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Forum: Analoge Elektronik und Schaltungstechnik [math] IB=I_{sper} *e^{ Ube/U_0} [/math]


Autor: Mike (Gast)
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Kann mir jemand sagen was bei dieser Gleichung (bezogen auf 
Bipolar-Transistor)
ist?

Autor: Falk Brunner (falk)
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IIRC die Temperaturspannung, eine Materialkonstante, 26mV oder so.

Autor: Matthias Lipinsky (lippy)
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Autor: Mike (Gast)
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Habe das hier gefunden:
Sehe ich das richtig das dieses e die Elektronengeschwindigkeit angiebt 
und das erste e(siehe Gleichung Thread Nr.1) die Eulersche zahl 
darstellt.

Autor: Mike (Gast)
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Verbesserte Version:
Habe das hier gefunden:
Sehe ich das richtig das dieses e die Elektronenladung ist
und das erste e(siehe Gleichung Thread Nr.1) die Eulersche zahl
darstellt.?

Autor: Matthias Lipinsky (lippy)
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>Verbesserte Version:
>Sehe ich das richtig...
Ja.

Autor: Michael (Gast)
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mit U0: Temperaturspannung
     k: Boltzmannkonstante
     t: Temperatur
     e: Elementarladung

mit  Ib: Basisstrom
 Isperr: Sperrsprom der Basis-Emitter-Diode
      e: Eulerische Zahl
    UBE: Spannung über der Basis-Emitter-Diode
     U0: Temperaturspannung

Für U0 kann man in erster Näherung 25 mV bei RT annehmen.

Um die Elementarladung und die Eulerische Zahl unterscheiden zu können 
schreibt man für die Eulerische Zahl auch gerne exp statt e sodass die 
Gleichung dann so ausschaut:

Damit kann man die Elementarladung und die Eulerische Zahl nicht 
verwechseln.
Übrigens, in deiner Diodengleichung oben fehlt die -1. ;)

Autor: Michael (Gast)
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PS: Achja, die Gleichung gilt natürlich nur in Grenzen und ist z.B. 
nicht mehr für den Durchbruch gültig, dafür gibts dann andere 
Gleichungen. Die hier vorgestellte Gleichung ist die simpelste 
Beschreibung für einen PN-Übergang mit lediglich 3 Parametern. Spice zum 
Beispiel verwendet ein Model mit, ich glaube, 15 Parametern. Bin mir da 
mit der Anzahl grad net sicher ;)

Autor: Mike (Gast)
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