Hallo,
wie gesagt bin ich auf der suche nach einem FET, bestimmte Anforderungen
sollen erfüllt werden:
das Elektronik-Kompendium.de spricht von:
"... Power-FETs genügt eine Gate-Source-Spannung von weniger als 5 V
damit der Drain-Source-Kanal vollständig leitet. Es gibt moderne
Power-MOSFETs die im eingeschalteten Zustand derart niederohmige
Drain-Source-Widerstände haben, dass sie es mit massiven Relaiskontakten
im Milliohm-Bereich durchaus aufnehmen können."
Und ganu so was will ich, am liebsten ein Datenblatt oder eine
Typenbezeichnung oder eine Idee wie ich den passenden finden kann, denn
auf Conrad und Co. finde ich nur ewig lange Listen aber keine gescheite
Auswahlmöglichkeit... Auch der Mann am Telfon wollte mir nicht helfen
und sagen was für ein Modell ich brauche...
meine Kriterien sind:
selbstsperrend - "Steurspannung soll bei 3,3V liegen und drain-source
soll so niederohmig wie möglich sein..."
soweit ich weiss kann sowas "lowpower-FET" heissen...
Aber wirklich ich habe keine Ahnung wie ich den Richtig Typ finden
soll...
für die Drain-Source Spannung und Stromstärke kann ich sagen das die
extrem niedrig ist,
für jede Hilfe bin ich dankbar...
viele Grüße
Paul
>für die Drain-Source Spannung und Stromstärke kann ich sagen das die>extrem niedrig ist,
Wenn auch Stromstärke extrem niedrig sein soll, dann braucht man doch
keine Mosfet-Monster mit extrem niedrigen R. Wenn es hier wirklich nur
um niedrige Spannungen/Ströme geht, sind solche Dinger vielleicht eher
ungeeignet, denn es gibt ja auch noch einige andere Parameter, die man
neben U/I/R beachten sollte, und die sich evtl. recht ungünstig
auswirkken können (Stichpunkt parasitäre Kapazitäten). Vielleicht
erzählst Du mal, wozu du den brauchst bzw. in welcher Umgebung
(schaltungstechnisch betrachtet).
@ Gast
Wenn er sagt:
> Gate-Source-Spannung von weniger als 5 V
und
> Steurspannung soll bei 3,3V liegen
müsste man von einem N-Kanal MosFET ausgehen, ansonsten hätte er -5V
gesagt oder Source-Gate-Spannung von 5V.
Der AP9918H ist ein LogicLevel-MosFET und bei 3V UGS kann er 45A
schalten.
Auf alten Mainboards findet man den oft, aber bei Reichelt bekommt man
den nicht.
Hey danke ihr seid echt super hier,
also ich haybe noch mal ganz genau drauf geachtet und es muss ein
N-Kanal sein...
Gekauft wird das teil (oder die weil 12 Stück) sowieso...
gebaraucht wird es zum umschalten von einem Messgerät, schätzungsweise
liegen 700mV bei max 3A an... parasitäre Ströme und Spannungen wären
extrem ungut... ein hoher Widerstand aber auch, gewünschter Widerstand
liegt so bei 0,1 Ohm und kleiner.
Schalktgeschwindigkeit soll möglichst schnell sein ich selle mir da so
20ms vor...
Supertip mit dem "logic level FET"
hab dann auch die Tabelle gefunden, Frage passt sowas?
IRF1404 TO-220AB UGS 4.0 UDS/V 40 ID/A 202 P/W 333 RDS/mOhm 4
ich selber habe bei Farnell 2 gefunden, passen die?
FDMS5672 UGS 4 UDS/V 40 ID/A 10,6 P/W 2,5 RDS/Ohm 0,0115
und
IRFB3206PBF UGS 4 UDS/V 60 ID/A 840 P/W 300 RDS/Ohm 0,003
ich aktualisier mal den Schaltplan und versuch ihn hier noch
reinzustellen...
danke für die Hilfe und würde mich über einen Tip freuen welcher FET
jetzt nun mehr sinn macht..
