Hi! Das Transistor ist doch ein stromgesteuertes Bauteil. Jedoch benötige ich doch um den Arbeitspunkt richtig zu bestimmen auch ein Diagramm im Datenblatt, wo UBE im Verhältnis zu IC dargestellt wird... oder zumindest UBE im Verhältnis zu IB. Dann könnte ich über die Stromverstärkung auch IC berechnen. Woher weiß ich wie groß sich eine Basisspannungsänderung im Strom IB bemerkbar macht? Ich habe einen Impedanzwandler, der auf eine bestimmte Spannung UBE vorgestreckt wird. Mit einer Wechselspannung per C eingekoppelt möchte ich das der Transistor diese Spannung ausgibt ohne dass er in die Begrenzung fährt. Um dies zu schaffen benötige eine Angabe, wie groß (Vss) das Eingangssignal maximal sein darf. Die Diagramme die im Datenblatt vorhanden sind sind IC/UCE, hFE/IC und VBE(sat)/IC
Wenn du IB/UBE nicht hast, kannst du näherungsweise UBE = const., etwa 0,7 V annehmen.
ich habe aber einen Darlington TIP110. Wenn es kein Darlington wäre und ich den Transistor dann auf 0,7V vorstrecke, wie groß darf aber dann die überlagerte Wechselspannung sein um ihn nicht in die Begrenzung zu steuern?
Ein Darlington wird für das was du willst nicht geeignet sein. Entweder Kollektorschaltung, oder als Switch. Guck dir mal im Datenblatt den Verstärkungsfaktor abhängig vom Kollektorstrom an. Der schwankt um mehrere Größenordnungen. Außerdem bekommst du bei einer so hochohmigen Ansteuerung Probleme mit Rückkopplungen. Wenn du keinen Darlington hast: Guck dir an in welchem Bereich die Verstärkung (abhängig vom Basisstrom) halbwegs konstant verläuft, die Mitte davon nimmst du als Ruhestellung. Dann weist du wieviel Basisstrom du im Ruhezustand brauchst, wieviel max und wieviel min möglich ist, ohne dass es zu großartigen Verzerrungen kommt.
Was du suchst ist die Steilheit im Arbeitspunkt. Dein Transistoreingangswiderstand rbe kannst du nährungsweise nach der folgenden Formel ausrechnen: rbe = UT/IB Dabei ist UT die sogennante Temperaturspannung bei Raumtemperatur ca. 25mV IB ist den Basisstrom im Arbeitspunkt. mit der Beziehung IC/IB = B ergibt sich rbe = (UT*B)/IC mit den weiteren Beziehungen ube /rbe = ib ib * B = ic uce = ic * RL ergibt sich V = (RL * IC)/ UT dabei ist IC / UT = S die Steilheit im Arbeitspunkt Also wird V = RL * S man sieht das die Spannungsverstärkung der Stufe unabhängig von der Stromverstärkung wird und damit auch in erster Linie unabhängig vom jeweiligen Transistor . Man sieht aber auch das die Verstärkung von IC abhängig ist und damit von der Stabilität des Arbeitspunktes. Auch gilt das nur für kleine Signalspannungen im mV Bereich da ansonsten die Verzerrungen zunehmen. Besser ist es du spendierst den Transistor im Emitter einen Gegenkopplungswiderstand dann bestimmt nämlich in erster Linie das Verhältnis RL / RE deine Verstärkung. Oder genauer RL /(RE+re). Da aber meinstens RE > re ist kann man re vernachlässigen.
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