IGBT und HEXFRED? was kann man sich darunter vorstellen?

[max (Gast)]

hallo!

ich habe ein datenblatt eines IRG4BC20UD-S (INSULATED GATE BIPOLAR
TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE UltraFast CoPack IGBT)
angesehen. dieser hat ein Gate, Emitter und Collector!?

eine mischung aus FET und normalem bipolarem transistor?
wozu dient die diode?
wo liegen die vorteile? was kann das ding mehr als FET und bipolare
transistoren?

danke, max

[Fritz Ganter (Gast)]

Die Recovery-Diode dient dazu, um die Ladungsträger beim Sperren schnell
aus der Halbleitergrenzschicht auszuräumen, was steilere Schaltflanken
ermöglicht.

[Harald Hermenau (Gast)]

Hallo,
ein IGBT ist ein Bipolar-Transistor, der nicht mit einem Basisstrom
sondern wie ein MOSFET mit einer Gatespannung angesteuert wird. Er ist
deshalb wie ein MOSFET ein spannungsgesteuertes Bauelemnet. Die
Ultrafast-Diode ist eine Freilaufdiode, die benötigt wird, wenn der
IGBT in Brückenschaltungen wie z.B. in Wechselrichtern eingesetzt
wird.
Der Vorteil eines IGBT gegenüber eines bipolar-Transistors ist wie
schon gesagt die Spannungssteuerung und damit ein viel schnelleres
Schaltverhalten. Gegenüber einem MOSFET sticht vor allem seine höhere
Spannungsfestigkeit heraus. IGBT's werden im allgemeinen mit
mindestens 600V Uce hergestellt. Es gibt IGBT's mittlerweile bis zu
6000V und mehreren 100A.
IGBT's mit niedrigen Uce wird es nicht geben, da der Spannungsabfall
im durchgesteuerten Fall im Bereich von ca. 1,2...2,5 liegen kann.
MOSFET's sind im Bereich niedriger Spannungen deshalb deutlich besser
(niedriger Rdson).

Tschüß

[max (Gast)]

vielen dank für die ausführliche antwort!

lg max