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Emitter widerstände?
Gast
#979046
Hallo, ich bin dabei, mir ein Netzteil zu bauen. Es wird analog gesteuert und mit 2 MJE3055 gebaut. Ich habe einige Bauvorschläge gesehen, in denen am Emitter widerstände eingebaut sind. Was haben die für einen sinn, und wie werden die berechnet ??? Danke!!! Das ist 'ne Stromgegenkopplung. Die Widerstände sorgen u.a. dafür, daß sich der Strom gleichmässig auf die Transistoren aufteilt. Anders könnte man Leistungstransistoren gar nicht vernünftig parallel schalten. Berechnung? "Nach Erfahrung". Sie dürfen nicht zu groß sein, damit der Spannungsabfall nicht zu groß wird, aber auch nicht zu klein, damit sie überhaupt wirksam sind. Laß mich raten: 0,22 oder 0,47 Ohm? Die Basis-Emitterspannung variiert abhänging von der aktuellen Temperatur des Transistors und der Windrichtung zum Produktionszeitpunkt. Und sinkt mit steigender Temperatur, was dem Transistor der sowieso schon wärmer ist noch mehr Strom aufhalst. Was recht bald zur Überlastung führt. Der Emitterwiderstand muss also so dimensioniert werden, dass die Spannung über diesem erheblich grösser ist als die auftrende Differenz der Basis-Emitterspannungen.
Gast
#979065
Die sind so 0,15 ohm groß.
Gast
#979478
Hallo, wie groß die sind hängt vom Strom ab... an ihnen sollten (nach meinen erfahrungen) min 3x die Temperaturspannung (26mV) abfallen. Ich rechne immer mit ca. 100mV
Gast
#979576
>Ich rechne immer mit ca. 100mV
bitte lieber mit etwas mehr als 100mV!
100mV können schon kritisch sein, wenn mehr als 2 parallel
zusammen geschaltet wurden!
Gast
#979768
Also bei 3A (1.5 pro Trans.) und 100mV sind es 0.066666 ohm........ Z.b. 0.1 Ohm ???
Gast
#979795
yes sir @ Gast (Gast) >Also bei 3A (1.5 pro Trans.) und 100mV sind es 0.066666 ohm........ >Z.b. 0.1 Ohm ??? Also ich glaube der ABSOLUTE Wert ist vollkommen egal. Wichtig ist der Temperaturkoeffizient des Emitterwiderstandes, bzw. genauer gesagt die Temperaturdrift des Spannungsabfalls bei Temperaturerhöhung. Der muss (stark) positiv sein, stärker als der negative Tk des Bipolartransisotrs. Jener hat 2mV/K. Nehmen wir an, unser Transistor macht im Betrieb 100K Übertemperatur, macht schlappe 200mV :-0. Die muss der Emitterwiderstand kompensieren. Und zwar als Differenz zwischen Leerlauf (kalt) und Vollast(heiss)! Ein Konstantanwiderstand würde nicht funktionieren, weil dessen Spannungsabfall temperaturUNabhängig ist. http://www.reichelt.de/?;ARTICLE=2572 Klassischer Hochlastwiderstand, hat aber hier leider nur 400ppm/K. Kupfer hat 0,4%/K oder 40.000 ppm/K. Hier könnte man 1/100 des Widerstandes einsetzen, als man mit einem normalen Widerstand braucht. Vorausetztung ist aber bei allen Methoden, dass eine gute thermische Koplung zwischen den Leistungstansistoren und den Emitterwiderständen herrscht. Oder man nimmt gleich MOSFETs, die haben einen positiven Tk ;-) MFg Falk
Gast
#979828
@ Falk Brunner ... machs noch koplizierter! 0.1R an 1,5A sind völlich Ok und gängige Praxis.
Gast
#979829
Die widerstände können auch konstant bleiben...
der abfall bezieht sich ja auf die BE Spannung die fällt. Der Strom
berechnet sich ja aus.
IC = IS * e^(Ube/Ut)
wenn nun der Strom durch einen Transitor, durch erwärmung größer wird,
steigt die Spannung am Emitter an, somit auch die Basisspannung.
>bitte lieber mit etwas mehr als 100mV!
da gebe ich dir recht, Tietze und Schenk schlägt 10x Ut vor...
da ja auch Is stark schwankt.
@Carsten (Gast) >... machs noch koplizierter! Ich wollte den Mechanismus darstellen. >0.1R an 1,5A sind völlich Ok und gängige Praxis. Hat keiner bestritten. MFG Falk Antwort schreiben |
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