Highside Switch mit FET

Spice Gast #1116893
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Hallo liebe Forengemeinde,

ich möchte mit einem FET ein HighSideSwitch aufbauen, welchen ich mit 
3.3V ansteuern kann. Die Last die in der DrainSource-Strecke hängt 
beträgt ca 2A. Nun würde ich mich gern erkundigen, ob ein N-Channel oder 
P-Channel besser geeignet wäre. Ist es so, dass ein N-Channel als 
Lowside und P-Channel als Highsideswitch besser geeignet sind? Da ich 
umgekehrt eine größere Spannung am Gate aufbringen müsste (als 3.3V), um 
voll durchzuschalten? Was sind Vorteile von High und Lowsideswitches?
Besten Dank für die Hilfe und Gruß
Spice
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Daniel V. #1116917
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Lieber nimmt man N - Channel FETs. Mittels Bootstrap Verfahren (z.B.) 
bekommst du die höhere Spannung, damit er High - Side schalten kann.
Grund ist der Widerstand im eingeschaltetem Zustand.
Die Verlustleistung ist:
Pv = I^2 * Rdson.
Solltest du noch PWM nehmen, fallen die Schaltverluste auch an.
Grob kann man sagen  u/2 * I/2 * tschalt, das ganze 2 * fpwm pro 
Sekunde.
Weil entweder U oder I fast 0 ist, und sie sich "in der Mitte" beim 
Schalten treffen. Eigentlich ergibt sich eine Parabel, aber die Formel 
ist ausreichend.
Wenn du mit Ron vom P -Channel bei deinem Strom leben kannst, reicht 
dieser natürlich auch.
mfg
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Lothar M. Moderator (Firma: Titel) Persönliche Seite #1117102
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> Nun würde ich mich gern erkundigen, ob ein N-Channel oder
> P-Channel besser geeignet wäre.
N-Kanal haben idR. niedrigere Rdson,
aber du brauchst irgendwoher eine zusätzliche Hilfsspannung.
P-Kanal sind einfach anzusteuern,
haben aber einen höheren Rdson. Bei 2A solltest du allerdings auch 
geeignete P-Kanal FETs z.B. im SO8 Gehäuse finden.

> welchen ich mit 3.3V ansteuern kann.
So ganz ohne Zusatzbeschaltung geht das weder bei P noch bei N-Kanal.

Welche Spannung willst du schalten?

Wie oft wird der FET ein und ausgeschaltet? Wird er mit höherer Frequenz 
getaktet oder nur einmal eingeschaltet und bleibt dann für längere Zeit 
an?
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