Halbleitertechnik-Frage / Grenzwerte U_GS bei Mosfets

APW Gast #1058886
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Hallo,
bei einem typischen Mosfet finde ich folgende Grenzdaten:
U_GSS = +-20V
U_DSS = 80V

Das heisst doch, dass die Oxidschicht zw. G und S weniger Spannung 
aushält, als zw. G und D. Woran liegt das ? Ist die Dicke der 
Oxidschicht nicht konstant bzw ist die zum D hin dicker ?
Oder ist aus physikalischen Gründen die Feldstärke am Oxid hauptsächlich 
von U_GS abhängig ?
Wenn ich den Mosfet "verkehrt herum" betreibe, also D und S vertausche, 
gelten dann die obigen Grenzwerte immer noch, oder gilt dann (in etwa):

U_GDS = +-20V
U_SDS = 80V

MFG Andi
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Falk B. #1058918
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@ APW (Gast)

>Das heisst doch, dass die Oxidschicht zw. G und S weniger Spannung
>aushält, als zw. G und D.

Ja.

> Woran liegt das ? Ist die Dicke der
>Oxidschicht nicht konstant bzw ist die zum D hin dicker ?

Drain liegt weiter weg (unten), weil die meisten MOSFET in Schichten 
aufgebaut sind.

>Wenn ich den Mosfet "verkehrt herum" betreibe, also D und S vertausche,

Das geht bei den meisten MOSFETs nicht, weil die integrierte Bodydiode 
dir in die Suppe spuckt. Das geht nur bei JFETs.

MfG
Falk
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APW Gast #1059265
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OK, ich hab die Bodydiode nicht berücksichtigt.
Wenn ich jeweils den 3. Anschluss offen lasse, also
U_GSO_max und U_GDO_max ermittle, auf welche Werte könnte ich da kommen?

Ist hier (wenn ich bei dem oben genannten Mosfet bleibe)
U_GSS_max = UGSO_max, also nach wie vor +-20V und
U_GDO_max irgendwo bei 80..100 V

Bei eigentlich allen Zeichnungen zum MOSFET-Aufbau, die ich gesehen 
habe, scheint ja D und S symmetrisch und die Oxiddicke einheitlich zu 
sein.
Nach der Antwort von Falk ist das aber wohl nicht der Fall.

MFG Andi
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APW Gast #1059268
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Ich hab gerade auf der Semikron-Seite ein PDF gefunden, das einen
vertikalen Leistungs-Mosfet zeigt:
http://www.semikron.com/internet/webcms/objects/applica_help/d/1_2_1.pdf

(Weitere interessante PDFs zu Leistungshalbleitern findet man hier:
http://www.semikron.com/internet/index.jsp?language=de&sekId=229)

Wenn ich das sehe, dann wird mir einiges klarer bez. der 
Durchbruchspannungen (zumindest bei vert. Mosfets).
Event. haben vertikale und laterale Mosfets unterschiedliche 
Eigenschaften bez. der max. U_GS und U_GD Durchbruchspannungen.

Ich werde mich jetzt durch die Semikron-PDFs durchwühlen, vielleicht
bekomme ich da den Voll-Durchblick.

Erstmal Danke
 Andi
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