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irf9z34n.pdf
PD - 9.1485B IRF9Z34N ® HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology D l Dynamic dv/dt Rating V DSS = -55V l 175°C Operating Temperature l Fast Switching R DS(on) = 0.10 l P-Channel G l Fully Avalanche
in „IRF9Z34N als Ersatz für BUZ171“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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P-MOSFET_IRF9Z34N.pdf
PD - 9.1485B IRF9Z34N ® HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology D l Dynamic dv/dt Rating V DSS = -55V l 175°C Operating Temperature l Fast Switching R DS(on) = 0.10 l P-Channel G l Fully Avalanche
in „Pegelwandler 0/5V zu 5V/-9V“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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IRF9Z34-Vishay.pdf
IRF9Z34, SiHF9Z34 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY • Dynamic dV/dt Rating VDS (V) - 60 • Repetitive Avalanche Rated Available R (Ω) V = - 10 V 0.14 DS(on) GS • P-Channel RoHS* Qg(Max
in „Saito Pro Charger Batterieladegerät - Mikrocontroller ATmel ATTINY26L defekt?“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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Transistoren_cht.pdf
B IR IRF9Z24 -60 0.28 11 60 TO-220AB 2SJ438 B IR IRF9Z24N -55 0.175 -12 45 TO-220AB 2SJ438 B IR IRF9Z24S -60 0.28 11 60 D2PAK 2SJ312 A IR IRF9Z34 -60 0.14 18 88 TO-220AB 2SJ349 B IR IRF9Z34N -55 0.1 -17 56 TO
in „Frage Mosfet“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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Power_MOSET_Cross_reference.pdf
B IR IRF9Z24 -60 0.28 11 60 TO-220AB 2SJ438 B IR IRF9Z24N -55 0.175 -12 45 TO-220AB 2SJ438 B IR IRF9Z24S -60 0.28 11 60 D2PAK 2SJ312 A IR IRF9Z34 -60 0.14 18 88 TO-220AB 2SJ349 B IR IRF9Z34N -55 0.1 -17 56 TO
in „Schaltregler Fragen“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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Infineon_20176A.pdf
IRF540NPBF SP001561906 IRF540NPBF PG-TO220-3 1_cip20176_a Page 1 of 3 12/21/2020 PCN N° 2020-176-A0 Capacity expansion with introduction of an additional assembly and final test location at Huayi Microelectronics
in „Unstimmigkeit bei IRLB4030 Bestellung“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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irl7486mpbf-936689.pdf
1.60 0.059 0.063 F N.C 18.4 N.C 0.724 G 12.4 14.4 0.488 0.567 H 11.9 15.4 0.469 0.606 Note: For the most current drawing please refer to IR webite at http://www.irf.com/package/ † Qualification Information Industrial * Qualification
in „Reparatur Makita XWT08Z (DTW1002Z)“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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plan3.pdf
40 R4 3BC327-40 2 T26 2 PB1 PA1 2 1 1 R38 2 2 1 2 39 1 2 2 T4 2 T25 1 2K 3PB2 PA2 38 2K 1T3R5 K24 IRF3205 1 2 R39 1 4PB3 PA3 37 1R6 2 1 IRF3205 FEDERKRAFTKLEMME605_T1_P2 3 2 27 1 C7 5PB4 PA4 36 3 PB5 PA5 127 2 2K 1 2 6 35 2K FEDERKRAFTKLEMME605_T1_P2 7PB6 PA6 34 K9 3 R40 100nF R61 8PB7 PA7 33 C2 3 2