Äh laß das mal Meßsignal durch einen MOSFET zu schicken. Da gibt es
viele schlimme effekte. Nimm lieber Read-Relays die gibt es auch in
ziemlich kleinen Bauformen.
Jo dann fange ich mal an:
- Einkopplungen durch die Gate-Drain-Kapazität
- thermisches Rauschen
- Schrottrauschen (Metallkontakte)
- 1/f-Rauschen
- nichtlineare Einflüße auf das über (2!) PN-Übergänge eingespeisste
Meßsignal
und vieles mehr.
Okay ich habe den Schaltplan mal angefügt, bitte nehmt mir nicht übel
das es eine AutoCAD zeichnung ist die nicht ganz nach den
Schaltungzeichnungsnormen ist... das Prizip sollte aber klar werden.
3 variable Spannungsquellen sollen über verschieden Widerstände gemessen
werden. Dafür werden auf den 15 Messleitungen (nach unten)die Spannungen
gemessen
die 4 Leitung nach links sollen die Relais Schalten, mit einer
Gegenleitung dem negativen Pol...
noch was zu Relais, meines wissens haben die neben der langsamen
Schaltfrequenz und der Berenzten Lebensdauer sehr unangenehme
selbstinduktionen... gerne lasse ich mich vom Gegenteil belehren, ich
bin nicht froh über FETs da ich diese nicht voll und ganz verstehe...
grüße
Paul
@ Analog
also das Rauschen und die Einkopplungen durch die Gate-Drain-Kapazität
können wir hier sicherlich ignorieren - inzwischen wissen wir ja, daß es
sich um einige Ampere handelt, und daß die Schaltgeschwindigkeit
irgendwas bei 20ms liegen soll (also wenns hoch kommt gerade mal ein
paar 100Hz oder paar kHz mit Oberwellen ;-).
Und wo der PN-Übergang sein soll, das musste mir auch noch erklären (ich
sehe da nur einen von der parasitären Diode).
Wenn hier also nur Gleichströme/Spannungen geschaltet werden sollen,
sehe ich da keine großen Probleme mit einem Mosfet (wobei ich die
Schaltung trotzdem noch nicht so ganz verstehe).
Den IRF1404 kannste ja mal probieren, denn bei den paar Ampere kannste
den eigentlich schon als LogicLevel Typen betrachten
>Und wo der PN-Übergang sein soll, das musste mir auch noch erklären (ich>sehe da nur einen von der parasitären Diode).
Also wenn das Signal durch Drain nach Source geschleift werden soll.
Hast Du einen Übergang von Metal nach n+ zum substrat p wieder nach n+
zu einem Metallkontakt. Das sind zwei Übergänge.
Danke Jens und Analog,
nu bin ich ein bisschen verunsichert - und suche bereits nach einer
Lösung mit Reedrelais - die aber durch eine Lebensdauer unangenehm
auffallen und sicherlich teurer sind...
zur Verdeutlichung: Es werden nur gleichspannungen genutzt...
es handelt sich maximal um einige Ampere... eher weniger... also im mA
Bereich...
das p-Substrat wird doch passiviert und das schalten sollte doch nur
gehen wenn die N-P-N Sperrschicht "geflutet" ist, demnach sollten das
mit den Übergängen nicht sein, dennoch sehe ich gneu da die Gefahr das
störungne auftreten können...
grüße
Paul
(PS den Schaltplan besser ich nach xD)
PPS: wie gr0ß ist denn die thermisch anfälligkeit der FETs?
> das p-Substrat wird doch passiviert
Ja aber nur an der Oberfläche um Kantenkurzschlüsse zu vermeiden
>das schalten sollte doch nur>gehen wenn die N-P-N Sperrschicht "geflutet" ist, demnach sollten das>mit den Übergängen nicht sein
naja... Ein FET hat im Sättigungsbereich nie einen linearen Widerstand.
Dies liegt wirklich daran das wir Elektron durch verschieden dotiertes
Material leiten.
Lad dir zum Schaltplanzeichnen Eagle von Cadsoft herunter.
IRLZ34N, IRF7341, (siehe Standardbauteile in der Artileksammlung hier im
Forum), gibts alle bei Reichelt.
