Hallo Leute, ich hätte da eine klitzekleine Frage: Kann mir jemand erklären, was die beiden oben genannten Begriffe bedeuten? Haben die die selbe Bedeutung, oder hat das "...on" schon seine eigene Bedeutung? Danke&LG Hanno
Der Drain Source Widersatnd im eingeschalteten Zustand. Der sollte moeglichst tief sein. Die Verlustleistung ist I-Quadrat * R.
@ 3366 (Gast) >Der Drain Source Widersatnd im eingeschalteten Zustand. Der sollte >moeglichst tief sein. Sagen wir mal niedrig. Tief sind Meere, Täler und manchmal ein Dekolleté ;-) MfG Falk
Vielen Dank, wenn ich also eine Versorgungsspannung mit einem Mosfet schalten möchte, um dann würde eine Spannung an diesem RDS_on abfallen???
und dieser Spannungsabfall ist I * Rdson. Beispiel: Rdson = 4 mOhm und I = 10 A, ergibt 0,04 V Spannungsabfall.
40mV wäre zu verkraften. allerdings habe ich noch eine kleine Frage. Ich habe vorhin gelesen: "...wodurch eine npn-Struktur entsteht, die vorerst keinen Stromfluss zulässt (vgl. npn-Transistor: ohne Basisstrom ist der Transistor gesperrt)." Ich dachte immer, ein npn ist leitend wenn die basis auf GND liegt, sprich kein strom fliesst? Irre ich mich da? Vielen dank nochmal an alle LG Hanno
@ Hanno (Gast) >"...wodurch eine npn-Struktur entsteht, die vorerst keinen Stromfluss >zulässt (vgl. npn-Transistor: ohne Basisstrom ist der Transistor >gesperrt)." Wo stand das? In welchem Zusammenhang? >Ich dachte immer, ein npn ist leitend wenn die basis auf GND liegt, >sprich kein strom fliesst? Irre ich mich da? Er irrt. MFG Falk
hi Falk, werde nicht ganz schlau, wer irrt? http://de.wikipedia.org/wiki/MOSFET unter dem Punkt: Grundsätzlicher Aufbau am Beispiel eines selbstsperrenden n-Kanal-MOSFETs kannst du das vielleicht näher erleutern? gruss Hanno
Hanno wrote: > hi Falk, werde nicht ganz schlau, wer irrt? > > http://de.wikipedia.org/wiki/MOSFET > > unter dem Punkt: Grundsätzlicher Aufbau am Beispiel eines > selbstsperrenden n-Kanal-MOSFETs Mooooment! Ein "npn" ist ein Bipolartransistor und kein MOSFET! "n-Kanal" ist nicht gleich "npn". Und ob ein MOSFET bei U_GS = 0 leitet oder nicht, hängt nicht davon ab, ob es ein n-Kanal- oder ein p-Kanal-Typ ist, sondern ob es ein selbstsperrender (Enhancement Mode) oder ein selbstleitender (Depletion Mode) MOSFET ist. Und die Aussage "Basis auf GND" ist ziemlich wertlos, solange nicht angegeben wird, auf welchem Potenzial sich die anderen Anschlüsse befinden. Gesteuert wird beim npn-Transistor durch einen Strom, der von der Basis zum Emitter fließt, und wenn der Emitter ein Potenzial annimmt, das niedriger ist als "GND" (was auch immer das sei), dann kann auch ein Basisstrom fließen. Die in dem Artikel angesprochene Sache bezieht sich soweit ich das auf die Schnelle überblicke auf bestimmte Effekte im MOSFET, die u.a. dafür sorgen, dass unterhalb einer gewissen Gate-Source-Spannung gar nicht viel passiert. Ist die Schwellenspannung (U_GSTh, Gate-Source-Threshold-Spannung) überschritten, dann kann ein Strom fließen.
"Ist die Schwellenspannung (U_GSTh, Gate-Source-Threshold-Spannung) überschritten, dann kann ein Strom fließen." So ist das auch nicht. Es wird einfach ein Strom festgelegt, für den eine gewisse Spannung Ugth erforderlich ist. Was nicht heisst, dass bei weniger Spannung kein Strom fliesst.
