTOM 3.0V C BOTTOM 3.0V c c u u o o - - - - i 10 i 10 3.0V r r
in „Batterieschutzschaltung. Murks oder möglich?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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Devices.txt
LSP11 8 LM358D 8 LM324N 8 LEDSIDELED 8 LAMP 8 IV9 8 IRF7314 8 IRF510 8 HD-H101 8 G07R 8 FOLIENKONDENSATOR_100N/40V2 8 DIODE-DO15-12 8 CPOL-EUB45181D 8 CPOL-EUA 8 C-EUC1812K 8 C-EU075-042X103 8 C-EU025-040X050 8 BC639-NPN-TO92-BCE 8 B45196-A 8 7805TV
in „[KiCad] Bibliotheksaufbau - Konzeptideen gesucht“ · Platinen ·
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IRLZ34.pdf
PD - 9.1307B IRLZ34N HEXFET Power MOSFET l Logic-Level Gate Drive l Advanced Process Technology D V = 55V l Dynamic dv/dt Rating DSS l 175°C Operating Temperature l Fast Switching R DS(on) = 0.035 G l Fully
in „einzellzellen entladung für nimh akku“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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All.txt
(obsolete) 1 D9 P6SMB6.8A P6SMBXXA SMB 1 D9 LED3MM LED3MM LED3MM LED 1 D9 BYV28 BYV28 SOD64-12 1 D9 1N4148 1N4148DO35-10 DO35-10 DIODE 1 D9 1N4148 1N4148 DO35-10 DIODE 1 D8 ZPD33 ZPD DO35Z10 Z DIODE 1 D8 SR104 1N5638
in „[KiCad] Bibliotheksaufbau - Konzeptideen gesucht“ · Platinen ·
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10115_Schaltplan.pdf
V 7 nc GND A B 1 Y 6 µ D111N4148 RELAIS-RT-2U-12V 7 0 D Z C 2 6N138 R 4 UB- 10K +3V3 Netz_N_230 R62 IC7 IC1 Netz_L_230 10K (nb) 10K R32 7 PC0 M11 PC0 PC8 M5 PC8 230V Wechselrichter 1M 1M R33 R34 nc Vcc 3 0 KL9 Netz_N R28 R29 10K (nb) UB+ Vf+ VB R 1 PC1 M3 PC1
in „Heizungssteurung im Eigenbau“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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an-937_gateDrive.pdf
shown in Figure 23. As a stand-alone component they can be used for duty cycles between 35 and 65%. IRF7309 OR IRF7509 BATT1 7 8 19V R3 R5 10k 4.7K 2 1 D2 GATE ISO1 LED C2 R1 2 8 Q3 4 3 10 IN+ A VCC 3.3k OUT 7 R5 EMITTER R4 1K D1 EN 6 C1 1K 3.9V C3 0.1 5 6 10 IN- 3 C VEE 5 HCPL2200 2N2222 3.9V UNDERVOLTAGE
in „Gatekapazität (FET)“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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irfiz34n.pdf
PD - 9.1489B IRFIZ34N HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology l Isolated Package D V DSS = 55V l High Voltage Isolation = 2.5KVRMS l Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8mm R DS(on) = 0.04Ω l Fully Avalanche
in „Mosfet Treiber Baustein“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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irg4bc30w.pdf
c 1 l l o C , , C IC I V GE = 15V V CC = 50V 20µs PULSE WIDTH 5µs PULSE WIDTH 1 0.5.0 6.0 7.0 8.0 9.0 10.0 11.0 1 10 VCE , Collector-to-Emitter Voltage (V) VGE , Gate-to-Emitter Voltage (V) Fig. 2 - Typical Output Characteristics Fig. 3-TypicalTransferCharacteristics www.irf.com 3 14/"*+! 9 ( 25 3.0
in „Ersatz für IGBT G4BC30W“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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Bauteile.pdf