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Amilo_Core_Erzeugung.pdf
_1 59_OFS Z2611 Z2616 5 OFS PWM2 20 59_COMP PR151 +5V_DVEN 6 COMP GND 19 549_1 CPU_VIN Z2612 Z2617 PC131 PC132 7 FB ISEN2 18 4.7n/25V *56p/50V 59_IOUT PQ28 PQ32 PQ36 Mobile AMD Athlon 64 X7R NP0 9 IOUT ISEN3 17
in „Laptop geht nicht an: MOSFET 4C06N?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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3x_MOSFET_parallel_gnd_getrennt_V1.3.pdf
+15V +15V X7-3 3 + OP_2_HIGH_SIDE_RIGHT +15V_T2 X7-2 2 8 +C15 C7 AGND R18 2 7 47µ 100n P$1*4T1 1 T2.1 ST6,3W X7-1 330R 3 6 U1 -15V + D 5 +VC N 7 1 1 6 A 2 R 2 IN1 OUT1 7 TLP250F GND_T2 3 IN2 OUT2 8 P$1*4T2 IN3 OUT3 ST6,3W +15V_T3+4 4 IN4 OUT4 9 2 5 IN5 OUT5 10 3 D C33 + C321 Z 9 0 0V M
in „H-Brücke Messungen und Meinung“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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PFC_FBC.pdf
/PCINT19)PC3 I K C C _ R 100nF T8/T9 T12/T13 R GND_SEC GND CS (TCK/PCINT18)PC2 21 O D E L A D C T2 D17 T4 k T7 D6 T9 D8 T11 T13 k ADC_CS_SEC (SDA/PCINT17)PC1 20 S _ I C A D T2_GATE G IRF3205 RFN10NS3S T4_GATE G IRF3205 1 T7_GATE
in „PFC + Vollbrücken-Gegentaktwandler“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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irf7389.pdf
GS J IGSS Gate-to-SourceForwardLeakage N-P –– — ±100 nA V GS= ±20V Q Total Gate Charge N-Ch — 22 33 g P-Ch — 23 34 N-Channel N-Ch — 2.6 3.9 ID = 5.8A, DS= 15V, VGS = 10V Q gs Gate-to-SourceCharge nC P-Ch — 3.8 5.7 P-Channel Q Gate-to-Drain(
in „Mini-FET's“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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IRF7389_N-P-Channel_30V_5.3A_0.058Ohm.pdf
GS J IGSS Gate-to-SourceForwardLeakage N-P –– — ±100 nA V GS= ±20V Q Total Gate Charge N-Ch — 22 33 g P-Ch — 23 34 N-Channel N-Ch — 2.6 3.9 ID = 5.8A, DS= 15V, VGS = 10V Q gs Gate-to-SourceCharge nC P-Ch — 3.8 5.7 P-Channel Q Gate-to-Drain(
in „DC-Motor mit HIP2101“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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irf7389.pdf
GS J IGSS Gate-to-SourceForwardLeakage N-P –– — ±100 nA V GS= ±20V Q Total Gate Charge N-Ch — 22 33 g P-Ch — 23 34 N-Channel N-Ch — 2.6 3.9 ID = 5.8A, DS= 15V, VGS = 10V Q gs Gate-to-SourceCharge nC P-Ch — 3.8 5.7 P-Channel Q Gate-to-Drain(
in „H-Brücke am µC“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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MOSFET-irfiz34v.pdf
= 25°C, L = 180µH Pulse width ≤ 400µs; duty cycle ≤ 2%. R = 25 , I = 30A. (See Figure 12) Uses IRFZ34V data and test conditions G AS 2 www.irf.com IRFIZ34V 1000 1000 TOP 15V TOP 15V 10V 10V ) 8.0V ) 8.0V ( 6.0V ( 6.0V n 5.5V t 5.5V e BOTTOM 4.5V e BOTTOM 4.5V u100 u100 C C e e u r o o - - - - i i 4.5V
in „Frage zur Optokoppler“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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Schaltplan.pdf
