Diode für Schaltnetzteil gesucht

(Firma: Rehrmann Elektronik) #1008246
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GB wrote:

> Die einzigen Zero-Recovery-Dioden, die es gibt, sind SiC-Dioden.
>
> Schottkys sind bloß schnell.

Wikipedia sagt etwas anderes:

"Where in a p-n diode the reverse recovery time can be in the order of 
hundreds of nanoseconds and less than 100ns for fast diodes, Schottky 
diodes do not have a recovery time, as there is nothing to recover 
from."

Nachzulesen hier:
http://en.wikipedia.org/wiki/Schottky_diode

Die dynamischen Eigenschaften der Schottky-Diode werden eher durch die 
Sperrschichtkapazität bestimmt.
Ich denke eher, dass es sich um reine Werbung handelt, wenn diese 
Eigenschaft von Schottky-Dioden im Datenblatt der SiC-Schottky-Dioden 
extra herausgehoben wird. Schließlich ist das der einzige Vorteil dieser 
recht teuren Dioden gegenüber normalen preiswerten Ultrafast-Dioden.

Jörg
#1008253
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Jörg R. wrote:
> GB wrote:
>
>> Die einzigen Zero-Recovery-Dioden, die es gibt, sind SiC-Dioden.
>>
>> Schottkys sind bloß schnell.
>
> Wikipedia sagt etwas anderes:
>
> "Where in a p-n diode the reverse recovery time can be in the order of
> hundreds of nanoseconds and less than 100ns for fast diodes, Schottky
> diodes do not have a recovery time, as there is nothing to recover
> from."
>
> Nachzulesen hier:
> http://en.wikipedia.org/wiki/Schottky_diode

Das könnte Jörg auch selber reingeschrieben haben ;-)
Ne, dachte auch, dass es eine Recovery-Zeit gäbe ... Verwundert mich 
jetzt irgendwie ...

MfG
Thomas Pototschnig
Gast #1008289
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Hallo,

das ganze ist wohl mehr oder weniger Wortklauberei. Nach Tietze/Schenk 
haben auch Schottky-Dioden eine tRR. Das Dioden-Kapitel ist frei 
runterladbar und auf den Seiten 8 und 9 finden sich die Erholzeiten.

Schöne Grüße, Peter
#1008352
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SiC-Dioden sind auch Schottky-Dioden (sie haben keinen pn-Übergang). Nur 
wird eben anstelle von Silizium als Basismaterial der 
Verbindungshalbleiter Siliziumcarbid verwendet. Auch mit GaAs 
(Galliumarsenid) erreicht man deutlich höhere Sperrspannungen bei 
gleichzeitig niedriger Vorwärtsspannung und hoher Schaltgeschwindigkeit.

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