Wie kommt es zur Sättigung/Kanalabschnürung beim MOSFET?

Hallo

Ich hätte da eine reine theoretische Verständnisfrage zum MOSFET.

Ich verstehe einfach nicht wie es genau zu diesem Effekt der 
Kanalabschnürung kommt. Ich habe schon einige Erklärungen gelesen, aber 
kann diese einfach nicht unter einen gemeinsamen Hut bringen. Einmal 
liegt es an der maximalen Elektronengeschwindigkeit, dann am 
Potentialunterschied Vds, dann an der Ausdehnung der Raumladungszone im 
Draingebiet...
Im Endeffekt ist sicherlich alles richtig, doch wie korreliert das alles 
miteinander?

Ich hoffe ihr könnt mir helfen und Licht ins Dunkel bringen...

Gruß
Markus