Ich habe ein paar Fragen zu FETs. Im unterschied zu Transistoren ist ein FET doch Spannungsgesteuert oder nicht? Wieso steht dann bei einem FET Treiber das er bis zu 2A Strom liefern kann? Ich habe einen FET Treiber im Einsatz. (Welchen weiß ich nicht genau. DIP8 Gehäuse) Dieser Invertiert allerdings mein Eingangssignal. Gibt es auch welche die das nicht tun? Mein FET wird verdammt heiß wenn ich den eine Zeit betreibe. Wie kann ich das unterbinden bzw. kann ich das überhaupt unterbinden? Danke schon mal für die Antworten. Lg Andreas
@ Andreas Riegebauer (blackpuma) >Im unterschied zu Transistoren ist ein FET doch Spannungsgesteuert oder >nicht? Ein FET IST ein Transistor, ein Field Effect Transistor. > Wieso steht dann bei einem FET Treiber das er bis zu 2A Strom >liefern kann? Hää?? Was hat die ANSTEUERUNG eines Bauteils mit dem AUSGANGSSTROM zu tun? >Ich habe einen FET Treiber im Einsatz. (Welchen weiß ich nicht genau. >DIP8 Gehäuse) Dieser Invertiert allerdings mein Eingangssignal. Gibt es >auch welche die das nicht tun? Sicher, siehe Mosfet-Übersicht. >Mein FET wird verdammt heiß wenn ich den eine Zeit betreibe. Wie kann >ich das unterbinden bzw. kann ich das überhaupt unterbinden? Richig dimensionieren und nicht planlos Coilguns bauen. ;-) MfG Falk
Ein FET ist eine spannungsgesteuerte Stromquelle während ein Bipolartransistor eine stromgesteuerte Stromquelle ist.
Falk Brunner wrote: > @ Andreas Riegebauer (blackpuma) > >>Im unterschied zu Transistoren ist ein FET doch Spannungsgesteuert oder >>nicht? > > Ein FET IST ein Transistor, ein Field Effect Transistor. OK aber ein Spannungsgesteuerter oder nicht? >> Wieso steht dann bei einem FET Treiber das er bis zu 2A Strom >>liefern kann? > > Hää?? Was hat die ANSTEUERUNG eines Bauteils mit dem AUSGANGSSTROM zu > tun? Sorry waren 6A. Es ist ein TC4429 6A High-speed MOSFET Treiber. Wieso liefert der Treiber soviel Strom? Wofür brauch ich den? >>Ich habe einen FET Treiber im Einsatz. (Welchen weiß ich nicht genau. >>DIP8 Gehäuse) Dieser Invertiert allerdings mein Eingangssignal. Gibt es >>auch welche die das nicht tun? > > Sicher, siehe Mosfet-Übersicht. > >>Mein FET wird verdammt heiß wenn ich den eine Zeit betreibe. Wie kann >>ich das unterbinden bzw. kann ich das überhaupt unterbinden? > > Richig dimensionieren und nicht planlos Coilguns bauen. ;-) Ach Mann. Du kannst auch immer alles schlecht machen! **g** Ich habe einen IRF3205PBF. Wenn ich da einen zweiten Parallel hänge und einen Widerstand an Source oder Drain von jedem mache sollte sich die Leistung doch aufteilen oder?
@ Andreas Riegebauer (blackpuma) >> Ein FET IST ein Transistor, ein Field Effect Transistor. >OK aber ein Spannungsgesteuerter oder nicht? Sicher. >Sorry waren 6A. Es ist ein TC4429 6A High-speed MOSFET Treiber. Wieso >liefert der Treiber soviel Strom? Warum nicht? > Wofür brauch ich den? Für das schnelle Umladen des Gates (nicht Bill ;-), das ist nämlich ein kleiner Kondensator. Und bei grossen FETs schon eher ein grosser Kondensator im Bereich einiger nF. Wenn man den FET schnell schalten will muss man das Gate schnell umladen, das geht nur mit VIEL Strom. >Ich habe einen IRF3205PBF. Wenn ich da einen zweiten Parallel hänge und >einen Widerstand an Source oder Drain von jedem mache sollte sich die >Leistung doch aufteilen oder? Mehr oder weniger. MFG Falk
Beispiel. FET mit 1nF Gatekapazität soll in 100ns umgeladen werden, Gatespannung 10V. Das sind typische Werte. C = I*t/U I = C*U/t = 1nF*10V/100ns = 0,1A OK, klingt wenig, aber wenn man RICHIG grosse FETs hat, und mehrere parallel schaltet wird schnell ungemütlich. Und 6A sind schon die Ober-Ober Klasse der FET-Treiber. MFG Falk
> Ich habe einen IRF3205PBF. Wenn ich da einen zweiten Parallel hänge und > einen Widerstand an Source oder Drain von jedem mache sollte sich die > Leistung doch aufteilen oder? Normalweise kannst Du MOSFETs hart parallelschalten und den Widerstand weglassen, da sich MOSFETs ähnlich wie PTCs verhalten. Mit zunehmender Junction-Temperatur nimmt der Durchlasswiderstand R_DS,on zu bzw. die Leitfähigkeit ab. (im Gegensatz zu bipolaren Bauelementen wie Dioden oder BJTs.)