Was soll die (verkehrtherum gepolte) Diode in Serie mit der
Spannungsquelle?
>noch was zu Relais, meines wissens haben die neben der langsamen>Schaltfrequenz und der Berenzten Lebensdauer sehr unangenehme>selbstinduktionen...
Die Selbstinduktion führt eigentlich dazu das sich durch das entladen
der Spule einen Spannungsänderung dU=L*(dI/dt) zur Spulenspannung
addiert. Die Zeitabhängigkeit zeigt, daß es eben beim Schaltung zu
großen dUs kommen kann und dadurch Spannung an der Spule entstehen
können, die die Schaltspannung massiv überschreiten bzw. unterschreiten.
Abhilfe schafft hier eine entgegengesetzt gepolte
Freilaufe(Shottky)-Diode. Den Einfluß durch das H-Feld auf den
Metalkontakt, welcher das Meßsignal transportiert halte ich persönlich
für vernachlässigbar. Aber da lehne ich mich mal nicht aus dem Fenster.
>Ein FET hat im Sättigungsbereich nie einen linearen Widerstand.
Da er sowiso hier nur im Schaltbetrieb eingesetzt wird spielt das hier
keine Rolle. Was juckt eine Nichtlinearität von sagen wir 1% bei einem
durchgeschalteten Widerstand von 30mOhm ? Das wären dann bei 3A in etwa
ein Fehler von 0.9mV. Ich Wette sein ADC ist ungenauer.
=) danke für den Tip Michi, leider kann ich hier keine Programm
installieren bin kein admin, AutoCAD kann ich halt in 5 minuten so ne
skizze machen... zu Hause werde ich aber deine Tips beherzigen, mir
wurde auch schon Elektronik-Workbench oder so ähnlich empfohlen...
zur Diode... (und da merkt man leider wie wenig ahnung ich habe) ich
"dachte" eine ??Shott-Diode?? verhindert das sich der Stomkreis umpolen
kann, also beim Wasserrohr als Rückschlgventil sozusagen... einfach um
auf nummer sicher zu gehen...
Alos muss ich die Diode umdrehen oder ist die Idee schon falsch?
@Analog, ja richtig verstehe ich sehr gut - gibt es denn außer das
"nicht lineare" Widerstandsverhalten eine annäherung für die Varianz des
Widerstandes? Dann könnt ichs einfach rausrechnen?!
grüße
Paul
@Kupfer Michi
Paul wrote:
> es handelt sich maximal um einige Ampere... eher weniger... also im mA>Bereich...
Aber im Ampere bereich mag das schon stimmen, wie sieht es darunter aus.
Vielleicht ist das auch ein bißchen Übertrieben von mir. In nagelneuen
teuren Meßinstrumenten hörst Du übrigens heute noch Relais klackern.
Aber ich halte mich jetzt mal zurück. Wollte nur mal meine Meinung
sagen.
Die Durchgeschalteten Widerstände liegen bei:
0,002 Ohm
1 Ohm
3 Ohm
5 Ohm
Die gemessene Stromstäre liegt maximal bei 3A, eher aber im mA
Bereich... sagen wir mal 0 bis 300mA
kommt es da zu Fehlern wegen den geringen Strömen?
>Alos muss ich die Diode umdrehen oder ist die Idee schon falsch?
Umdrehen ja, denn so betreibst du sie ja in Sperrichtung.
Ausserdem gehört die Diode nicht in den unteren Zweig (MOSFET Source ->
Minus Pol der Spannungsquelle) sonder in den oberen Zweig (+Pol ->
Messwiderstand).
Im unteren Zweig verschiebt die Diode nur unnötigerweise das Source
Potential gegenüber dem Gate durch den Spannungsabfall an der Diode.
>Die Durchgeschalteten Widerstände liegen bei:>0,002 Ohm>1 Ohm>3 Ohm>5 Ohm
Oh je, das hättest du zu erst sagen müssen.
bei 0.002Ohm + 0.030Ohm vom durchgeschalteten MOSFET hast du ja ein
riesen Messfehler. So wird das nix.
