Hallo Zusammen Ich habe folgendes Problem, Es geht um ein Zündunterbrecher der mit einem 9V Block betrieben wird. Der MOSFET ist an Klemme 1 der Zünspule angeschlossen und die Schaltung funktioniert auch hervorragend. Nun zum eigendlichen problem durch den Transitor wird der Mosfet geschalten, allerdings ist durch den Pull Up das signal invertiert. das heist wenn der AVR 5V raus gibt spert der Mosfet. Das ist in sovern ein problem, da die ganze zeit gut 21mA fließen damit der Modfet sperrt und das geht zu lasten der Baterie. Ich weis nicht genau wie ich das als Pull Down realiesieren soll ??? am besten wäre eine einfache schaltung die praktisch keinen Strom verbraucht wenn der MOSFET gespert sein soll... Es wäre schön wenn ihr eine Idee hättet den irgend wie lande ich immer in einer Sackgasse :( Und so bleiben kann es auch nicht den die batterie ist nach 4-5 stunden tod. auch wenn der unterbercher nix macht. was nicht zu letzt daran liegt das die Transitor schaltung den meisten strom verbruacht wenn die zündung nicht unterbrochen werden soll!!! Axo wenn sich jemand fragt warum der kleine Transitor von nöten ist, ich habe angst das der mosfet noch nicht voll durch geschaltet hat bei 4,5V. deshalb möchte ich die 9V von der Baterie nehmen dann damit klappt es wunderbar !!! Vielen dank schon mal im Vorraus an alle gruß Rene
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Hast Du Dir mal das Datenblatt des IRFP460 angesehen? Ich meine das Diagramm, in dem die Abhängigkeit des Id von Vds und Vgs dargestellt wird? P.S. Wieso stellst Du ein Bild mit so schauderhaftem Kontrast ein?
Laut Datenblatt des IRFP460 schaltet der MOSFET zwischen mindestens 2 und maximal 4 Volt durch. Ein AVR hat am Ausgang laut Datenblatt einen Pegel von mindestens 4,2 Volt bei 20 ma Stromlast. Ich sehe hier also kein Problem wieso der MOSFET nicht voll durchschlten sollte, wenn du ihn direkt ansteuerst, damit ist dann auch der Querstrom hinfällig. Anonsten kannst du ihn auch über ein CMOIS Gater 40xx ansteuern wenn du auf Nummer 500% gehen willst. oder einen Logic Level FET verwenden.
Ja den Vollen strom schaltet er aber erst bei 6V durch laut datenblatt. Und bei so einer Zünspule können schon mal schnell 9A Kurzfristig auftreten wenn er sie nach masse zieht. ich werde es aber einfach mal ausprobieren ob die schaltung noch funzt wenn der avr das gate direkt übern wiederstand ansteuert. hatte nur mal schlechte erfahrungen damit damals ein (IRF3710) der schaltet auch bei 4V voll durch dennoch glimtdie angeschlossene Lampe nur. als ich die gatespannung auf 12V erhöte leuchtete die lampe voll auf. wie kann das sein wo doch der Mosfet angeblich schon bei 4V voll da ist ??? Es war eine 12V/5W Standlichtlampe also nix digges eigentlich 2,4A. das geht irgent wie nicht in meine Birne
Bild 1 und 6 im Datenblatt! Kurven für 4V. Eine Glühlampe leuchtet bei nur wenig weniger als Nennspannung bereits erheblich weniger. Da flossen schätzungsweise 0,8A. Messe es doch noch nochmals nach. Gruß - Abdul
Rene Schir wrote: > für welchen Mosfet meisnt du den das ??? IRF3710 oder IRFP460 IRF3710. Dachte deine Frage bezieht sich darauf. Mit der Gatecharge-Kurve kommt man am schnellsten zur Auswahl des geeignetesten MOSFETs (abgesehen von Preis und Lieferbarkeit). Naja, hast es ja jetzt als Beispiel. Übrigens sind diese Kurven meist nur für den typischen Fall. Schwankungen um 10% sind nicht ungewöhnlich, da die genaue Dosis bei der Dotierung der Halbleiter im Herstellungsprozeß sehr sehr schwierig ist. Gruß - Abdul
Also wenn du den Mosfet schon nicht direkt ansteuern willst, dann mach doch wenigstens mal den Basisvorwiderstand kleiner. Der grossteil deines Stromes fliesst da lang. Wenn Du den MosFET nicht wirklich schnell umladen musst kannst du da problemlos einen 4.7k oder so nehmen.
