Gast
#919802
Nachdem ich von den Eigenschaften eines BS250 zum schalten von z.B. 7 Segmentanzeigen sehr erfreut bin, wollte ich nun mal etwas größeres dranhängen. Dabei fiel mir auf, dass man wohl einen bestimmten Potentialunterschied zwischen Gate und Drain haben muss um einen Mosfet aufzumachen. Bei normalen Bipolaren Transistoren ist es sehr einfach aus dem Datenblatt mithilfe von Stromverstärkung bei gewissen Rahmenbedingungen einen Basisstrom zu berechnen, mit dem ich einen Strom durch den Kollektor schicken kann. Doch wie verhält sich das bei Mosfets? Angenommen ich möchte mit normalen TTL level 12V oder 20V steuern. ... Wo kann ich dem Datenblatt entnehmen, wie groß die Differenz zwischen Gate und Drain mindestens sein muss (also beim BS250 z.B.). Ich blicke da leider nicht so durch :(