Hallo, nachdem ich google und die Suchfunktion bemüht habe wage ich es nun diese doch recht dumme Frage zu stellen. Wo kann ich im Datenblatt (bzw. wie heisst die Tabellenspalte) eines MOSFETS ablesen, bei welcher Gatespannung er voll durchsteuert. Als Beispiel hier der IRL3803: http://fenykapu.free-energy.hu/pajert59/irl3803.pdf Ganz am Anfang steht "Logic-Level Gate Drive", aber wo steht der genaue Wert in der Tabelle? Kann es einfach nicht Finden, müsste ja was um die 5V sein..
Du musst halt bei den Kennlinien gucken: VGS vs. ID. Dort kannst du dann ablesen, welche Gatespannung du mindestens anlegen musst, damit dein gewünschter Drainstrom fliesst. Dieser Gatespannung dann noch einen kleinen Zuschlag geben und gut.
In deinem Fall übrigens Figur 3 auf Seite 3, "Typical Transfer Characteristics".
Oh natürlich. Bin nicht auf die Idee gekommen, bei den Graphen zu schauen. Wie es aussieht ist er bei 5V fast voll durchgesteuert und ich habe bei weitem keine Ströme über ehm.. 100A (wie liest man diese logaritmischen skalen :P)
Also wenn ich das richtig ables, dann lässt der schon 100A durch wenn das Gate 4V über dem Source Potential liegt. Selbst bei 3V ist der schon über 10A. Von daher würd ich (auch wenn ich keine Ahnung hab was du vorhast) 3V Gatespannung anlegen, Source auf Masse und dann per (Last-)Widerstand begrenzen. Wobei sich mir da die Frage stellt, wozu willst du so ein fettes Teil benutzen?^^
Also du müsstest fragen "wann er genug durchgesteuert ist damit es für deine Anwendung reicht. Ich würde die Gate-Spannung nicht zu hoch ansetzen, das mindert die Lebensdauer deines Mosfets. 5V reichen bei mir immer dicke aus!
Logaritmische Skalen/Graphen liest man genauso ab wie metrische. Der Unterschied ist lediglich, dass der Abstand zwischen eins und zwei nicht der gleiche ist wie zwischen zwei und drei, der Abstand zwischen den Zehnerpotenzen ist dafür immer konstant. Das ist am Anfang ein wenig gewöhnungsbedürftig aber wenn man sich ein paar Tage damit beschäftigt wird einem klar, wie genial so ein Rechenschieber einmal war und ich rechne selbst heute noch mit so einem Teil.
Darf ich mich dieser Frage mal anschließen??? Macht man bei MOSFET ans Gate noch einen Vorwiderstand oder schließt man dieses direkt an den treibenden Ausgang an? Wenn das von Fall zu Fall verschieden ist, dann lasst uns mal prinzipiell den Fall eines MOSFET-Schalters betrachten, der von einem +5V-TTL oder einem 3,3V-TTL angesteuert wird. Danke! mfg Günter
Ich habs mal so gelernt, vor das Gate immer einen Widerstand zu packen. Den Dimensioniere ich immer so groß, dass die Steuerspannung bei einem "Kursschluss" (G-S zum Beispiel) nicht überlastet wird, bei 5 V würd ich da so aus dem Bauch heraus einen 1 oder 10 Kiloohm Widerstand davor schalten. Durch die G-S Kapazität baut man sich damit natürlich einen Tiefpass und man muss vorher schaun, ob das die eigene Schaltung stört oder nicht.
naja, 1-10k Ohm finde ich schon viel. Für sehr kleine Frequenzen, oder kleine Fet's ist das villeicht ok. aber ich würde sowas um die 100 Ohm vorschlagen. Der Widerstand ist vor allem dazu da den Treiber nicht zu überlasen.
Mos-Eingang ist ein Kondensator. Aufladung wird durch Vorwiderstand verlangsamt-dadurch langsameres Schalten=mehr Verluste im Mosfet aber auch weniger HF-Störungen. Vorwiderstand nimmt aber auch Verlustleistung vom Treiber weg und schützt auch Treiber bei Kurzschluß G-S. Zu großer Vorwiderstand kann zu mehrfachem Wiedereinschalten führen (Millereffekt), also Vorsicht. Jeder muß selbst entscheiden, wie schnell er schalten will/darf.
Klar, deshalb sag ich ja, dass man sich damit einen Tiefpass bastelt. Nur mal angenommen, die Eingangskapazität beträgt 5 nF (wo ich die wohl herhab ;)) und ich schalte einen 1 kOhm Widerstand vors Gate dann macht das Pi mal Daumen 200 kHz Grenzfrequenz. Das kann zu wenig sein, kann aber auch ausreichen. Wenn mein "Treiber" 5 V ausgibt würde im Kurzschlussfall (G-S) grad mal 5 mA von "Treiber" gezogen. Auch das kann genug sein oder aber für den Treiber zu viel. Muss man halt abwägen.