0 B 33U 16V 1/4W 100P 100V 16 W6:B W6:O 16 8 W 7I 6874 R1 2 9 / 2. 1 / 3F D V 2 Z 1 6 4 0I 18K 5 W 2 MINI 0 B 6 W 9. K D 9 C I 4K12 5 1 4M R 1 R 1 Z 4 R 1 2M MINI 1 / R. R138B D28B 9 W 1 3 W R 1 0 W1 1 W 1. 1 2 3 1 A 4 P G . 16 W6:C W6:N 16 R . TO126 B U 5 2N6517
in „Funktion Protectschaltung“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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DALIHardware.pdf
DC T-ND 22 1 D9 5.6V Zener SM T Digi-K ey ZM M 5232B DC T 23 1 D6 Digi-K ey 24 1 L1 EM I Inductor, 1x10mH, 0.7Panasonic ELF-15N007A 25 1 L2 PFC Inductor, 2.0mH, 2.0ApCoilcraft Z9264-B Inductor, 2.0m H, 2.0Apk Z9265-
in „DALI Steuerung“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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irlml6401.pdf
Voltage (V) Fig 7. Typical Source-Drain Diode Fig 8. Maximum Safe Operating Area Forward Voltage 4 www.irf.com IRLML6401 5.0 ) 80 I J D ( TOP -1.9A g -3.4A 4.0 e BOTTOM -4.3A ) n 60 ( E n h e 3.0 n u l C v 40 i A r 2.0 s , u D P - l 20 1.0 n S , S EA 0 0.025 50 75 100 125 150 25 50 75 100 125 150 ° T C Case
in „CMOS Transistoren“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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IRLML6401.pdf
Voltage (V) Fig 7. Typical Source-Drain Diode Fig 8. Maximum Safe Operating Area Forward Voltage 4 www.irf.com IRLML6401 5.0 ) 80 I J D ( TOP -1.9A g -3.4A 4.0 e BOTTOM -4.3A ) n 60 ( E n h e 3.0 n u l C v 40 i A r 2.0 s , u D P - l 20 1.0 n S , S EA 0 0.025 50 75 100 125 150 25 50 75 100 125 150 ° T C Case
in „parasitäres Glimmen beim LED-Muxing. Transistoren? Einstreuungen?“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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IRLML6401.pdf
Voltage (V) Fig 7. Typical Source-Drain Diode Fig 8. Maximum Safe Operating Area Forward Voltage 4 www.irf.com IRLML6401 5.0 ) 80 I J D ( TOP -1.9A g -3.4A 4.0 e BOTTOM -4.3A ) n 60 ( E n h e 3.0 n u l C v 40 i A r 2.0 s , u D P - l 20 1.0 n S , S EA 0 0.025 50 75 100 125 150 25 50 75 100 125 150 ° T C Case
in „LED Multiplexer glimmt“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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IRFR2307Z.pdf
Voltage (V) Fig 7. Typical Source-Drain Diode Fig 8. Maximum Safe Operating Area Forward Voltage 4 www.irf.com IRFR/U2307Z 60 2.5 LIMITED BY PACKAGE c I = 32A n D 50 s VGS = 10V s ) R 2.0 ( n n 40 O r e d u u i C 30 o a 1.5 a - r D - o , 20 i ( ID r , ) 1.0 10 ( S D 0 R 0.5 25 50 75 100 125 150 175 -60 -
in „MOSFET IRFR2307Z“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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irf7389.pdf
N-P ±100 nA VGS = ±20V Q Total Gate Charge N-Ch 22 33 g P-Ch 23 34 N-Channel N-Ch 2.6 3.9 D = 5.8A, DS = 15V, GS = 10V Q gs Gate-to-SourceCharge nC P-Ch 3.8 5.7 P-Channel Q Gate-to-Drain("Miller")Charge
in „Treiber für Push-Pull 12V?“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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irf7389.pdf
