MOSFET - Leistungsfrage bzw. Temperaturerhoehung

OP #1042820
Tag zusammen,

ich hab mal wieder ein Problem. Und zwar gehts um MOSFET.
Ich habe bisher die Dinger immer wie im folgenden Beispiel berechnet
ob sie für meine Anwendung was taugen.

Beispiel:

I = 10 A
R(on) = 0.02 Ohm
Pd = 2.5W
R(JA) = 50 °C/W

==> P = I^2 * R(on) = 2 W

also OK da P < Pd

==> dT = P * R(JA) = 2 W * 50 °C/W = 100°C

also erwärmt sich das Ding bei 10A um 100°C

prima also nehm ich ihn. ( Vgs spielt hier erstmal keine Rolle, da es
nicht zur nachfolgenden Frage dazu gehört).


Nun hab ich aber einen MOSFET 
(http://www.fairchildsemi.com/ds/FD%2FFDD5614P.pdf)
der hat folgende Daten. Im Anhang hab ich die wichtigen nochmals 
zusammengefasst.

I = 15 A
R(on) = 0.1 Ohm
Pd = 42 W + (3.8 W || 1.6 W )
R(JA) = 96 °C/W bzw 40°C/W

wenn ich nun wie oben vorgeh ... passt was nicht :(

==> P = I^2 * R(on) = 22.5 W

==> dT = P * R(JA) = 22.5 W * 96 °C/W = 2160 °C


ich versteh die Thermal Resistance Angaben iwie nicht richtig.
Was mach ich falsch? Denkfehler? wie warm wird das Ding bei 15A und 0.1 
Ohm? Stimmt mein Beispiel überhaupt?


Wer kann/will mir helfen :)
Angehängte Dateien:
Gast #1042827
>Stimmt mein Beispiel überhaupt?
Nein. Ohne nachzurechnen: Das passt schon.

>==> dT = ... = 2160 °C
Hier musst du schlussfolgern, dass der Rth zu hoch ist. Somit brauchst 
du einen Kühlkörper. (Falls das bei der Bauform geht)
OP #1042845
danke für die Antworten.

aber ...

>>Stimmt mein Beispiel überhaupt?
> Nein. Ohne nachzurechnen: Das passt schon.

... stimmt der Gedankengang mit Rechnung nun oder nicht? :)
(Nein ==> Nein)
(Das passt schon ==> JA)
?!?


bzgl Kühlkörper wird schwer. Das ist ein TO-252 Gehäuse ... SMD ... und 
da n Kühlkörper mit den entsprechenden Werten zu finden/einzusetzen is 
ja nicht unbedingt lustig.
Und n Kühlkörper sollte eigneltich auch nicht hin ... daher wollt ich 
das ja berechnen.

Dann such ich mir wohl n andren. Das hätte ich auch gleich machen 
können, aber dann wär ja diese überaus interessante Frage nicht gestellt 
worden :P

Der Rds(on) hat ja eh voll gesuckt.


Danke
Gast #1043720
Bei MOSFET gibt es auch noch die Möglichkeit mehrere parallel zu 
schalten.
Verringert die Verlustleistung und teilt selbige noch auf mehrere 
Bauteile auf.

Gruß

Mandrake
Gast #1043731
Dass da ein Kühlkörper hin muss kann man sich auch so denken wenn da 
schon 22.5 W am FET verheizt werden. Da würd ich auf jeden Fall was mit 
kleinerem Rds_on raussuchen.

Antwort schreiben

Eine eigene Frage? Dieser Thread ist über 17 Jahre alt. Stell sie in einem eigenen Thread – dort lesen mehr Leute mit, und sie wird öfter und schneller beantwortet.

Neuen Thread starten

Eine Lösung, Ergänzung oder Rückmeldung zu diesem Thread? Dann antworte hier.

Formatierung
  • [c]C-Code[/c]
  • [code]Code in anderen Sprachen, ASCII-Zeichnungen[/code]
  • [math]Formel in LaTeX-Syntax[/math]
  • [[Titel]] – Link zu einem Artikel
  • Verweis auf einen anderen Beitrag: Rechtsklick auf dessen Beitrags-ID (#8078628), „Adresse kopieren“, in den Text einfügen

Mehr zur Formatierung

Längeren Sourcecode als Anhang, nicht in den Text. JPG nur für Fotos und Scans; Zeichnungen und Screenshots als PNG oder GIF. Siehe Bildformate.

Schon registriert? Anmelden

Wird nicht angezeigt. Wir schicken dir einen Link; sobald du damit bestätigst, erscheint dein Beitrag.

Mit dem Abschicken legst du einen kostenlosen Account an und erkennst die Nutzungsbedingungen und die Datenschutzerklärung an.