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an Bipolar-Basis höhere Spg erlaubt ?
Gast
#938674
Ich hab mal gehört, dass man bei einem P-Kanal-FET an seinem Gate keine höhere Spannung anlegen sollte. Wie sieht es bei PNP- bzw. bei NPN-Transistoren aus? Darf da an der Basis eine höre Spannung an liegen als an seinem Collector oder Emitter? Du solltest dir mal die Grundlagen eines BPT anschauen. Du wirst sehen, dass die Basis IMMER ca. 0,7 Volt über dem Emitter liegt (einfache Diodenstrecke). Was den Kollektor angeht musst du einfach ins Datenblatt schauen, was da maximal angegeben ist. MfG Marius
Gast
#938705
Bei den meisten PNP-Transistoren darf die Basis-Emitter-Spannung nicht höher als etwa 6V liegen, bei NPNs entsprechend nicht niedriger als -6V.
Gast
#939027
>Ich hab mal gehört, dass man bei einem P-Kanal-FET an seinem Gate keine >höhere Spannung anlegen sollte. höher als was? Generel vertragen übliche Leistungs-Mosfets +/- 15V, manche auch bis 20 V (z.B. IRF9522 oder so) gegenüber Source (genaueres siehe Datenblatt des jeweiligen Typs). Bei den Bipolaren T's ist es wie breits oben geschildert.
Gast
#939066
yalu, > Bei den meisten PNP-Transistoren darf die Basis-Emitter-Spannung nicht > höher als etwa 6V liegen, bei NPNs entsprechend nicht niedriger als -6V. >> bei NPNs entsprechend nicht niedriger als -6V Ich würde schreiben: "bei NPNs entsprechend nicht höher als -6V." Wolf wrote:
> Ich würde schreiben: "bei NPNs entsprechend nicht höher als -6V."
Schreib lieber "Das Potenzial an der Basis darf um nicht mehr als 6 V
niedriger sein als am Emitter". Dann ist es eindeutig und keiner kommt
mit irgendwelchen Vorzeichen durcheinander.
Gast
#939104
> Ich würde schreiben: "bei NPNs entsprechend nicht höher als -6V." > Schreib lieber "Das Potenzial an der Basis darf um nicht mehr als 6 > V niedriger sein als am Emitter" Danke, damit dürften die letzten potenziellen Missverständnisse ausgeräumt sein. Letztendlich geht es darum, dass die maximale Sperrspannung der Basis-Emitter-Diode sehr gering ist (nämlich eben diese 6V oder vielleicht auch ein paar mehr) und ein Durchbruch vermieden werden sollte. Im Gegensatz zur Isolationsschicht beim MOSFET führt ein Durchbruch der Basis-Emitter-Diode bei geeigneter Strombegrenzung zwar nicht undbedingt zum Tod, aber der maximal erlaubte Strom ist sehr gering, bei Kleinleistungstransistoren liegt teilweise er unter 1mA, wie ich schon erfahren durfte :)
Gast
#939143
Der Nullpunkt liegt zwischen -0 und +0.
Gast
#943532
Ich würde ja sagen, er liegt bei -0 und auch bei +0. ^^ Generell kann man auch die Basis-Emitter Diode in Sperrbetrieb sowie die Collektor-Basis Diode in Flußbetrieb betreiben...das ist dann halt nur net der Normalbetrieb eines Bipolartransistors Ich hab mich schon öfters gefragt, wie viel Strom da in die falsche Richtung fließen darf. Man betreibt somit die BE-Strecke als Zener-Diode... Ich hab oft sicherheitshalber noch eine Diode vorgeschaltet, wenn ich wissentlich negative Spannung an die Basis anlegte. Doch bei einem 100kOhm Basis-Vorwiderstand (bei zB -10V) sollte das nicht mehr nötig sein, oder? Hallo, früher (tm) habe ich die BE-Strecke schonmal als Z-Diodenersstz genutzt, wenn gerade keine zur Hand war... Allerdings hätte ich in einer normalen Schaltung da Bedenken über das Verhalten. Eine entsprechend gepolte Diode parallel zu BE wäre mir da lieber und so teuer sind die ja auch nicht. Kommt natärlich auf den Zweck der Schaltung an, bei 100k Basiswiderstand denke ich aber, daß es ohnehin nicht um sonderlich hohe Frequenzen geht. Gruß aus Berlin Michael
Gast
#1062600
Oder doch. Es kann sein, daß mit diesem hohen Basiswiderstand der Durchbruchstrom so niedrig ist, daß die BE-Diode nicht zerstört wird. Ob das elektrische Feld das jedoch anders sieht, ist sehr möglich. Das ist eben die Frage. Machts das Elektrische Feld, oder der Strom... Schalte einfach eine 1N4148 antiparallel zur BE Strecke und gut ist. Ja, schon klar, dass das funktioniert, aber dann mache ich es immer, obwohl ich gar nicht weiß, ob sie eigentlich notwendig ist... Im Allgemeinen möchte ich WISSEN, was ich da tu. Hallo, @Karl Zeilhofer: Die Datenblätter geben doch die maximale Ube in Sperrichtung an. Du kennst Deine Schaltung und Du muß dafür sorgen, daß das so eingehalten wird. Daß die BE-Diode z-Dioden öhnliches Verhalten hat, ist sicher auch den Herstellern bekannt und wohl technologisch bedingt. Es interesiert aber für die Verwendung eines Transistors nicht und somit gibt es dazu keine Daten. Es hindert Dich natürlich niemand, ein paar 100 Stück zu nehmen, eine Messreihe zu machen, Kennlinien aufzunehmen usw. usw., um besagte Paralleldiode einzusparen. ;) Gruß aus Berlin Michael Antwort schreiben |
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