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Forum: Analoge Elektronik und Schaltungstechnik Emitter widerstände?


Autor: Gast (Gast)
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Hallo, ich bin dabei, mir ein Netzteil zu bauen. Es wird analog 
gesteuert und mit 2 MJE3055 gebaut. Ich habe einige Bauvorschläge 
gesehen, in denen am Emitter widerstände eingebaut sind. Was haben die 
für einen sinn, und wie werden die berechnet ???

Danke!!!

Autor: Oliver Döring (odbs)
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Das ist 'ne Stromgegenkopplung. Die Widerstände sorgen u.a. dafür, daß 
sich der Strom gleichmässig auf die Transistoren aufteilt. Anders könnte 
man Leistungstransistoren gar nicht vernünftig parallel schalten. 
Berechnung? "Nach Erfahrung". Sie dürfen nicht zu groß sein, damit der 
Spannungsabfall nicht zu groß wird, aber auch nicht zu klein, damit sie 
überhaupt wirksam sind.

Laß mich raten: 0,22 oder 0,47 Ohm?

Autor: Andreas K. (a-k)
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Die Basis-Emitterspannung variiert abhänging von der aktuellen 
Temperatur des Transistors und der Windrichtung zum 
Produktionszeitpunkt. Und sinkt mit steigender Temperatur, was dem 
Transistor der sowieso schon wärmer ist noch mehr Strom aufhalst. Was 
recht bald zur Überlastung führt.

Der Emitterwiderstand muss also so dimensioniert werden, dass die 
Spannung über diesem erheblich grösser ist als die auftrende Differenz 
der Basis-Emitterspannungen.

Autor: Gast (Gast)
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Die sind so 0,15 ohm groß.

Autor: anderer Gast (Gast)
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Hallo,
wie groß die sind hängt vom Strom ab...
an ihnen sollten (nach meinen erfahrungen) min 3x die Temperaturspannung 
(26mV) abfallen.
Ich rechne immer mit ca. 100mV

Autor: Carsten (Gast)
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>Ich rechne immer mit ca. 100mV

bitte lieber mit etwas mehr als 100mV!

100mV können schon kritisch sein, wenn mehr als 2 parallel
zusammen geschaltet wurden!

Autor: Gast (Gast)
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Also bei 3A (1.5 pro Trans.) und 100mV sind es 0.066666 ohm........
Z.b. 0.1 Ohm  ???

Autor: Carsten (Gast)
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yes sir

Autor: Falk Brunner (falk)
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@ Gast (Gast)

>Also bei 3A (1.5 pro Trans.) und 100mV sind es 0.066666 ohm........
>Z.b. 0.1 Ohm  ???

Also ich glaube der ABSOLUTE Wert ist vollkommen egal. Wichtig ist der 
Temperaturkoeffizient des Emitterwiderstandes, bzw. genauer gesagt die 
Temperaturdrift des Spannungsabfalls bei Temperaturerhöhung. Der muss 
(stark) positiv sein, stärker als der negative Tk des 
Bipolartransisotrs. Jener hat 2mV/K.

Nehmen wir an, unser Transistor macht im Betrieb 100K Übertemperatur, 
macht schlappe 200mV :-0. Die muss der Emitterwiderstand kompensieren. 
Und zwar als Differenz zwischen Leerlauf (kalt) und Vollast(heiss)! Ein 
Konstantanwiderstand würde nicht funktionieren, weil dessen 
Spannungsabfall temperaturUNabhängig ist.

http://www.reichelt.de/?;ARTICLE=2572

Klassischer Hochlastwiderstand, hat aber hier leider nur 400ppm/K. 
Kupfer hat 0,4%/K oder 40.000 ppm/K. Hier könnte man 1/100 des 
Widerstandes einsetzen, als man mit einem normalen Widerstand braucht.
Vorausetztung ist aber bei allen Methoden, dass eine gute thermische 
Koplung zwischen den Leistungstansistoren und den Emitterwiderständen 
herrscht.

Oder man nimmt gleich MOSFETs, die haben einen positiven Tk ;-)

MFg
Falk

Autor: Carsten (Gast)
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@ Falk Brunner

... machs noch koplizierter!

0.1R an 1,5A sind völlich Ok und gängige Praxis.

Autor: anderer Gast (Gast)
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Die widerstände können auch konstant bleiben...

der abfall bezieht sich ja auf die BE Spannung die fällt. Der Strom 
berechnet sich ja aus.
IC = IS * e^(Ube/Ut)

wenn nun der Strom durch einen Transitor, durch erwärmung größer wird, 
steigt die Spannung am Emitter an, somit auch die Basisspannung.

>bitte lieber mit etwas mehr als 100mV!
da gebe ich dir recht, Tietze und Schenk schlägt 10x Ut vor...
da ja auch Is stark schwankt.

Autor: Falk Brunner (falk)
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@Carsten (Gast)

>... machs noch koplizierter!

Ich wollte den Mechanismus darstellen.

>0.1R an 1,5A sind völlich Ok und gängige Praxis.

Hat keiner bestritten.

MFG
Falk

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