Hallo allerseits, auf dem beigefügten Bild ist die Endstufe eines einfachen Wechselrichters für nicht sinusförmige Ausgangsspannung abgebildet. Mich interressiert, was passieren würde, wenn man die beiden Dioden BYV27 samt der 220nF-Kondensatoren, Z-Diode und 18 Ohm-Widerstand weglassen würde. Gehe ich recht in der Annahme, daß diese Bauteile die beim Abschaltmoment der Transistoren entstehende Rückschlagspannung able
Sorry, da gab es ein "Malheur". Hier der ganze Text: Hallo allerseits, auf dem beigefügten Bild ist die Endstufe eines einfachen Wechselrichters für nicht sinusförmige Ausgangsspannung abgebildet. Mich interressiert, was passieren würde, wenn man die beiden Dioden BYV27 samt der 220nF-Kondensatoren, Z-Diode und 18 Ohm-Widerstand weglassen würde. Gehe ich recht in der Annahme, daß diese Bauteile die beim Abschaltmoment der Transistoren entstehende Rückschlagspannung ableiten? Dient das dem Schutz der MOSFETs? Erleiden diese sonst einen defekt? Was passiert, wenn man anstatt der BYV27 normale 1N4004 beispielsweise verwenden würde? Zur Info: Die FETs werden als reine Schalter wechselweise mit 50 Hz angesteuert, am Knoten zwischen den BYV27 ("schnelle" Diode) und den 220nF-Kondensatoren liegen im Betrieb ca. 28 Volt an, die Z-Diode wird nicht warm. Als Trafo kommt ein Typ mit zwei gleichen Wicklungen zum Einsatz, die so in Reihe verschaltet sind, daß die "Mittelanzapfung" an +12 Volt liegt. Da ich selbst in solchen Fällen immer frage: "Wo ist hier nun der Mikrocontroller?" möchte ich bemerken, daß gelegentlich ähnliche Wechselrichterprojekte bereits diskutiert wurden und das Wissen um die Auslegung der Endstufe nützlich sein kann. Gruß
Na, wie schützt ihr den Ausgangstransistor bei induktiver Last? Gruß
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