Hallo Andreas, > Im unterschied zu Transistoren ist ein FET doch Spannungsgesteuert oder > nicht? Wieso steht dann bei einem FET Treiber das er bis zu 2A Strom > liefern kann? Ehe am Gate eine Spannung anliegt, muß entsprechend U=Q/C erstmal eine gewisse Ladungsmenge fließen. (U: Spannung des Gates, Q: Ladungsmenge der Gate-Kapazität, C: Gate-Kapazität) Das Gate ist nämlich kein Leerlauf, wie man in Niederfrequenzanwendungen gerne annimmt, sondern vielmehr eine Kapazität. Es ist sogar so, daß sich zwischen allen drei Anschlüssen (Source, Drain, Gate) jeweils parasitäre Kapazitäten befinden. Die Kapazitäten kommen dadurch zustande, daß sich im Silizium voneinander isolierte Flächen mit unterschiedlicher Spannung gegenüberstehen. Die zum Laden der Gatekapazität benötigte Ladungsmenge wird umso schneller in das Gate transportiert, je mehr Strom der Gate-Treiber liefern kann. Bei der Stromangabe geht es also letztlich um die Schaltgeschwindigkeit, mit der der Transistor betrieben werden kann. > Ich habe einen FET Treiber im Einsatz. (Welchen weiß ich nicht genau. > DIP8 Gehäuse) Dieser Invertiert allerdings mein Eingangssignal. Gibt es > auch welche die das nicht tun? Ja, sicher. Schau beispielsweise mal ins Datenblatt vom MAX5054...MAX5057. Es gibt dort FET-Treiber mit Invertierung, ohne Invertierung und gemischte Treiber. http://datasheets.maxim-ic.com/en/ds/MAX5054-MAX5057.pdf > Mein FET wird verdammt heiß wenn ich den eine Zeit betreibe. Wie kann > ich das unterbinden bzw. kann ich das überhaupt unterbinden? Entweder durch Verändern der Schaltung (die müßtest Du dazu mal posten; vielleicht ist ja ein Fehler drin) oder im einfachsten Fall, indem Du einen Kühlkörper anbringst. Gruß, Michael
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Hier ist mal die Schaltung. Die Klemme vor dem FET geht auf die Primärwicklung des Trafos (Ist ein Flyback-Converter). Sollte sich jemand Fragen wieso ich das PWM Signal mit 2 NE555 mache.... Ich kenne mich mit dem TL494 nicht aus. Habe hier mal einen Post abgesetzt wie ich das Ding verwende aber habe dazu keine Antwort bekommen. Auch das Datenblatt bringt mich nicht weiter. Da habe ich gleich noch Fragen zu FETs. Wieso sieht man Teilweise Schaltungen mit FETs bei denen dann vor dem Gate ein Widerstand liegt? Der ist doch eigentlich Sinnlos oder nicht? Ich habe aber auch Schaltungen gefunden bei denen ein Widerstand von Gate nach Source geht. Wann wird das gemacht und wozu? Danke Andreas
>Wieso sieht man Teilweise Schaltungen mit FETs bei denen dann vor dem >Gate ein Widerstand liegt? Der ist doch eigentlich Sinnlos oder nicht? Nein so ganz sinnlos ist der nicht. Der begrenzt den Ladestrom für das Gate um den Treiber nicht zu überlasten. Auch findet hier eine begrenzng der Schaltgeschwindigkeit statt. Dies ist in bezug auf EMV Probleme schon mal nötig. >Ich habe aber auch Schaltungen gefunden bei denen ein Widerstand von >Gate nach Source geht. Wann wird das gemacht und wozu? Diverse Treiber IC können bei absinkender Betriebspannung schon mal hochohmig am Ausgang werden . Dabei könnte der MOSFET leitend werden. Um den Transistor in diesem Fall zuverlässig zu sperren baut man diesen Widerstand ein. Gruss Helmi
>Wieso sieht man Teilweise Schaltungen mit FETs bei denen dann vor dem >Gate ein Widerstand liegt? Der ist doch eigentlich Sinnlos oder nicht? Ist nicht sinnlos: Es gibt da die Gate-Source-Kapazität. Das Gate ist praktisch ein Kondensator, je nach MOSFET im Bereich bis 10nF oder sogar mehr. Dein Treiber muss also einen Kondensator umladen - ev. könnte da bereits dessen zulässiger Spitzenstrom überschritten werden. Oder - falls das Gate über einen OPA getrieben wird: diese mögen kapazitive Lasten gar nicht und neigen zum Schwingen. Einige zehn Ohm in Serie verhindern dies. >Ich habe aber auch Schaltungen gefunden bei denen ein Widerstand von Gate nach Source geht. Wann wird das gemacht und wozu? Wird man dann machen, wenn: - der Treiber auch mal hochohmig sein kann - der Treiber zuviel Spannung liefern könnte. Manche Gates vertragen nur 10V. - der Treiber in Richtung GND gar nicht treiben kann (Open Collector PNP) (Kein Anspruch auf Vollständigkeit :-))
Hauptgrund für den Gate-Widerstand ist nicht die Strombegrenzung, sondern das Verringern von HF-Schwingungen. Gate-Zuleitung (Bonding-Draht, Pin, Leiterbahn) ist eine Induktivität von einigen nH, Gate selber ist eine Kapazität => LC-Schwingkreis, der beim Umladen angeregt wird und dann fröhlich mit vielen, vielen MHz Schwingt. Der Widerstand verringert die Güte des Schwingkreises, die Schwingung flaut schneller ab, und hat eine geringere Amplitude.
