Hallo, ich hab mal gesehen, dass es Dioden ohne Sperrverzugszeit gibt. Allerdings komme ich leider nicht mehr auf den Namen. Kennt jemand zufällig einen Hersteller oder gar den Namen einer solchen Diode. Die Diode sollte für einen Strom von 25A ausgelegt sein und eine Sperrspannung von 60V haben. Google konnte mir leider nicht weiter helfen und bei diversen Herstellern ist auch nix zu finden. Gruß Daniel
Daniel S. wrote:
> ich hab mal gesehen, dass es Dioden ohne Sperrverzugszeit gibt.
Ohne? Wohl kaum. Schottkys sind aber deutlich schneller, als normale...
Ohne Sperrverzugszeit kommt keine Diode aus. Ob es Soft/Fast/Ultrafast-Recovery-Typen im Nanosekunden-Bereich sind oder Schottky-Dioden mit Picosekunden. Ein Bischen Kapazität steckt überall drin und Ladungsträger brauchen Zeit zum Verschieben. Wahrscheinlich meinst Du die Letzte.
Ja gänzlich ohne wird nicht machbar sein. Das die im Picosekundenbereich liegen wäre möglich. Ich meine die Dioden, oder der Hersteller, hießen irgendwas mit "Cr" am Anfang. Mir fällt nur leider der Name nicht mehr ein. Und Google war ebenfalls leider keine Hilfe. @Düsentrieb Die MBR2060 sehen nicht schlecht aus, aber im Datenblatt steht leider nix zu trr... @Wolf Kennst du eine Diode, welche im Pikosekundenbereich arbeitet für die o.g. Daten?
.... er will ja einen Kawenzmann: 60V und 25A. In der Spannung gar nicht mal hoch aber der Dauer-Strom machts. Die Schottkys kenne ich nur als Klein-Signal-Dioden, die halten solchen Strom nur eine Halbwelle und nonrepetitive aus.. Am Besten er verrät, was damit geschehen soll.
Schau dir mal SiC (silicium carbide) Dioden an. Vielleicht ist es das was du suchst.
... "CR" als Typenbezeichnung weiß ich nix im Moment. Mitsubishi hat Kleinleistungs-Thyristoren mit dieser Bezeichnung. Wenn Du sie mal gesehen hast, welches Gehäuse hat sie?
Daniel S. wrote: > @Düsentrieb > Die MBR2060 sehen nicht schlecht aus, aber im Datenblatt steht leider > nix zu trr... Weil Schottky-Dioden keine trr haben. Es ist allerdings normalerweise die "Junction Capacitance" angegeben, damit kannst du dir ausrechnen wieviel Strom zurückfliesst. Bei der für dich passenden MBR2560 ist die mit ~ 1nF angegeben. Wenns noch viel schneller werden soll, gibt es noch GaAs-Schottky-Dioden, die gehen dann auch bis ettliche GHz. => http://www.ixyspower.com/store/Family.aspx?i=36
Ich baue ein Schaltnetzteil, Buck-Topologie.... Das Gehäuse war ein TO247. Das mit dem "Cr", da kommen noch 2 oder 3 Buchstaben, hab da auch schon alles mögliche versucht zu ergooglen, aber es hat nichts gebracht. Das Problem bei den Schottky-Dioden ist die Leistung die ich benötige. Dachte vllt. kennt zufällig jemand die Diode die ich meinte. Naja, ich such mal weiter, wird sich schon irgendwo was passendes finden lassen. Falls ich die doc noch finden sollte geb ich bescheid. Ansonsten erstmal vielen Dank an alle!
Ich nochmal, ich nehme alles zurück und behaupte das Gegenteil, es handelt sich um Silizium Carbid Schottky Dioden... die Dioden sind von "Cree"... ich wusste das es was mit Cr war ;) Naja, die gibt's mit entsprechender Sperrspannung und Strom.
> Die MBR2060 sehen nicht schlecht aus, aber im Datenblatt steht > leider nix zu trr... Die trr wird bei Schottky-Dioden nicht angegeben, weil diese keine Rückwärtserholzeit brauchen. Die Schaltzeiten werden im Wesentlichen durch die Kapazität der Diode begrenzt, die aber nichts mit dem Rückwärtserholverhalten zu tun hat. Die Kapazität sollte im Datenblatt zu finden sein. > Die Diode sollte für einen Strom von 25A ausgelegt sein und eine > Sperrspannung von 60V haben. > Ich baue ein Schaltnetzteil, Buck-Topologie Bei einem solchen, schon etwas größeren Wandler wäre zu überlegen, ob nicht ein Synchrongleichrichter mit einem MOSFET anstelle der Diode geschickter wäre, da dieser deutlich weniger heizt.
Werd mir die Dioden von Intersil mal anschauen.... @Yalu Du meinst also anstelle der Diode einen weiteren MosFET einzusetzen, und diesen dann entsprechend invertiert zu dem eigentlich Transistor zu steuern?
> Du meinst also anstelle der Diode einen weiteren MosFET einzusetzen, > und diesen dann entsprechend invertiert zu dem eigentlich Transistor > zu steuern? Genau so war das gemeint. Der MOSFET ist zwar etwas teurer als die Diode und die Ansteuerung dafür etwas komplizierter, da die beiden MOSFETs überlappungsfrei geschaltet werden müssen. Diesen Zusatzaufwand nimmt man aber bei größeren Wandlern gerne in Kauf, um den Wirkungsgrad zu verbessern.
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