N-P ±100 nA VGS = ±20V Q Total Gate Charge N-Ch 22 33 g P-Ch 23 34 N-Channel N-Ch 2.6 3.9 D = 5.8A, DS = 15V, GS = 10V Q gs Gate-to-SourceCharge nC P-Ch 3.8 5.7 P-Channel Q Gate-to-Drain("Miller")Charge
in „Brushless DC Motorsteureung Dysfunktion AVR444“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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IRLML6401.pdf
Voltage (V) Fig 7. Typical Source-Drain Diode Fig 8. Maximum Safe Operating Area Forward Voltage 4 www.irf.com © 2014 International Rectifier Submit Datasheet Feedback April 28, 2014 IRLML6401PbF 5.0 80 J D ( TOP -1.9A y -3.4A 4.0 r BOTTOM -4.3A ) n 60 ( E t e e 3.0 c u a C a 40 i A r e D 2.0 l , P -D e
in „3,3 V schalten mit möglichgst geringem Spannungsabfall“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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Control_S03_Sch_4011.pdf
3 B3 off4,25V on4T1+V 8 PC817C 1k G1 Brushless Pumpe 537620 Shurflo 8000 Druckpumpe 12V 7A 3,4bar 34m 6,5l/min 390l/h 210x110x105mm Betriebsdauer Dauerlauf 209€ Schr1-3_Wi2 4 3,2V 2 B2 on3,0V 150mVT2-V 9 N-FET-G T3_N-FET IRF1405 55V 169A 5,3mR 5480p Vgsth2-4V M3x8 VA DIN84 D 4 1 1 B1 7SW-Therm70GC 5A
in „Laufzeitbegrenzung für 12V Pumpe mit Akku, Solarmodul, Step-Up, Zeitschaltuhrbetrieb LED-Anzeige MPP“ · Projekte & Code ·
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irlz34n.pdf
PD - 9.1307B IRLZ34N HEXFET Power MOSFET l Logic-Level Gate Drive l Advanced Process Technology D V = 55V l Dynamic dv/dt Rating DSS l 175°C Operating Temperature l Fast Switching R DS(on) = 0.035 G l Fully
in „IRLZ34N anschliessen ?“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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DS_IRFB7430.pdf
turn-on time is negligible (turn-on is dominated by LS+LD) www.irf.com 3 IRFB7430PbF 1000 1000 VGS TOP 15V TOP 10V 10V ) 8.0V ) 8.0V ( 7.0V ( 7.0V n 6.0V n 6.0V e 100 5.5V e 5.5V u 4.8V u BOTTOM 4.5V C BOTTOM 4.5V C c c u u 100 S S o o - 10 n 4.5V a a D 4.5V D , ,
in „MOSFET Steuer vs Hauptkreis“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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IRLR7843C.pdf
125 150 175 TC , Case Temperature (°C) T J Temperature ( °C ) Fig 9. Maximum Drain Current vs. Fig 10. Threshold Voltage vs. Temperature Case Temperature 10 ) J 1 t Z D = 0.50 ( s 0.20 n 0.10 RR R2R p 0.1 τ 1 2 Ri (°C/W) τi (sec) e 0.05 JJ τCτ 0.5084 0.000392 R 1 τ a
in „H-Brücke - 30A - MOSFET“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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Sinuswechselrichter.pdf
Q15 Q14 Q13 Q12 IRF620 IRF620 IRF620 IRF620 1500uF 1500uF GND R124 XFMR1 GND GND XFMR1 6.49K LGD1 +12V 2N2222 1 0 1 0 1 0 1 0 IC16D IC16E R 2 R 2 R 2 R 2 L1OUT 9 8 11 10 R34 Q27 74C14 74C14 22N2907 Q10 Q9 Q8 Q7 IRF620
in „Wechselrichter Spannung und Frequenz steuerbar für Teichpumpe“ · Haus & Smart Home ·
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Devices.txt