@ Ernst Bachmann (ernst) Ja, das ist richtig. Deshalb hat man den Gatewiderstand (einige zig Ohm mindestens) ja auch immer drin, auch wenn man den Grund mal nicht sofort parat hat :-).
hmmm, habe ich bisher aber noch nicht gesehen, daß damit eine (sichtbare) Schwingung entsteht. Aber vielleicht waren meine Treiber auch immer nur zu hochohmig dafür ;-)
Danke für die erlärungen. Das bedeutet ein Widerstand vor dem Gate sollte immer drinnen sein. So ca. 10 Ohm? Wie weiß ich das mein Treiber "hin und wieder" (Verstehe nicht wieso hin und wieder) hochohmig sein kann. Wie sieht es denn mit der Schaltung aus? Passt die oder kann man das was verbessern das der FET nicht so heißt wird?
>Wie sieht es denn mit der Schaltung aus? Passt die oder kann man das was >verbessern das der FET nicht so heißt wird? Was macht denn der TC4492 ?
>Wie weiß ich das mein Treiber "hin und wieder" (Verstehe nicht wieso hin >und wieder) hochohmig sein kann. Das kann schon mal beim Ein u. Ausschalten passieren wenn die Betriebsspannung unter die Mindesbetriebsspannung des IC ist. Manche Treiber IC Hersteller schreiben den deshalb auch schon mal vor. Gruss Helmi
Matthias Lipinsky wrote: >>Wie sieht es denn mit der Schaltung aus? Passt die oder kann man das was >>verbessern das der FET nicht so heißt wird? > > Was macht denn der TC4492 ? Ist ein FET Treiber.
> Mein FET wird verdammt heiß wenn ich den eine Zeit betreibe. > Wie kann ich das unterbinden bzw. > kann ich das überhaupt unterbinden? ... > Die Klemme vor dem FET geht auf die > Primärwicklung des Trafos (Ist ein Flyback-Converter) Also, Eingangsspannung vom Trafo? Ausgangsspannung des Trafos? V_ds_off = Vin + ((Np/Ns)*Vout) Wenn V_ds_off > 55V, geht der MOSFET in Durchbruch (darf er, Avalanche-Rated) und vernichtet dabei Energie. Abhilfe: Snubber (der vernichtet dann die Energie)
Nur so mal am Rande. Andreas Riegebauer kann es sein dass du in Wahrheit Georg Biegelbauer heisst.
GB wrote: >> Mein FET wird verdammt heiß wenn ich den eine Zeit betreibe. >> Wie kann ich das unterbinden bzw. >> kann ich das überhaupt unterbinden? > ... >> Die Klemme vor dem FET geht auf die >> Primärwicklung des Trafos (Ist ein Flyback-Converter) > > Also, Eingangsspannung vom Trafo? Ausgangsspannung des Trafos? > > V_ds_off = Vin + ((Np/Ns)*Vout) > > Wenn V_ds_off > 55V, geht der MOSFET in Durchbruch (darf er, > Avalanche-Rated) und vernichtet dabei Energie. > > Abhilfe: Snubber (der vernichtet dann die Energie) Vds_off = 24V Also das sollte kein Problem sein. Tommi Huber wrote: > Nur so mal am Rande. Andreas Riegebauer kann es sein dass du in Wahrheit > Georg Biegelbauer heisst. Nicht wirklich.
>Vds_off = 24V Also das sollte kein Problem sein.
ist doch mit Oszi gemessen, oder?
und was ist mit on-Spannung? geht der Übertrager vielleicht in die
Sättigung?
habe jetzt nicht alles nochmal gelesen, aber um welche Ströme geht es
hier?
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