Bei 3Ohm währen das immer noch 1% durch den MOSFET.
Nein Analog ich danke Dir sehr dafür das Du mich auf die Relais gebracht
hast - bis jetzt war mir nicht bekannt das es solche schnellen Relais
gibt...
ich habe mir einfach mal die beiden hier angeshen und cerstehe nicht
ganz ob ich die mit meinem 3,3V analogen Output schalten kann und ob sie
zu meiner Idee passen...
ersichtlich wird mir nur das sie einen Wiederstand habend er dazu noch
dynamisch ist...
http://www.meder.com/fileadmin/meder/pdf/de/Produkte/Reedrelais/Relais_LP_Serie_D.pdfhttp://www.meder.com/mre_relays0.html
Leider ist der Technische Support nicht mehr da sondern im WE...
grüße
Paul
QAnalog
npn schon - im Ruhezustand (da macht ihn ja erst mal sperrend. Aber
sobald das Gate die Thresholdspannung überschreitet, wird diese Strecke
ebenfalls n-leitend, was ja erst den Stromfluß ermöglicht. Da haste also
keine Sperrschichten mehr ...
"Oh je, das hättest du zu erst sagen müssen.
bei 0.002Ohm + 0.030Ohm vom durchgeschalteten MOSFET hast du ja ein
riesen Messfehler. So wird das nix.
Bei 3Ohm währen das immer noch 1% durch den MOSFET."
1% ist völlig ok, der 0,002Ohm Widerstand muss einfach drin sein um eine
Kurzschlussspannung zu messen... Wenn ich einen noch kleineren bekomme
nehm ich den, aber ich muss über einen definierten Widerstand messen um
aus einer Spannung einen Strom zu errrechnen...
deswegen will ich auch die ganze Zeit so niederohmige FETs, (die dann
auch in der größenordnung von den Relais sind... als kommt man wohl
nicht drum herrum)
vielleicht kann ich den Fehler auch rausrechnen, aber nur wenn er einer
Gesetzmäßigkeit folgt... das angesprochene Rauschen ist da ssehr viel
kritischer...
deswegen hatte ich auch gefragt ob der FET hier geht:
IRFB3206PBF UGS 4 UDS/V 60 ID/A 840 P/W 300 RDS/Ohm 0,003
grüße
Paul
@ Jens G. (jensig)
Ja, dann musst Du gaaannz genau nach der Rise-Time den AD-Wandler
anmachen und kurz vor der Fall-Time wieder aus. Wird ziemlich schwer zu
synchronisieren sein.
>vielleicht kann ich den Fehler auch rausrechnen, aber nur wenn er einer>Gesetzmäßigkeit folgt... das angesprochene Rauschen ist da ssehr viel>kritischer...
lass Dich nicht irre machen das Rauschen spielt keine Rolle
bei der Anwendung! :)
>IRFB3206PBF UGS 4 UDS/V 60 ID/A 840 P/W 300 RDS/Ohm 0,003
der würde dann schon eher gehen, aber mit 3 mOhm + 2 mOhm verdoppelst du
immer noch deinen Messwiderstand (unter der Annahme dass du sehr!
niederohmig verkabelt hast)..
Ausserdem solltest du bedenken, dass RDS.on sehr Temperatur und GS
Spannungsabhängig ist (schwierig zu kalibrieren).
Der IRFB sollte auch mit 10V am Gate angesteuert werden, sonnst erreicht
er die 3mOhm nicht.
>der 0,002Ohm Widerstand muss einfach drin sein um eine>Kurzschlussspannung zu messen... Wenn ich einen noch kleineren bekomme>nehm ich den,
Wie misst du die Differenzspannung über dem 2mOhm Widerstand?
Bei 3A kurzschlussstrom wären das 6mV.
Um den einfluss des MOSFETs auf den Krurschlussstrom noch weiter zu
minimieren kannst du mehre MOSFETs parallel schalten.
Für die grösseren Widerstände reichen dann die einfacheren Typen.
>aber ich muss über einen definierten Widerstand messen um>aus einer Spannung einen Strom zu errrechnen...
