Hi, ich will mit PSpice einen Sperrwandler simulieren, leider funktioniert das nicht. Kann ich stattdessen nicht einen Aufwaertswandler simulieren?? Ist ja das gleiche Prinzip nur ohne galvanische Trennung... Vielen Dank schonmal
Hallo! Warum funktioniert das nicht? Gibt es Probleme bei der Simulation des Trafos? Prinzipiel kannst du auch einen Aufwärtswandler simulieren, allerdings mit 2 Einschränkungen: -Du musst berücksichtigen, dass du den Schalter in irgendeiner Form potentialgetrennt ansteuern, wenn der Regler auf der Sekundärseite sitzt. -Durch den Trafo kriegst du eine Phasendrehung in deinen Regelkreis rein, die du bei der Dimensionierung des Reglers berücksichtigen solltest (schwingt leichter). Ansonsten würd ich das ganz einfach theoretisch durchrechnen, das reicht meistens auch.
Ok, vielen Dank! Aber wie muss ich die Elkos (E/A) waehlen? 12VDC kommen rein und 120VDC wieder raus...Als Diode muss ich ne Schottky nehmen, oder reicht auch eine 1n4148???
Hier noch meine Schaltung L1 und L2 habe ich schon korrekt fuer meinen Fall berechnet
Wichtig wäre einmal zu Wissen, wie viel Strom du am Ausgang haben willst? Wofür willst du den Sperrwandler benutzen? Ich sehe, dass du keine Regelung für die Ausgangsspannung vorgesehen hast. Natürlich kannst du auch ein festes Tastverhältnis benutzen, wirst aber bei Lastschwankungen am Ausgang starke Spannungsänderungen haben. Falls das nur eine Bastelei ist und du sehr wenig Strom am Ausgang ziehst, schaffst dus vielleicht auch ohne Regelung. Zu den Elkos: wenn dir die Restwelligkeit am Eingang bzw. am Ausgang zu groß sind, musst du sie halt größermachen, ich würd sagen, in der Simulaton ausprobieren. Ich hab mal so was ähnliche gebaut und hatte mit Dioden aus der EPF-Serie von IR gute Erfahrungen gemacht (Soft recovery aus EMV-Gründen).
Ich braeuchte 1A am Ausgang, das ganze ist nur eine theoretische Sache... Wie kann ich denn den Wicklungssinn in der Simulation beruecksichtigen???
120V und 1A finde ich für einen Sperrwandler schon wieder grenzwertig. Gute Grundlagen- und Berechnungsseite: http://schmidt-walter.eit.h-da.de/smps/smps.html Zum Wicklungssinn: Wenn du dir Schaltbilder eines Wandlertrafos anschaust, sind an den Wicklungen Punkte eingezeichnet. Bei der Simulation müsstest du vermutlich den Sekundärteil spiegeln, also die Diode im unteren Zweig und der Masseanschluss oben. Bei Sperrwandlern ist die Polarität um 180° gedreht, ich weiß aber nicht, ob dein Simulant das schafft. Arno
was bietet sich denn sonst fuer ein schaltnetzteil an?? Die Seite ist nicht schlecht...Aber ich brauch einen Wandler mit ner galvanischen Trennung
Gast wrote: > Kann ich stattdessen nicht einen Aufwaertswandler simulieren?? Ist ja > das gleiche Prinzip nur ohne galvanische Trennung... Das ist nicht wirklich vergleichbar. Beim Trafo hast Du eine Streuinduktivität, die das Übertragungsverhalten wesentlich beeinflußt und beim Sperrwandler fließt der Eingangsstrom nur während der Flußphase und muß dann entsprechend höher sein um die gleiche Leistung wie ein Aufwärtswandler zu erhalten. Beides führt dazu, dass die erreichbare Ausgangsleistung des Sperrwandlers bei gleichen Spulendaten wesentlich geringer ist als bei einem Aufwärtswandler. Jörg
Danke fuer eure Hilfe, aber ich hab es jetzt selber hinbekommen... Hatte anscheinend die ganze Zeit die falsche Diode...
Hallo, auch wenn das Thema schon abgeschlossen ist habe ich noch eine Bemerkung: Bei einer Spule (auch im Sperrwandler ) wird die gespeicherte magnetissche Energie beim Abschalten in die Ladung der Wicklungskapazität übertragen. L I**2/2 = C U**2/2 Also vermute ich, dass bei einer Simulation eines Sperrwandlers die Wicklungskapazität als zusätzliches Bauteil eingefügt werden sollte.
Max wrote: > Bei einer Spule (auch im Sperrwandler ) wird die gespeicherte > magnetissche Energie beim Abschalten in die Ladung der > Wicklungskapazität übertragen. > > L I**2/2 = C U**2/2 Diese Gleichung ergibt im Zusammenhang mit dem Sperrwandlerprinzip keinen Sinn. Die im ausgangsseitigen Kondensator gespeicherte Energie hat nichts mit der in der Spule gespeicherten Energie zu tun, da sich die Kondensatorspannung UND die gespeicherte Energie bei der Entladung der Spule nicht merklich ändert. Jörg.
Eine letzte Frage, muss ich das Enlastungsnetzwerk auch simulieren, oder reicht das so wie oben dargestellt???
Hallo, eine Spule hat eine gespeicherte Energie L I*I /2. Diese gespeicherte Energie wird, falls der Spulenstrom unterbrochen wird, in die Wicklungskapazität gebracht und bestimmt die Spannungsspitze. Das ist beim Übergang vom leitenden in den sperrenden Zustand des Transistors in einem Sperrschwinger der Fall. Die Ausgangsspannung eines Sperrschwingers ist U = I * sqrt(L/C)
Ergänzung: Die Wicklungskapazität der Sekundärspule wird mit N * N in der Primärwicklung wirksam.
Warum mess ich am Drain immer 12 V und diverse Peaks bis ca. 100V erste 100us?Eigentlich muesste der Mosfet ja den Kreis auf Masse ziehen und ich ca. 0V messen...ich beziehe mich immer noch auf meine Grafik von oben
Hi, kann ich denn einen IRF540 als Schalter verwenden??? Die Drain Source Spannung steigt ja fuer wenige us auf ueber 800V... Gruss
Max wrote: > eine Spule hat eine gespeicherte Energie L I*I /2. Diese gespeicherte > Energie wird, falls der Spulenstrom unterbrochen wird, in die > Wicklungskapazität gebracht und bestimmt die Spannungsspitze. Im komplett unbelasteten Fall ohne Sekundärwicklung und idealem Schalter passt das. In der Praxis hat der Mosfet aber eine sehr viel größere Kapazität als die Wicklung, daher stellt der Mosfet den Hauptanteil von dem C. Weiterhin darf nicht die Induktivität in der obigen Formel verwendet werden, sondern nur die Streuinduktität zur Sekundärspule. Bei einer ideal gekoppelten Wicklung entsteht nämliche keine hohe Spitze, sondern die Spannung wird durch die Sekundärseitige Ausgangsspannung begrenzt (unter Berücksichtigung des Wicklungsverhältnisses natürlich). Visitor wrote: > kann ich denn einen IRF540 als Schalter verwenden??? Die Drain Source > Spannung steigt ja fuer wenige us auf ueber 800V... Ohne Snubber: Nein. Der IRF5x0 bricht nämlich irgendwo bei 100-150V durch und verheizt den Peak über seine interne Z-Dioden artige Struktur.
Hab nur noch eine Frage, meine berechneten Werte passen nicht zu meiner erwarteten Loesung... Das liegt an den Streuinduktivitaeten, die ich in der Simulation aber beruecksichtigt habe, oder?
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