Einfache Treiberstufe N-FET für Schaltregler

Alexey Gast #980362
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Hallo,

die Treiberstufe im Anhang habe ich im Datenblatt des MC34063 gefunden, 
meine Frage ist jedoch wie schnell ist die? packt die ein paar kHz? 
Sollte ja da der Schaltregler sonst nicht funktioniert.

Kann vielleicht mir jemand die Schaltung erklären?
Mein Verständniss der Schaltung ist so:
Steueranschluss low = pnp-Transistor schlürft das Gate des FETs leer
Steueranschluss High= Spannung rennt über Diode in Gate des FETs.
Nur wird im Umschaltmoment der Transistor nicht ebenfalls kurzzeitig 
leitend und zieht Strom?

Falls mich jemand hier ein klein wenig Aufklären kann wäre ich Dankbar.

Alexey
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Johann L. Persönliche Seite #980377
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Ja.

Beim Ausschalten arbeitet der T als Emitterfolger und beim Einschalten 
geht der STrom über die Diode.

Jeder Transistor zieht beim Schalten Strom. Ein stromgesteuerter Bipolar 
ständig und ein spannungsgesteuerter FET zum Umladen des Gate.

Wie schnell eingeschaltet werden kann hängt ab von dem Strom, den der 
34063 liefern kann.

Wie schnell ausgeschaltet werden kann, hängt vom Strom des 34063 und der 
Stromverstärkung des Treiber-T ab.

Allzu hohe Frequenzen bekommt man damit wohl nicht hin, weil vor allem 
das Einschalten recht lange dauern dürfte.

ansonsten kann man den treiber auch was aufpeppen wie in

Beitrag "Schaltnetzteil: -700V"

oder direkt nen richtigen FET-Treiber...
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avion23 Gast #980385
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Wäre nett wenn jemand das bestätigt/widerlegt:
Der Treiber beschleunigt nur das ausschalten. Das Einschalten wird 
weiter von der vorherigen Treiberstufe (Ausgang MC34063) übernommen. 
Zusätzlich ist es etwas langsamer, weil die Diode 0.7V frisst.

Sinnvoller wäre eine volle totempole Schaltung, die schnell 
ein-/ausschaltet.
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Johann L. Persönliche Seite #980412
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avion23 wrote:
> Das Einschalten wird
> weiter von der vorherigen Treiberstufe (Ausgang MC34063) übernommen.
> Zusätzlich ist es etwas langsamer, weil die Diode 0.7V frisst.

Das Einschalten wird auch durch den R verlangsamt, weil ein Teil seines 
Stromes durch ihn nach GND fliesst und nicht aufs Gate, d.h. das Gate 
erhält die Ladung langsamer als ohne R.

Zudem werden B-E- und B-C-Sperrschicht-Kapazität des Transistors mit 
Ladung gefüttert, was weiter verzögert.
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