Mosfet vs. Transistor

IGBTs gibt's auch noch. Das ist eine Kombination aus mosfet und bipolar 
Transistor. Nutzt man vorzugsweise bei hohen Spannungen und großen 
Leistungen.

Hallo Franz,

Ja klar schaltet ein IGBT auch wieder ab. Deine Frage tendiert nach 
Parallelen zum Thyristor bzw. Triac oder?

Im Prinzip steuerst du einen IGBT wie einen MOSFET quasi "leistungslos" 
am Gate an (*). Darum hast du auch keinen "Steuerstrom" sondern nur eine 
Steuerspannung am Gate gegen den Emitter.
Zwischen Kollektor und Emitter verhält er sich jedoch wie ein bipolarer 
Transistor.

Vorteil ist, dass man im "an"-Zustand zwischen C und E nie mehr als die 
Sättigungsspannung erreicht. Die Verlustleistung ist demnach nur
P = U*I;
Da U_sat = const steigt die Verlustleistung nur linear mit dem Strom;
Ein Mosfet hat im Vergleich dazu nahezu konstanten Rds_on, die 
Verlustleistung also
P = I² * R,
wobei die Verlustleistung quadratisch mit dem Strom ansteigt.
(bei Vernachlässigung der Schaltverluste in beiden Fällen!)

(*) Für die Besserwisser unter den Mitlesern: Ja ja, ich weiß, je höher 
die Ansteuerfrequenz, desto mehr Strom zur Gateumladung etc...

Gruß
Christian

FETs sind bei hohen Spannungen ekelhaft, weil du bei einer 
Spannungschwankung von zB. 500V am Drain auch ordentlich was auf's Gate 
bekommst (Kapazität zw. Gate und Drain).

Hallo JensG,

mach das Spiel doch anders rum:
Nimm als Anwendungsfall doch mal 1,6kV Sperrspannung und 600A 
Dauerstrom.

Jetzt suche dir jeweils einen IGBT und einen MOSFET die das können und 
dann vergleiche nochmal.

Gruß
Christian

Trotz aller Vorzüge von MOSFETs und IGBTs haben bipolare Transistoren 
nach wie vor ihre Daseinsberechtigung. Es gibt diverse Schaltungen, die 
sich mit MOSFETs garnicht oder nur schwer realisieren lassen. Die 
Stromsteuerung und die niedrige Schwellspannung bipolarer Transistoren 
sind der Hauptgrund dafür. Hier einige Beispiele:
Einfache Strombegrenzungsschaltungen mit bipolaren Transistoren kommen 
mit relativ geringen Spannungsverlusten am Shunt-Widerstand aus.
Spannungsfolger, z.B. für MOSFET-Treiber, baut man mit bipolaren 
Transistoren auf, weil der Spannungshub nicht viel mehr als 1 V 
verliert.
Ein Stromspiegel funktioniert nur mit bipolaren Transistoren vernünftig.
Eine Thyristor-Ersatzschaltung, bestehend aus je einem NPN- und einem 
PNP-Transistor ist mit MOSFETs so nicht machbar
Viele Leistungsoszillatoren haben mit bipolaren Transistoren ein 
deutlich besseres Anschwingverhalten, da sich der Arbeitspunkt des 
bipolaren Transistors vor dem Anlauf wesentlich besser einstellen läßt.

Jörg

Ja

Ganz so einfach ist es auch nicht. Sonst könnte man aus einem FET mit 
Widerstand zwischen Gate und Source einen BJT machen, und aus einem BJT 
mit Basiswiderstand einen FET.

Hallo,

wie wäre es mal mit einem Feld-Effekt-Thyrister, einer 
Isolated-Gate-Bipolar-Pentode, ein Schotky-Triac oder einer 
Unijunctionsdiode? ;)

@Danteln

Ein weiterer Unterschied zwischen Mosfet's und bipolar-T's ist, dass 
sich der bipolar-T für höhere Frequenzen eignet. Bei einem 
Hochfrequenzverstärker kommen meist bipolar-T's zum Einsatz.