8 IV9 8 IRF7314 8 IRF510 8 HD-H101 8 G07R 8 FOLIENKONDENSATOR_100N/40V2 8 DIODE-DO15-12 8 CPOL-EUB45181D 8 CPOL-EUA 8 C-EUC1812K 8 C-EU075-042X103 8 C-EU025-040X050 8 BC639-NPN-TO92-BCE 8 B45196-A 8 7805TV
in „[KiCad] Bibliotheksaufbau - Konzeptideen gesucht“ · Platinen ·
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irlb3034pbf-Datasheet.pdf
( °C ) Fig 9. Maximum Drain Current vs. Fig 10. Drain-to-Source Breakdown Voltage Case Temperature 2.5 )1200 J ID ( g1000 TOP 38.9A 2.0 e 65.3A E BOTTOM195A e 800 ) c µ 1.5 a y a r A 600 n e E 1.0 u P 400 l n 0.5
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IRLB3034PbF.pdf
( °C ) Fig 9. Maximum Drain Current vs. Fig 10. Drain-to-Source Breakdown Voltage Case Temperature 2.5 )1200 J ID ( g1000 TOP 38.9A 2.0 e 65.3A E BOTTOM195A e 800 ) c µ 1.5 a y a r A 600 n e E 1.0 u P 400 l n 0.5
in „Aufwärtsschaltregler bauen“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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IRLB3034.pdf
( °C ) Fig 9. Maximum Drain Current vs. Fig 10. Drain-to-Source Breakdown Voltage Case Temperature 2.5 )1200 J ID ( g1000 TOP 38.9A 2.0 e 65.3A E BOTTOM195A e 800 ) c µ 1.5 a y a r A 600 n e E 1.0 u P 400 l n 0.5
in „Logic Level Mosfet - Welcher "kann mehr"“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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IRLU2905.pdf
––– 14 21 nC on Forward Turn-On Time Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by LS+LD) 2 www.irf.com IRLR/U2905ZPbF 1000 1000 VGS VGS TOP 10V TOP 10V ) 9.0V ) 9.0V ( 7.0V ( 7.0V n 5.0V n 5.0V
in „Batterieschutzschaltung. Murks oder möglich?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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All.txt
(obsolete) 1 D9 P6SMB6.8A P6SMBXXA SMB 1 D9 LED3MM LED3MM LED3MM LED 1 D9 BYV28 BYV28 SOD64-12 1 D9 1N4148 1N4148DO35-10 DO35-10 DIODE 1 D9 1N4148 1N4148 DO35-10 DIODE 1 D8 ZPD33 ZPD DO35Z10 Z DIODE 1 D8 SR104 1N5638
in „[KiCad] Bibliotheksaufbau - Konzeptideen gesucht“ · Platinen ·
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300W-Inverter.pdf
1L3 2 OUT4 L F1 3 4 OUT2 N 15A C12 C16 2 2 1 1 2 2 1 1 2 2 1 1 222M/400V 222M/400V S2 S1 S2 S1 S2 S1 R39 R38 R54 R53 R R R 100k 100k RF18 100k 100k RF8 OUT1 PE TP1 P2 TP1 P2 TP1 P2 R11 IRF540 R3 IRF540 1 4 9 1 1 4 9 1 1 4 9 1 D11 D14 10 9 10 9 BATTERY_FUSED 5 Z 1 Z 2 k Z B 1 k Z B RF3 R 4 R 4 IRF540 RF3-2-6 R16 10 RF4 C3 C27 R17 IRF540 RF4-5-9 222M/400V 222M/400V 10 RF2 R24 IRF540 10 IRF540 R77 RF6 10 IRF540 GND R79 10 RF9 R80 IRF540
in „$40 GDI inverter, neuerdings qualitätsprobleme?“ · Haus & Smart Home ·
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300W-Inverter.pdf
1L3 2 OUT4 L F1 3 4 OUT2 N 15A C12 C16 2 2 1 1 2 2 1 1 2 2 1 1 222M/400V 222M/400V S2 S1 S2 S1 S2 S1 R39 R38 R54 R53 R R R 100k 100k RF18 100k 100k RF8 OUT1 PE TP1 P2 TP1 P2 TP1 P2 R11 IRF540 R3 IRF540 1 4 9 1 1 4 9 1 1 4 9 1 D11 D14 10 9 10 9 BATTERY_FUSED 5 Z 1 Z 2 k Z B 1 k Z B RF3 R 4 R 4 IRF540 RF3-2-6 R16 10 RF4 C3 C27 R17 IRF540 RF4-5-9 222M/400V 222M/400V 10 RF2 R24 IRF540 10 IRF540 R77 RF6 10 IRF540 GND R79 10 RF9 R80 IRF540