D.h. dir kommt es auf den maximalen Kurzschlussstrom & Spannung an?
Und wie sieht dann deine Verkabelung aus (Steckkontakte ist ja nich)?
=) zugut geht fast nicht, zuteuer - hmm naja denke so ein Bauteil kostet
max 5 bis 10 Eur... die Angebote von Reichelt liegen ja eher im Cent
bereich.. umso besser...
nein leider hab ich keine 10V am Gate... sonst müsste ich ne
spannungsquelle einbauen, die dann wohl wieder mit FETs geschaltet
werden müsste...
Was meinst du mit GS?
wie gesagt der 0,002 Ohm Widerstand ist nur damit ich einen definierten
wiederstand habe der fast den Kurzschuss darstellt...
die Kontaktierung der Spannungsquelle kann als optimal angesehen werden
wenn sie bei +/- 0,2 Ohm liegt im extremfall lieg ich aber um Faktor 10
höher...
Ja ich wollte Silberdraht nehmen... fest verdrahtet
das mit dem "über den Widerstand messen" wurde mir so erklärt... das
kanze soll mit nem Datenlogger erfasst werden der sollte hoffentlich
genau genug sein...
das mit den MOSFET parelle hört sich sehr gut an... gilt da das gleiche
wie für zwei Widerstände die parallel sind!??
das würd ich dann mit allen MOSFETS machen also die immer doppelt
nehmen...
(hey ich fahr jetzt erst mal nach hause und setzt mich da heute abend
wieder an den Computer (die Zeichnung mach ich dann auch besser mit dem
richtigen Programm...
bis gleich =) und bis jetzt schon mal vielen Dank auch wenn ich immer
noch nich weiss wie es gehen soll =)
grüße
Paul
>Was meinst du mit GS?
Gate-Source Anschluss/Spannung
>die Kontaktierung der Spannungsquelle kann als optimal angesehen werden>wenn sie bei +/- 0,2 Ohm liegt im extremfall lieg ich aber um Faktor 10>höher...
OK, das änder wieder alles,
bei max 2 Ohm Anschlusswiderstand spielen zusätzliche 30 mOhm (bzw. 3
mOhm) vom FET keine so grosse Rolle mehr.
Misst du die Spannung über den Widerstand mit einem Instrumenten OpAmp,
sonst wird das bei den 6mV nix.
Alternative kann man in diesem Fall den Messwiderstand in den Source
Zweig legen und mit einem einem einfachen Low Offset OpAmp messen.
(sach mal, könnte es sein, dass wir hier gerade deine Hausaufgaben
machen und du damit am Montage bei deinem Chef glänzt?)
Analog wrote:
> Äh laß das mal Meßsignal durch einen MOSFET zu schicken. Da gibt es> viele schlimme effekte. Nimm lieber Read-Relays die gibt es auch in> ziemlich kleinen Bauformen.
So ein Bullshit! Sorry
"(sach mal, könnte es sein, dass wir hier gerade deine Hausaufgaben
machen und du damit am Montage bei deinem Chef glänzt?)"
lol, jein - also ich mache das ganze für meine Diplomarbeit,
dementsprechen ist es nicht für meinen Chef, ich bekomme keine
Gehaltserhöhung und auch keine Schläge wennes nicht funktioniert...
Und um meine unwissenheit zu erklären - ich bin
Umweltverfahrenstechniker, Mechatronik hatten wir zwar auch ein bisschen
aber halt überhaupt nicht anwendungsbezogen noch ist das Wort MOSFET
gefallen...
Ich tu mich sehr schwer mit Elektronik - die ganzen mechanischen
Komponenten und auch die physikalischen Beweise habe ich alle schon...
Ich bin euch wirklich sehr dankbar - weil ohne eure Hilfe würde ich
einfach nicht Land sehen, ich meine das Prinzip kann ich (muss ich auch)
verstehen, aber welcher MOSFET nun passt, sry aber wenn mir da der
Conrad Support nichts sagen kann und ich 3 Produktkataloge durchblätter
und immer noch nicht verstehe welchen ich nehmen soll - dann scheint es
mir das nur Spezialisten helfen können...