> Ich dachte immer, ein npn ist leitend wenn die basis auf GND liegt, > sprich kein strom fliesst? Irre ich mich da? Ein NPN leitet dann, wenn ein Strom in die Basis hineinfließt. > "...wodurch eine npn-Struktur entsteht, die vorerst keinen Stromfluss > zulässt (vgl. npn-Transistor: ohne Basisstrom ist der Transistor > gesperrt)." > Mooooment! Ein "npn" ist ein Bipolartransistor und kein MOSFET! > > "n-Kanal" ist nicht gleich "npn". Ein MOSFET ist zwar aus Anwendungssicht kein Bipolartransistor, hat aber Ähnlichkeiten im Aufbau, deswegen ist von einer NPN-"Struktur" die Rede. Nicht nur die Reihenfolge der n- und p-dotierten Gebiete ist gleich, sogar der Dotierungsgrad ist beim selbstsperrenden MOSFET ähnlich. Wahrscheinlich könnte man deswegen einen MOSFET mit getrennt herausgeführtem Substratanschluss tatsächlich als (schlechten) Bipolartransistor missbrauchen, der Substratanschluss ist dabei die Basis, das Gate wird nicht verwendet. Es geht in dem Wikipedia aber nicht darum, einen MOSFET als Bipolartransistorersatz zu nutzen. Vielmehr soll der Vergleich zeigen, warum der selbstsperrende n-Kanal-MOSFET von sich aus nicht leitet: Bei üblicher Beschaltung wird der Substratanschluss (also die "Basis") auf niedrigerem oder gleich hohem Potenzial gehalten wie Drain und Source ("Kollektor" und "Emitter" oder auch umgekehrt). Damit kann kein "Basisstrom" fließen, der Transistor sperrt also. Leitend wird er erst bei Benutzung des vierten Anschlusses, des vom Rest der Anordnung isolierten Gates, über das ein elektrisches Feld erzeugt wird. Der Unterschied zwischen Bipolartransistor und MOSFET liegt also trotz des ähnlichen Aufbaus darin, dass der "Bipolareffekt" durch das niedrige Substratpotenzial absichtlich unterdrückt und durch das hinzugefügte Gate der Feldeffekt hervorgerufen wird. Bei fast allen diskreten MOSFETs ist das Substrat intern mit Source verbunden. Das ist sinnvoll, weil beim n-Kanal-MOSFET Source normalerweise auf dem niedrigsten Potenzial liegt, so dass damit der "Bipolareffekt" unterbunden wird. Wird allerdings die Drain-Source- Spannung umgepolt, liegt Source und damit auch das Substrat auf höherem Potenzial als Drain, so dass tatsächlich ein Substratstrom fließt. Der MOSFET verhält sich jetzt wie ein Biploartransistor, bei dem Kollektor und Basis verbunden sind:
1 | D |
2 | | |
3 | ^ |
4 | \| |
5 | |--. B (intern) |
6 | /| | |
7 | / | |
8 | | | |
9 | +----' |
10 | | |
11 | S |
Drain wird dabei zum Emitter, Source zum Kollektor. Es fließt ein Strom vom Substrat (B) nach Drain und zusätzlich ein um den Stromverstärkungs- faktor des "Biploartransistors" vervielfachter Strom von Source nach Drain. Ich vermute, dass der Stromverstärkungsfaktor sehr klein ist (vielleicht ähnlich wie derjenige eines Biploartransistors im Invers- betrieb, vielleicht sogar kleiner als 1), so dass der "Kollektorstrom" nicht viel größer oder vielleicht sogar kleiner als der "Basisstrom" ist. Die oben gezeichnete Anordnung verhält sich nach außen hin wie eine gewöhnlichen PN-Diode. Das ist dann die altbekannte Substrat- oder Body-diode diskreter MOSFETs. Diese wird also nicht etwa absichtlich als zusätzliches Bauteil in den MOSFET eingebaut, sondern ergibt sich zufällig aus seiner internen Struktur und der Verbindung vom Substrat mit Source. Für selbstleitende MOSFETs kann der Vergleich mit dem Biploartransistor übrigens nicht angewendet werden, da sie zwar ebenfalls eine NPN-Struktur haben, der Dotierungsgrad der einzelnen Gebiete aber ein anderer ist. Deswegen leiten sie trotz des fehlenden "Basisstroms".
> Was bedeutet RDSon ?
R - Widerstand
DS - zwischen Drain und Source
on - wenn der Mosfet an ist (leitet).
@Yalu: OK, ich hatte den Wikipedia-Artikel wie gesagt nur überflogen. Thx für die ausführliche Korrektur.
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