wann ist es sinnvoll einen MOSFET anstatt eines Bipolaren Transistors einzusetzen, gibt es da spezielle vorgaben?
Keine Vorgaben in dem Sinne, aber es kommt ganz darauf an was du damit machen willst. MOSFET bspw. haben einige Vorteile wenn es um Schaltaufgaben geht (weniger Verlustleistung wenn durchgeschaltet, weniger Energie für die Ansteuerung), fallen andererseits dafür zum Teil bei linearen Regelungen wieder zurück. Ansonsten die üblichen Verdächtigen nach Infos abgrasen und dann gezielt weiter fragen (Wiki, goggel, und so =) ) Was hast du denn genau vor?
das Interesse ist nur von persönlicher Natur. Geschaltete werden soll das übliche Gedöhns...Lampen, Relais Also hauptsächlich ist der Betrieb als Schalter für mich relevant
Ingo Laabs wrote: > das Interesse ist nur von persönlicher Natur. > Geschaltete werden soll das übliche Gedöhns...Lampen, Relais > Also hauptsächlich ist der Betrieb als Schalter für mich relevant Dann wäre die äußerst geringe Steuerleistung der Mosfets gegenüber Bipolar evtl. ein relevanter Vorteil für Dich. Bei niedrigen Spannungen für Deine LAmpen, Motoren: der bei passender Auswahl geringere Spannungsabfall am Mosfet. Aber wie von Thorsten gesagt, das müßte man im Detail entscheiden was für/gegen das eine oder das andere spricht. hth, Andrew
Ingo Laabs wrote: > Geschaltete werden soll das übliche Gedöhns...Lampen, Relais > Also hauptsächlich ist der Betrieb als Schalter für mich relevant Vorteil der FETs, weshalb sie in letzter Zeit in diesem Bereich massiv Einzug gehalten haben: im durchgeschalteten Zustand wirkt der Kanal beinahe wie ein ohmscher Widerstand, und die erreichbaren Einschaltwiderstände liegen mittlerweile bei großen FETs im Bereich weniger Milliohm. Damit kann man also locker einige 10 A schalten, und dabei den Spannungsabfall immer noch weit unter 1 V halten (was auch entsprechend geringe Verlustleistung im durchgesteuerten Zustand bedeutet). Bei einem Bipolartransistor kommt man kaum unter 0,3 V, in der Regel nichtmal unter 0,5 V. Noch ein Vorteil: man kann FETs im Schalterbetrieb problemlos parallel schalten, sofern sie thermisch gut gekoppelt sind (auf gleiches Kühlblech geschraubt). Die Stromaufteilung regelt sich dabei selbst und gleicht die Parameter-Unsymmetrien aus (wird ein MOSFET wärmer als die anderen, dann steigt sein Kanalwiderstand, sodass er in der Folge weniger Strom aus der Aufteilung erhält). Nachteil der FETs ist, dass sie eine vergleichsweise hohe Steuer- spannung benötigen, während Bipolartransistoren auch bei Spannungen um 1 V noch gut durchsteuerbar sind. FETs werden spannungsgesteuert und verbrauchen damit statisch keine Steuerleistung. Allerdings haben gerade FETs mit kleinem Rdson sehr große Eingangskapazitäten, sodass man bei Frequenzen ab ca. 100 kHz dennoch nennenswerte Ansteuerleistung benötigt. p.s.: "Transistor contra MOSFET" passt nicht: ein FET ist ein Transistor (eben ein Feldeffekttransistor). Korrekt wäre "Bipolar-Transistor contra MOSFET", oder englisch "BJT vs. MOSFET". (BJT - bijuntion transistor).
@jörg p.s.: "Transistor contra MOSFET" passt nicht: ein FET ist ein Transistor (eben ein Feldeffekttransistor). Korrekt wäre "Bipolar-Transistor contra MOSFET", oder englisch "BJT vs. MOSFET". (BJT - bijuntion transistor Danke für den Tipp, werde deinen Ratschlag beim nächsten male befolgen. Bin dann aber doch im Posting genau auf den Bipolar-Transistor eingegangen und meine Frage wurde wie immer hier (lob an alle) beantwortet, und jeder wusste was ich meinte :-) Danke