So jetzt mal ne Nachtschicht mit unter Anderem Schaltplan neu zeichenen
:/
grüße
Paul
>Umweltverfahrenstechniker
nagenau... so einem haben ich (wir) geholfen!
Der schaft die Messtechnik damit wir morgen mit unseren Autos
nicht mehr fahren dürfen.
schäm und groll Gast
nein Leute wie ich schaffen Möglichkeiten das Du Auto fahren kannst mit
Treibstoff der aus Abfallresten gewonnen wird...
Oder wir wollen das es ab sofort nur noch 2 Mülltonnen gibt für ALLES!
LoL
Mach dier nochmal etwas genauere Gedanken über dein Widerstands & Fehler
Budget.
Wenn deine Verkabelungswiderstände so hoch sind, macht es keinen Sinn im
Rest der Schaltung weit unter 10% dieses Wertes zu gehen.
Diese 10% kannst du dann zwischen Messwiderstand und MOSFET aufteilen.
Das mit der Schutzdiode macht dann eigentlich so auch keinen grossen
Sinn, da sie ja ein weiterer, nicht zu vernachlässigender Widerstand
ist.
Wenn du Verpolungssicherheit brauchst, mach statt dessen eine 5-10A
Flink Sicherung rein und dahinter in Sperrichtung eine fette Schottky
Diode nach V-.
Im Verpolungsfall wird sie leitend und reisst die Sicherung und es kann
nichts mehr weiter passieren. (Ganz komfortionös kannst du zur Anzeige
eines Fehlerfalls zwei LEDs antiparallel mit Vorwiderstand über die
Sicherung brücken, sie leuchten dann bei durchgebrannter Sicherung auf).
>das kanze soll mit nem Datenlogger erfasst werden
... der natürlich hoffentlich einen Differenz Eingang hat.
Was ist das für eine Spannungsquelle, die vermessen werden soll?
Hu Michi,
ich bin kurz vorm einschlafen und werd morgen weitermachen und dann
kommen so viel gute Vorschläge von Dir... danke!
Das mit den LED hört sich schön an, werd ich schaun wenns einfach zu
machen ist ist das wirklich ein hingucker...
Ja das mit dem Datenlogger sollte passen =)
und nun die auflösung des Rätsels mit der Stromquelle, es handelt sich
um eine Solarzelle die Spannungsquelle ist. xD Deswegen auch die Messung
und die Widerstände...
grüße und gute Nacht, bis morgen!
Paul
>Solarzelle
Aha,
ihr wollt also die Strom/Spannungskennlinie der Zelle aufnehmen?
Wie hoch ist denn eure Leelaufspannung und euer maximale
Krurzschlussstrom?
Lies dir mal zur allgemeinen Erbauung noch dies hier durch:
AN105 - Current Sense Circuit Collection
http://www.linear.com/pc/downloadDocument.do?navId=H0,C1,C1154,C1009,C1077,P12995,D12479
Da gibt es nämlich noch intelligentere Möglichkeiten.
Mit der Schaltung rechts unten kannst du das U vs. I Diagramm
kontinuierlich aufnehmen und eliminierst gleichzeitig weitgehend deinen
Fehler durch die Verkabelungswiderstände (Vierleiter Messung), dadurch
dass du einen Sollstrom vorgibst und die resultierende Zellenspannung
direkt an der Zelle selbst misst.
Die Kontrollspannung Vin kannst du über einen Rampengeneartor, DAC,
Potentiometer oder wie auch immer einstellen.
Der FET muss natürlich gut gekühlt und der Sense Widerstand z.B. auf 0.1
Ohm (oder was auch immer) runtergesetzt werden.
>Der FET muss natürlich gut gekühlt und der Sense Widerstand z.B. auf 0.1>Ohm (oder was auch immer) runtergesetzt werden.
Auja, die mühsam gewonnene Sonnenenergie gleich mal in Wärme umwandeln
:)
"Da gibt es nämlich noch intelligentere Möglichkeiten.
