Forum: Mikrocontroller und Digitale Elektronik AVR Eingang mit Spannung schalten


von Peter (Gast)


Angehängte Dateien:

Lesenswert?

Hallo!
Ich benutze folgende Schaltung um einen Pin auf Low zu ziehen wenn 
Spannung anliegt, in diesem bestimmten fall von einem Piezoelement als 
Erschütterungssensor oder wenn einfach VCC angelegt wird.

R2 als Pullup zum µC Pin
Q1 zieht dann wenn er angesteuert wird den Pin auf LOW
R1 hält den FET auf LOW wenn nichts anliegt
D1 und R4 begrenzen die Spannung und den Strom der anliegen kann
D2 ist dafür da falls Wechselspannung anliegt.

Das funktioniert wunderbar, meine frage ist nun, kann man das so machen?
Gerade wenn ein Piezo an dem Eingang hängt, sollte ich noch eine extra 
Diode zwischen SL1-2 und GND hängen und eventuell D2 direkt zwichen 
SL1-1 und r4?

Mfg,
Peter

von HildeK (Gast)


Lesenswert?

Ich denke, da ist alles ok. Es funktioniert ja auch wunderbar. :-)
Zwischen SL1-2 und GND eine Diode? Wozu? Ein Pol ist der Bezugspunkt und 
der liegt völlig korrekt an GND.
D2 sitzt auch richtig, denn sie macht eine Spitzenwertgleichrichtung und 
lädt den unvermeidlichen Gate-C auf und sperrt gleichzeitig ein 
schnelles Entladen, wenn die negative Halbwelle vom Eingang kommt. Nach 
deinem Vorschlag würde dann die Z-Diode direkt am Gate liegen und deren 
Leckströme würden die Gatekapazität viel zu schnell entladen.

Besser wäre hier nur, statt die parisitären Kapazität des Gates zu 
nutzen eine selbst bestimmte hinzuzuschalten. Zur Wahrung der 
Zeitkonstante muss dann aber R1 verkleinert werden.

von Peter (Gast)


Lesenswert?

Hallo HildeK, danke für das Feedback!
1
Zwischen SL1-2 und GND eine Diode? Wozu? Ein Pol ist der Bezugspunkt und
2
der liegt völlig korrekt an GND.

Stimmt... irgendwie, gerade weiss ich auch nicht wie ich auf die Idee 
gekommen bin ;^^
1
D2 sitzt auch richtig, denn sie macht eine Spitzenwertgleichrichtung und
2
lädt den unvermeidlichen Gate-C auf und sperrt gleichzeitig ein
3
schnelles Entladen, wenn die negative Halbwelle vom Eingang kommt. Nach
4
deinem Vorschlag würde dann die Z-Diode direkt am Gate liegen und deren
5
Leckströme würden die Gatekapazität viel zu schnell entladen.

Oh, hast recht, daran hab ich irgendwie garnicht gedacht.
1
Besser wäre hier nur, statt die parisitären Kapazität des Gates zu
2
nutzen eine selbst bestimmte hinzuzuschalten. Zur Wahrung der
3
Zeitkonstante muss dann aber R1 verkleinert werden.

Darann hatte ich auch erst gedacht aber es reicht mir wenn der Zustand 
wenige ms gehalten wird.

Mfg,
Peter

Bitte melde dich an um einen Beitrag zu schreiben. Anmeldung ist kostenlos und dauert nur eine Minute.
Bestehender Account
Schon ein Account bei Google/GoogleMail? Keine Anmeldung erforderlich!
Mit Google-Account einloggen
Noch kein Account? Hier anmelden.