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IGBT und HEXFRED? was kann man sich darunter vorstellen?
Gast
#72829
hallo! ich habe ein datenblatt eines IRG4BC20UD-S (INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE UltraFast CoPack IGBT) angesehen. dieser hat ein Gate, Emitter und Collector!? eine mischung aus FET und normalem bipolarem transistor? wozu dient die diode? wo liegen die vorteile? was kann das ding mehr als FET und bipolare transistoren? danke, max
Gast
#72830
Die Recovery-Diode dient dazu, um die Ladungsträger beim Sperren schnell aus der Halbleitergrenzschicht auszuräumen, was steilere Schaltflanken ermöglicht.
Gast
#72831
Hallo, ein IGBT ist ein Bipolar-Transistor, der nicht mit einem Basisstrom sondern wie ein MOSFET mit einer Gatespannung angesteuert wird. Er ist deshalb wie ein MOSFET ein spannungsgesteuertes Bauelemnet. Die Ultrafast-Diode ist eine Freilaufdiode, die benötigt wird, wenn der IGBT in Brückenschaltungen wie z.B. in Wechselrichtern eingesetzt wird. Der Vorteil eines IGBT gegenüber eines bipolar-Transistors ist wie schon gesagt die Spannungssteuerung und damit ein viel schnelleres Schaltverhalten. Gegenüber einem MOSFET sticht vor allem seine höhere Spannungsfestigkeit heraus. IGBT's werden im allgemeinen mit mindestens 600V Uce hergestellt. Es gibt IGBT's mittlerweile bis zu 6000V und mehreren 100A. IGBT's mit niedrigen Uce wird es nicht geben, da der Spannungsabfall im durchgesteuerten Fall im Bereich von ca. 1,2...2,5 liegen kann. MOSFET's sind im Bereich niedriger Spannungen deshalb deutlich besser (niedriger Rdson). Tschüß
Gast
#72832
vielen dank für die ausführliche antwort! lg max Antwort schreiben |
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