GaAs / Rauschen

Chris,
> warum GaAs Hf-Transistoren i.d.R. eine geringere NF haben haben als...

Diese Frage wird wohl keiner verstehen, sonst würde darauf eingegangen.
Hmm, eine geringere NF (Niederfrequenz)...
Das ist ein Widerspruch in sich, die Materialkombination GaAs wird für 
Hochfrequenzbauteile genommen, eben weil es dafür am geeignetsten ist, 
die phys. Erklärung hast Du genannt.

> Diese Frage wird wohl keiner verstehen, sonst würde darauf eingegangen.
> Hmm, eine geringere NF (Niederfrequenz)...

NF = Noise Figure

Zur ursprünglichen Frage: Ich denke es liegt nicht nur am Material, 
sondern vor allem daran, dass die HF-Transistoren als FETs gebaut sind 
und somit der Basisbahnwiderstand entfällt. Dieser trägt bei BJTs 
erheblich zur Rauschzahl bei. GaAs FETs (HEMT) haben durch die höhere 
Elektronenbeweglichkeit im Vergleich mit MOSFETs eine geringere 
Gatelänge, was letztlich zu geringerem Rauschen führt.

ok, war etwas missverständlich ausgedrückt - ich habe mit NF die 
Rauschzahl gemeint. Daher danke an Klaus, genau das wollte ich wissen =)

Gruss
Chris

Endlich einige Bewegungen für Dein Thema.
> Wenn ja, wie genau ?

Gleichermaßen ausschlaggebend sind

Materialauswahl: Kombination eines Materials mit großem 
Energiebandabstand  mit einem Material mit geringem Bandabstand, um an 
der Grenzfläche einen Energiesprung zu bekommen.

Technologie: besonderes Schichtwachstum  und Schichtenfolge für die 
Bildung eines ("2-dimensionalen") Elektronengases, dabei werden 
Elektronen von den Dotierstoffionen getrennt.

Durch diese Besonderheiten wird die Wechselwirkung der Ladungsträger mit 
den Atomen stark herabgesetzt und damit das Rauschen.