>Zu großer Vorwiderstand kann zu mehrfachem Wiedereinschalten führen >(Millereffekt), also Vorsicht. ist mir noch nie aufgefallen, daß der Mosi mehrfach einschaltet (Du meinst, er osziliert mal kurz?) Aber egal, durch den Millereffect verstärkt sich sozusagen die G-D-Kapazität zum Umschaltzeitpunkt, wodurch das Gatesignal eine zusätzlich "auf den Deckel bekommt". Sieht man schön am Oszi im unteren ns-Bereich, wie das Gatesignal mal kurz einbricht, sobald nach kurzer Durchlaufverzögerung das Drain auf das Gate reagiert (vielleicht meint faraday diesen einmaligen Einbruch) Niederohmige Ansteuerung wird deswegen noch wichtiger, wenn es auf hohe Schaltfrequenzen/kurze Schaltflanken geht. Deswegen schalte ich eigentlich auch nur 10-20 Ohm in Reihe, um die Stromspitzen etwas zu dämpfen - wenn überhaupt. Wenn es Dir um Strombegrenzung bei G-S-Kurzschluß geht, kannste auch parallel zum Gate-R von deinen anvisierten 1-10kOhm einen C von sagen wir mal 100nF schalten. Damit ist natürlich die Umschaltstromspitze wieder voll da, die Du aber dann mit einem weiteren Serien-R von wenigen Ohm oder 10Ohm etwas dämpfen kannst. Rein Gleichspannungsmäßig haste damit einen recht hohen Gesamt-R, aber dynamisch betrachtet ist er recht niedrig.
Jens G. wrote: > ist mir noch nie aufgefallen, daß der Mosi mehrfach einschaltet (Du > meinst, er osziliert mal kurz?) Man hat z.B. eine Halbbrücke. Dafür verwendet man eine Deadtime, damit der eine Mosfet sicher abgeschaltet ist, ehe der andere einschaltet. Wenn jetzt der Lowside Mosfet abschaltet, der Highside aber noch aus ist, dann liegt die Spannung z.B. irgendwo in der Mitte (was z.B. bei 3-Phasenmotoren meist so ist). Dann schaltet der Highside FET ein, dadurch steigt die Spannung am Drain des Lowside FETs schnell an. Durch die Millerkapazität wird das Gate kurz hochgezogen (quasi durch den MillerC -> GateR Hochpass), und der Lowside Mosfet schaltet ein. Das ergibt kurzzeitig einen ordentlichen Strompeak, der umso länger dauert, je größer die Gatwiderstände sind. Dies kann man auch leicht ausprobieren: Mosfet mit z.B. 1k Gatewiderstand der an Source liegt (so dass der Mosfet eigentlich immer sperren sollte), und dann ein Rechteck mit steilen Flanken mit z.B. 20Vss an Drain anlegen. Dann sollte man dieses Rechteck am Gate in Form von kurzen Spikes bei jeder Flanke sehen.
@ Benedikt ja gut, das ist mir schon klar, und das ist auch richtig. Aber wo schaltet der jetzt mehrfach ein/aus bei einer einzigen Eingangssignal-Flanke? Mir ging es ja um das "mehrfach", das faraday angesprochen hatte.
>Sieht man schön am Oszi im unteren >ns-Bereich, wie das Gatesignal mal kurz einbricht, sobald nach kurzer >Durchlaufverzögerung das Drain auf das Gate reagiert (vielleicht meint >faraday diesen einmaligen Einbruch) allgemein: Ic=CxdUc/dt C=Cdg, Uc=Uds Ausschalten Mos: dUds/dt>0, d.h. zusätzlicher Strom Icdg zum Gate-bei großem Rg erneutes Einschalten. Wenn highside auch auf ist Strompeak. Einschalten Mos: dUds/dt<0, d.h. zusätzlicher Strom Icdg weg vom Gate- bei großem Rg evtl. erneutes Ausschalten. Ist meist nicht so schlimm, weil highside schon aus ist.
@Jens >Aber wo >schaltet der jetzt mehrfach ein/aus bei einer einzigen >Eingangssignal-Flanke? Hab eben erst Deine Antwort gelesen: Mos schaltet aus, Uds steigt, Erneutes Einschalten durch zu hohes Rg, Mos bremst weiteren Anstieg dUds/dt und müßte theoretisch mit diesem dUds/dt hochfahren.Da aber überall Zeitkonstanten und Ls im Spiel sind,beobachtet man oft mehrfaches Einschalten.
Nun gut, Du bringst hier noch Ls mit ins Spiel. Ich denke, damit da was mehrfach auf/zu geht, muß die L aber schon relativ groß sein (bzw. eine relevante Zeitkonstante mit reinbringen), so daß die Schaltung schon Oszilatorcharacter erhält. (wenn die Schaltung schlecht abgeblockt ist, und die Masseanbindung des Oszi-Tastkopfes schlecht gewählt ist, sieht man natürlich auch ein ordentliches Schwingen im ns/µs-Bereich durch die parasitären Induktivitäten) Jedenfalls habe ich bei meinen Versuchen selbst mit relativ hochohmiger Ansteuerung und ohmscher Last keine mehrfaches auf/zu gesehen (maximal ein sanftes Einschwingen)
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