in „Wie ist ein billiger Grid Tie Inverter aufgebaut ?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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IRLZ34.pdf
PD - 9.1307B IRLZ34N HEXFET Power MOSFET l Logic-Level Gate Drive l Advanced Process Technology D V = 55V l Dynamic dv/dt Rating DSS l 175°C Operating Temperature l Fast Switching R DS(on) = 0.035 G l Fully
in „einzellzellen entladung für nimh akku“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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10115_Schaltplan.pdf
K11 P6SMB9CA BSS123 K2X4 Wechselr UB+ +12V_Rel + IC9 +3V3 Rel1 , 100nC25 VK2 D 7 C8 +5V Netz_L C3 9 P C 2 nc Vcc 0 K D Z 2 IC6 Netz_L_230 R39 Vf+ VB 4 0 100nC26 R23 R 1 230V Netz Netz_N t 470/1W W 100nF 470/1W Vf- VO Netz L2 l 100nF 9 5 + Netz_N_230 b V 7 nc GND A B 1 Y 6 µ D111N4148 RELAIS-RT-2U-12V 7 0 D Z C 2 6N138 R 4 UB- 10K +3V3 Netz_N_230 R62 IC7 IC1 Netz_L_230 10K (nb) 10K R32 7 PC0 M11 PC0 PC8 M5 PC8 230V Wechselrichter
in „Heizungssteurung im Eigenbau“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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irfiz34n.pdf
PD - 9.1489B IRFIZ34N HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology l Isolated Package D V DSS = 55V l High Voltage Isolation = 2.5KVRMS l Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8mm R DS(on) = 0.04Ω l Fully Avalanche
in „Mosfet Treiber Baustein“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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PSpice_LibraryguideOrCAD.pdf
PWRMOS.OLB Power MOSFET IRF9641 IRF9641 PWRMOS.OLB Power MOSFET IRF9642 IRF9642 PWRMOS.OLB Power MOSFET IRF9643 IRF9643 PWRMOS.OLB Power MOSFET IRF9Z10 IRF9Z10 PWRMOS.OLB Power MOSFET IRF9Z12 IRF9Z12 PWRMOS.OLB Power MOSFET IRF9Z20 IRF9Z20 PWRMOS.OLB Device Type Generic Name Part Name Part Library Mfg. Name Tech Type Power MOSFET IRF9Z22 IRF9Z22 PWRMOS.OLB Power MOSFET IRF9Z30 IRF9Z30 PWRMOS.OLB Power MOSFET IRF9Z32 IRF9Z32 PWRMOS.OLB
in „pSpice - Bauteil hinzufügen.“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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an-937_gateDrive.pdf
3.3k OUT 7 R5 EMITTER R4 1K D1 EN 6 C1 1K 3.9V C3 0.1 5 6 10 IN- 3 C VEE 5 HCPL2200 2N2222 3.9V UNDERVOLTAGE OUTPUT SINGLE TO SPLIT LOCK-OUT BUFFER POWER SUPPLY Figure 15a: Optoisolated driver with UV lockout and negative gate bias AN-937 (v.Int
in „Gatekapazität (FET)“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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ABLIC-S-8520-8251_Series.pdf
Corporation External transistor SOT-89-3 package (MOS FET) V GS20 V max., ID: 2.4 A max.,th : 1 V min., IRF7606 International RectifCeiss 470 pF typ.,on : 0.15 max.GS= 4.5 V), Corporation Micro 8 package 34 STEP-DOWN,PWMCONTROLorPWM/PFMSWITCHABLESWITCHINGREGULATORCONTROLLER Rev.9.0 _02 S-8520/8521 Series
