Hallo Eddy Current,
> Eigentlich würde ich einen MOSFET empfehlen. Es schreit förmlich danach.
> Und zwar Source an Opamp -, Drain zum zu schaltenden Widerstand und den
> Source ebenum zum Schalten.
>
> An diesem Punkt hängt der Source somit perfekt an einer virtuellen Masse
> und er kann somit sehr leicht angesteuert werden.
hmm - sieht auf den ersten Blick gut aus, hatte ich mir noch gar nicht
überlegt. Ich glaube aber, es funktioniert trotzdem nicht.
- Wenn der FET leitet, ist alles gut.
- Wenn der FET aber sperren soll, leitet er durch seine parasitären
Kapazitäten noch zu viel Strom.
Als Größenorientierung:
Ich will 100kOhm und 22pF in den Leerlauf bringen und stattdessen 1MEG
und 2.2pF schalten.
Ich habe mir mal die DS-Kapazität eines N-FET rausgesucht.
(Die GS-Kapazität ist auch da, das will ich aber jetzt gar nicht so
genau betrachten.) Der BSN20 hat beispielsweise 7pF. Ich glaube, das ist
schon recht wenig für diskrete Bauelemente, denn schnelle Dioden wie
BAV99 haben auch immerhin noch 2-3pF; von 30fF wie beim
DRAM-Speicherkondensator kann man da nur träumen.
7pF in Serie mit 22pF macht 7*22/(29)=5,3pF; da bleiben von den 22pF
immer noch 5,3pF. Ich will aber eigentlich bei 1MEG nur 2.2pF haben.
7pF in Serie mit 100kOhm macht bei 100kHz
| 100kOhm + 1/(jwC) | = sqrt{(100k)^2 + 1/(2*pi*100kHz*7pF)^2}
= sqrt{ (100k)^2 + (230k)^2 } = 250k.
Das ist verdammt wenig im Vergleich zu dem 1MEG, das parallel dazu
geschaltet werden sollen.
Also gut, mit Halbleiterschaltern geht's wohl nicht so einfach.
Da werde ich dann wohl ein Relais nehmen oder ne zweite OPV-Stufe mit
einem deutlich geringerem Rückkopplungswiderstand; dann machen die
Kapazitäten nicht so viel Ärger.
Jumper - wie von jemand anderem vorgeschlagen - wären natürlich erste
Wahl. Das Gerät soll aber in ein abgeschlossenes Gehäuse kommen; dann
müßte man immer aufschrauben.
Gruß,
Michael