Mit der Schaltung rechts unten kannst du das U vs. I Diagramm
kontinuierlich aufnehmen und eliminierst gleichzeitig weitgehend deinen
Fehler durch die Verkabelungswiderstände (Vierleiter Messung), dadurch
dass du einen Sollstrom vorgibst und die resultierende Zellenspannung
direkt an der Zelle selbst misst."
Richtig, der beste Weg ist meines Wissens mit einer vierpolmessung und
mit einer Gegenspannungsquelle, dies ist auf Grund der Konstruktion
nicht möglich und auch nicht nötig, da wir keine ganze U/I-Kennlinie
aufnehmen wollen...
danke für das PDF, auch wenn ichs nur schwer versthe lese ichs gerade
durch... n bisschen was bleibt doch hängen...
müssen FETs immer gekühlt werden?!?
Die V_OC und I_SC sind abhängig von verschiedenen Zellen - deswegen will
ich mich gerade nicht weiter festlegen als max: 1,5V und 3A, allerdings
haben die Messungen auch Ströme von nur 300mA ergeben...
Und für Analog, nunja - ich würd auch lieber ne krisstallkugel nehmen
und dann ohne Wärmeentwicklung die Solarzellen begutachten - leider sind
die Messfehler sehr groß =)
>nicht nötig, da wir keine ganze U/I-Kennlinie aufnehmen wollen...
Selbst wenn du nicht die ganze U/I Kennlinie brauchst, hast du immer
noch das Problem der nicht vorhersagbaren Anschluss/Kabelwiderstände.
Dadurch verschiebt sich jeweils dein Arbeitspunkt und bei einem
gemessenen U/I Paar weisst du nicht ob dies z.B. durch einen erhöhten
Anschlusswiderstand, einen höheren Innenwiderstand der Zelle, oder
geringere Effizienz oder Beleuchtung zustande kam.
Bei obiger Schaltung gibst du den Strom direkt vor, die Regelung sucht
sich den richtigen Widerstand (Sens+FET+Verkabelung) dazu heraus und die
Messungen werden damit automatisch untereinander Vergleichbar. Ausserdem
sparst du jede Menge Verkabelung zum Datenschreiber.
... wollt ich nur zu Bendenken geben.
>müssen FETs immer gekühlt werden?!?
P = U*I
im Linearbetrieb (Schaltung oben) ist U am FET und I gross
im Schaltbetrieb (deine erste Schaltung) ist I entweder 0 (Off) oder I
gross und RDS.on sehr klein und damit U am FET ebenfalls klein.
Bei richtiger FET Auswahl reicht dann meist die Kühlung durch die
Platine selbst.
>such doch mal nach ner MPP-Regelung
so wie ich Paul verstanden habe, möchte er seine Zellen nicht am
optimalen Arbeitspunkt betreiben, sondern seine Zellen an verschiedenen
Arbeitspunkten vermessen ... unterschiedliche Aufgabenstellung.
>so wie ich Paul verstanden habe, möchte er seine Zellen nicht am>optimalen Arbeitspunkt betreiben, sondern seine Zellen an verschiedenen>Arbeitspunkten vermessen ... unterschiedliche Aufgabenstellung.
schon. Aber die Arbeitspunkte vermessen ist ein Abfallprodukt der
MPP-Regelung.
Hey noch mal ein Nachtrag, damit vielleicht jemand hier die Antwort
findet die er braucht.
Die Schaltung funktioniert mit IRF1404 und den Widerständen 0,5/3/5,6/15
Ohm sehr gut. Das Labviewprogramm kann in 1ms die gesammte MEssung
durchführen, obwohl bereits 20ms ausreichend sind...
Ich danke allen die mir hier geholfen haben!!
grüße Paul
>Und ganu so was will ich, am liebsten ein Datenblatt oder eine>Typenbezeichnung oder eine Idee wie ich den passenden finden kann, denn>auf Conrad und Co. finde ich nur ewig lange Listen aber keine gescheite>Auswahlmöglichkeit... Auch der Mann am Telfon wollte mir nicht helfen>und sagen was für ein Modell ich brauche...
Bei Farnell kann man diesbezüglich prima suchen, nur mal so als Tipp ;)