Der 'Verlust' an einer Diode ist bestimmt durch den durch sie hindurch
fließenden Strom (If) und der dabei entstehen Durchflußspannung (Uf).
Die Dioden-Verlustleistung beim Buck-Wandler steigt mit größer werdenden
Ausgangsstrom, womit i.d.R. der Abfall der Kennlinie zu größeren Strömen
zu erklären ist. Desgleichen gilt übrigens für den Gleichstromwiderstand
(Ri) der Spule.
Weiterhin steht im Datenblatt, das es sich beim LT1074 um einen "...
monolithic bipolar switching regulator ..." handelt, womit der
Schalttransistor keine MOSFET sondern eben ein Bipolarer sein wird
(siehe auch Seite 4 im Datenblatt). Damit erklärt sich u.a. auch der
schlechtere Wirkungsgrad bei kleineren Eingangsspannungen. Der VCEsat
steigt mit größer werdenden Strömen. Bei kleineren Eingangsspannungen
muß, bei identischer Leistungsabgabe am Ausgang, der Eingangsstrom
größer werden. Außerdem gibt's noch den internen Shuntwiderstand von
40mOhm, der ebenfalls in die Verlustrechnung eingeht. OK, der Vergleich
(mit der identischen Ausgangsleistung) hinkt jetzt ein klein wenig, da
Ausgangsspannungen von 12V und 5V bei Strömen bis jeweils 5A im Diagramm
gezeigt sind (60W gegen 25W).
Also immer erst überlegen wo Verluste auftreten können, d.h. schauen
wann, wo, Ströme in welcher Höhe fließen und Spanungsabfälle (eben
'Verluste') hervorrufen können.
Neben den üblichen Verlusten beim Schalten des Leistungstransistors
(Übergang von Leitend zu Sperrend um umgekehrt) ist die Anzahl der
beteiligten Bauteile eingentlich überschaubar.
Transistor im LT1074 leitend:
+ 40mOhm-Shunt im LT1074
+ VCEsat des Scahlttransistors
+ Ri der Spule
Transistor im LT1074 sperrend:
+ Uf der Schottkydiode (hier z.B. MBR745)
+ Ri der Spule
Weiterhin ist der Aufbau (z.B. kurze Leiterbahnführungen), und die
Bauteilselektion (z.B. ELKOs mit kleinem ESR, Spulen mit kleinem Ri,
...) nicht zu unterschätzen.
efficiency.PNG
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