in „EHAYP 7606 - Welcher IC?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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LM358D 8 IV9 8 IRF7314 8 IRF510 8 green 8 ca. 6W 8 BAT54C 8 820 8 680 8 68 8 58R 8 50r 8 47 8 390R 8 3.3nF 8 22R 8 22P 8 200n 8 170 8 12 MHz 8 1,2K 8 10µH 8 0.1 7 TPSQPAD1-20Y 7 TPSPAD1-13Y 7 TLE2062 7 PORTB 7 NEB21R
in „[KiCad] Bibliotheksaufbau - Konzeptideen gesucht“ · Platinen ·
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Bauteile.pdf
250V 0,315A Träge PE10St. 20 5 Widerstand 22K 350V 2W 5% Radial 1000 6 Mos-Fet IRF3315 150V 27 0,07Ω TO252-3 30 7 Widerstand 30K 150V 0,25W Radial 2000 8 Mos-Fet IRF3379 30V 0,045Ω SO8 Treiber1xN/1xPKanal 9 Treiber TLP250 35V 1,5A IC Treiber#al 85 10 Microkontroller P80C592FFA 8BitMicrokontoller
in „Elektronik Bauteile Neuwertig , meist Leistungselektronik“ · Markt ·
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Weidezaun_S03_4093.pdf
RM7,62 1 1 Salat o 2 C tau=10/50ms R8 1k GND D1 5 2x AWG22 0,34qmm D1,15mm Litze bl/or C V C3 C3b IC1C C6 100n D5 55/94Vac 0,5mA D 4,7u RM5 4,7u 1210 9 GND C3 T2+I-LED=0,5mA On1,5msmA GND Neon Bulb 4x10mm1,79€/2#2 220uF+2k7 -80Vs@15ms, +34Vs@20ms, +300Vpk@1ms 6V+
in „Weidezaun gegen Schnecken mit Netztrafo und Rohr DN160 für Hobbygärtner“ · Projekte & Code ·
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irfh5300pbf.pdf
––– 15 °C/W R θJA Junction-to-Ambient g ––– 35 R (<10s) Junction-to-Ambient g ––– 21 θJA 2 www.irf.com © 2015 International Rectifier Submit Datasheet Feedback May 192,015 IRFH5300PbF 1000 1000 VGS VGS TOP 10V TOP 10V ) 5.0V ) 5.0V t 4.5V t 4.5V n 3.5V n 3.5V r 3.0V r 3.0V u 100 2.9V u 2.9V C BOTTOM
in „Beschaltung Mosfet für Brushless-Regler“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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irg4bc30w.pdf
Pulse Duration (sec) Fig.6-MaximumEffectiveTransientThermalImpedance,Junction-to-Case 4 www.irf.com 14/"*+! 9 2000 20 VGE = 0V, f = 1MHz V CC = 400V Cies= Cge + gc , Cce SHORTED IC = 12A Cres= Cgc ) Coes= Cce + gc ( 16 1500 e ) t p o e r 12 n ies t i 1000 i a E p t 8 C t C a 500 , Coes E 4 V Cres
in „Ersatz für IGBT G4BC30W“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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Bauteile.pdf
12A 0,3Ω TPO220 32 Bauteil Mos-Fet 5R140P 550 V 23,0A 0,140Ω TPO220 33 Bauteil Mos-Fet IRF3315 150V 27 0,07Ω TO252-3 30 34 Bauteil Mos-Fet IRF3379 30V 0,045Ω SO8 Treiber1x N/1x PKanal 35 Bauteil Mos-Fet W5NB90 900V 9,7S 1Ω 282 36 Bauteil Mos-Fet STW13NB60 600V 13A 0,54mΩ NKanal 112 37 Bauteil
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Weidezaun_S03_4093.pdf
1 1 Salat o 2 C tau=10/50ms T5 1k GND D1 5 2x AWG22 0,34qmm D1,15mm Litze bl/or C V C3 C3b IC1C R14 G C6 100n R8 D5 55/94Vac 0,5mA D 4,7u RM5 4,7u 1210 9 100k S2 GND C3 T2+I-LED=0,5mA On1,5msmA GND Neon Bulb 4x10mm1,79€/2#2 220uF+2k7 -80Vs@15ms, +34Vs@20ms
in „Weidezaun gegen Schnecken mit Netztrafo und Rohr DN160 für Hobbygärtner“ · Projekte & Code ·