. 20 5 Widerstand 22K 350V 2W 5% Radial 1000 6 Mos-Fet IRF3315 150V 27 0,07Ω TO252-3 30 7 Widerstand 30K 150V 0,25W Radial 2000 8 Mos-Fet IRF3379 30V 0,045Ω SO8 Treiber1xN/1xPKanal 9 Treiber TLP250 35V 1,5A IC Treiber#al 85 10 Microkontroller P80C592FFA 8BitMicrokontoller
in „Elektronik Bauteile Neuwertig , meist Leistungselektronik“ · Markt ·
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PSpice_LibraryguideOrCAD.pdf
PWRMOS.OLB Power MOSFET IRF9641 IRF9641 PWRMOS.OLB Power MOSFET IRF9642 IRF9642 PWRMOS.OLB Power MOSFET IRF9643 IRF9643 PWRMOS.OLB Power MOSFET IRF9Z10 IRF9Z10 PWRMOS.OLB Power MOSFET IRF9Z12 IRF9Z12 PWRMOS.OLB Power MOSFET IRF9Z20 IRF9Z20 PWRMOS.OLB Device Type Generic Name Part Name Part Library Mfg. Name Tech Type Power MOSFET IRF9Z22 IRF9Z22 PWRMOS.OLB Power MOSFET IRF9Z30 IRF9Z30 PWRMOS.OLB Power MOSFET IRF9Z32 IRF9Z32 PWRMOS.OLB
in „pSpice - Bauteil hinzufügen.“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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Weidezaun_S03_4093.pdf
Gr1 u , In1 In2 Out 12 3-15V C3 BC807 R9 GND IRLB3034pbf 40V 195A 1,4-2mR 10nF Vgsth1-2,5V 0,49K/W N-Ch 0,35€ mm2 AWG EinadrigMehradriginadrig l 4 L L H 4 2,9V 11 1k nc3k3 empfindliche Tiere z.B. Hunde 2600Vs Impulsenergie 0,1J, Ladeenergie 0,12J 0,34 22 8A 6A 6A i 9 L H H 13NAND 1,9V DVM_DPM951 (DVM_BY428VG H21mm, 3000V Ri30MR)k no T2/T3 THR1>10V 9200Vs Entladeenergie max. 5J (maximal erlaubter Wert gemäß Tierschutzgesetz) Ladeenergie: 8,201,0 18
in „Weidezaun gegen Schnecken mit Netztrafo und Rohr DN160 für Hobbygärtner“ · Projekte & Code ·
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Values.txt
37 BC547B 37 470R 37 1M 37 1k5 37 120 36 LED3MM 36 BC548 36 100 34 4.7k 34 120k 33 DT6 33 33p 32 TPB2,54 32 IRF350 32 7805T 32 33 31 BC557 31 1µ 30 47nF 29 10 k 28 4013D 28 200 27 220n 27 10u/25V/X5R 26 18pF 26 100R 25 MEGA32-P 24 RS485-DUPLEX-SN65HVD30 24 BYV28 24
in „[KiCad] Bibliotheksaufbau - Konzeptideen gesucht“ · Platinen ·
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irfh5300pbf.pdf
J Operating Junction and -55 to + 150 T Storage Temperature Range °C STG Notes through are on page 9 1 www.irf.com © 2015 International Rectifier Submit Datasheet Feedback Ma1y9, 2015 IRFH5300PbF Static @ T = J5°C (unless otherwise specified) Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions BV DSS Drain-to-Source
in „Beschaltung Mosfet für Brushless-Regler“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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Weidezaun_S03_4093.pdf
1 1 Salat o 2 C tau=10/50ms T5 1k GND D1 5 2x AWG22 0,34qmm D1,15mm Litze bl/or C V C3 C3b IC1C R14 G C6 100n R8 D5 55/94Vac 0,5mA D 4,7u RM5 4,7u 1210 9 100k S2 GND C3 T2+I-LED=0,5mA On1,5msmA GND Neon Bulb 4x10mm1,79€/2#2 220uF+2k7 -80Vs@15ms, +34Vs@20ms
in „Weidezaun gegen Schnecken mit Netztrafo und Rohr DN160 für Hobbygärtner“ · Projekte & Code ·
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Bauteile.pdf
P12MN50 500 V 12A 0,3Ω TPO220 32 Bauteil Mos-Fet 5R140P 550 V 23,0A 0,140Ω TPO220 33 Bauteil Mos-Fet IRF3315 150V 27 0,07Ω TO252-3 30 34 Bauteil Mos-Fet IRF3379 30V 0,045Ω SO8 Treiber1x N/1x PKanal 35 Bauteil Mos-Fet W5NB90 900V 9,7S 1Ω 282 36 Bauteil Mos-Fet STW13NB60 600V 13A 0,54mΩ NKanal 112 37 Bauteil