Hi,
ich will mit PSpice einen Sperrwandler simulieren, leider funktioniert
das nicht.
Kann ich stattdessen nicht einen Aufwaertswandler simulieren?? Ist ja
das gleiche Prinzip nur ohne galvanische Trennung...
Vielen Dank schonmal
Hallo!
Warum funktioniert das nicht? Gibt es Probleme bei der Simulation des
Trafos? Prinzipiel kannst du auch einen Aufwärtswandler simulieren,
allerdings mit 2 Einschränkungen:
-Du musst berücksichtigen, dass du den Schalter in irgendeiner Form
potentialgetrennt ansteuern, wenn der Regler auf der Sekundärseite
sitzt.
-Durch den Trafo kriegst du eine Phasendrehung in deinen Regelkreis
rein,
die du bei der Dimensionierung des Reglers berücksichtigen solltest
(schwingt leichter).
Ansonsten würd ich das ganz einfach theoretisch durchrechnen, das reicht
meistens auch.
Ok, vielen Dank!
Aber wie muss ich die Elkos (E/A) waehlen? 12VDC kommen rein und 120VDC
wieder raus...Als Diode muss ich ne Schottky nehmen, oder reicht auch
eine 1n4148???
Wichtig wäre einmal zu Wissen, wie viel Strom du am Ausgang haben
willst?
Wofür willst du den Sperrwandler benutzen?
Ich sehe, dass du keine Regelung für die Ausgangsspannung vorgesehen
hast.
Natürlich kannst du auch ein festes Tastverhältnis benutzen, wirst aber
bei Lastschwankungen am Ausgang starke Spannungsänderungen haben.
Falls das nur eine Bastelei ist und du sehr wenig Strom am Ausgang
ziehst,
schaffst dus vielleicht auch ohne Regelung.
Zu den Elkos: wenn dir die Restwelligkeit am Eingang bzw. am Ausgang zu
groß sind, musst du sie halt größermachen, ich würd sagen, in der
Simulaton ausprobieren.
Ich hab mal so was ähnliche gebaut und hatte mit Dioden aus der
EPF-Serie von IR gute Erfahrungen gemacht (Soft recovery aus
EMV-Gründen).
120V und 1A finde ich für einen Sperrwandler schon wieder grenzwertig.
Gute Grundlagen- und Berechnungsseite:
http://schmidt-walter.eit.h-da.de/smps/smps.html
Zum Wicklungssinn: Wenn du dir Schaltbilder eines Wandlertrafos
anschaust, sind an den Wicklungen Punkte eingezeichnet.
Bei der Simulation müsstest du vermutlich den Sekundärteil spiegeln,
also die Diode im unteren Zweig und der Masseanschluss oben. Bei
Sperrwandlern ist die Polarität um 180° gedreht, ich weiß aber nicht, ob
dein Simulant das schafft.
Arno
Gast wrote:
> Kann ich stattdessen nicht einen Aufwaertswandler simulieren?? Ist ja> das gleiche Prinzip nur ohne galvanische Trennung...
Das ist nicht wirklich vergleichbar. Beim Trafo hast Du eine
Streuinduktivität, die das Übertragungsverhalten wesentlich beeinflußt
und beim Sperrwandler fließt der Eingangsstrom nur während der Flußphase
und muß dann entsprechend höher sein um die gleiche Leistung wie ein
Aufwärtswandler zu erhalten. Beides führt dazu, dass die erreichbare
Ausgangsleistung des Sperrwandlers bei gleichen Spulendaten wesentlich
geringer ist als bei einem Aufwärtswandler.
Jörg
Hallo,
auch wenn das Thema schon abgeschlossen ist habe ich noch eine
Bemerkung:
Bei einer Spule (auch im Sperrwandler ) wird die gespeicherte
magnetissche Energie beim Abschalten in die Ladung der
Wicklungskapazität übertragen.
L I**2/2 = C U**2/2
Also vermute ich, dass bei einer Simulation eines Sperrwandlers die
Wicklungskapazität als zusätzliches Bauteil eingefügt werden sollte.
Max wrote:
> Bei einer Spule (auch im Sperrwandler ) wird die gespeicherte> magnetissche Energie beim Abschalten in die Ladung der> Wicklungskapazität übertragen.>> L I**2/2 = C U**2/2
Diese Gleichung ergibt im Zusammenhang mit dem Sperrwandlerprinzip
keinen Sinn. Die im ausgangsseitigen Kondensator gespeicherte Energie
hat nichts mit der in der Spule gespeicherten Energie zu tun, da sich
die Kondensatorspannung UND die gespeicherte Energie bei der Entladung
der Spule nicht merklich ändert.
Jörg.
Hallo,
eine Spule hat eine gespeicherte Energie L I*I /2. Diese gespeicherte
Energie wird, falls der Spulenstrom unterbrochen wird, in die
Wicklungskapazität gebracht und bestimmt die Spannungsspitze.
Das ist beim Übergang vom leitenden in den sperrenden Zustand des
Transistors in einem Sperrschwinger der Fall.
Die Ausgangsspannung eines Sperrschwingers ist U = I * sqrt(L/C)
Warum mess ich am Drain immer 12 V und diverse Peaks bis ca. 100V erste
100us?Eigentlich muesste der Mosfet ja den Kreis auf Masse ziehen und
ich ca. 0V messen...ich beziehe mich immer noch auf meine Grafik von
oben
Max wrote:
> eine Spule hat eine gespeicherte Energie L I*I /2. Diese gespeicherte> Energie wird, falls der Spulenstrom unterbrochen wird, in die> Wicklungskapazität gebracht und bestimmt die Spannungsspitze.
Im komplett unbelasteten Fall ohne Sekundärwicklung und idealem
Schalter passt das. In der Praxis hat der Mosfet aber eine sehr viel
größere Kapazität als die Wicklung, daher stellt der Mosfet den
Hauptanteil von dem C. Weiterhin darf nicht die Induktivität in der
obigen Formel verwendet werden, sondern nur die Streuinduktität zur
Sekundärspule. Bei einer ideal gekoppelten Wicklung entsteht nämliche
keine hohe Spitze, sondern die Spannung wird durch die Sekundärseitige
Ausgangsspannung begrenzt (unter Berücksichtigung des
Wicklungsverhältnisses natürlich).
Visitor wrote:
> kann ich denn einen IRF540 als Schalter verwenden??? Die Drain Source> Spannung steigt ja fuer wenige us auf ueber 800V...
Ohne Snubber: Nein.
Der IRF5x0 bricht nämlich irgendwo bei 100-150V durch und verheizt den
Peak über seine interne Z-Dioden artige Struktur.
Hab nur noch eine Frage, meine berechneten Werte passen nicht zu meiner
erwarteten Loesung... Das liegt an den Streuinduktivitaeten, die ich in
der Simulation aber beruecksichtigt habe, oder?