Rene Schir wrote: > die ganze zeit gut 21mA fließen damit der Modfet sperrt und das geht zu > lasten der Baterie. Ich weis nicht genau wie ich das als Pull Down > realiesieren soll ??? Das Pull-Down mit 10k-Widerstand benötigt mindestens 12mA. Eventuell solltest Du einen MOS-FET nehmen, der bei 12V sperrt und bei 0V durchschaltet.
Abdul K. wrote: > Rene Schir wrote: >> für welchen Mosfet meisnt du den das ??? IRF3710 oder IRFP460 > > IRF3710. Dachte deine Frage bezieht sich darauf. > > Mit der Gatecharge-Kurve kommt man am schnellsten zur Auswahl des > geeignetesten MOSFETs (abgesehen von Preis und Lieferbarkeit). > > Naja, hast es ja jetzt als Beispiel. > > Übrigens sind diese Kurven meist nur für den typischen Fall. > Schwankungen um 10% sind nicht ungewöhnlich, da die genaue Dosis bei der > Dotierung der Halbleiter im Herstellungsprozeß sehr sehr schwierig ist. wofür ist den die Gatecharge-Kurve wichtig ??? sorry für die blöde frage aber ich könnte mir nur vorstellen das das für hochfrequente schaltvorgänge wichtig ist oder ???
Ich habe nun im übrigen den den mosfet direkt über einen 300 Ohm wiederstand ans den AVR angeschlossen und zumindest leuchet die testlampe 5W auf dem tisch voll auf. Wie es dann an der zündspule aussieht werde ich noch testen aber ich bin zumindest zuversichtlicher geworden
WAs spricht denn dagegen die Logik umzubauen, also statt NPN einen PNP einzusetzen und das ganze mit positiver Logik zu fahren? Oder gleich einen Logiklevel-MOSFET verwenden wie z.B. den SUP75N06-07L.
Michael wrote: > WAs spricht denn dagegen die Logik umzubauen, also statt NPN einen PNP > einzusetzen und das ganze mit positiver Logik zu fahren? Oder gleich > einen Logiklevel-MOSFET verwenden wie z.B. den SUP75N06-07L. Es spricht dagegen das ich nicht weis wie die schaltung mit einem PNP auzusehen hat. für ein schaltbeispiel wäre ich echt dankbar. und der SUP75N06-07L würde abrauchen da an der Zündsule primärseitig so ca 390V anliegen und die steckt der IRFP460 locker weg
Rene Schir wrote: > Abdul K. wrote: >> Rene Schir wrote: >>> für welchen Mosfet meisnt du den das ??? IRF3710 oder IRFP460 >> >> IRF3710. Dachte deine Frage bezieht sich darauf. >> >> Mit der Gatecharge-Kurve kommt man am schnellsten zur Auswahl des >> geeignetesten MOSFETs (abgesehen von Preis und Lieferbarkeit). >> >> Naja, hast es ja jetzt als Beispiel. >> >> Übrigens sind diese Kurven meist nur für den typischen Fall. >> Schwankungen um 10% sind nicht ungewöhnlich, da die genaue Dosis bei der >> Dotierung der Halbleiter im Herstellungsprozeß sehr sehr schwierig ist. > > > wofür ist den die Gatecharge-Kurve wichtig ??? sorry für die blöde frage > aber ich könnte mir nur vorstellen das das für hochfrequente > schaltvorgänge wichtig ist oder ??? Nein. Die gilt genauso für DC. MOSFETs sind spannungsgesteuerte Schalter, die eine interne Kapazität besitzen, die um eine Änderung der wirksamen Spannung am Gate zu erreichen, entsprechend ge- und entladen werden muß. Die Application Notes z.B. bei www.irf.com erklären es ausführlich. Gruß - Abdul
Wie sieht es aus, wenn man den MosFet so ansteuert: http://www.elektronik-kompendium.de/public/schaerer/bilder/endstuf4.gif Da würde auch nur Strom fließen, wenn der FET umgeladen wird, die Spannung dafür kann am OpAmp entsprechend eingestellt werden (Verstärker denk)
mit einem NPN Typen schaltet man die Masse(Low-Side) und mit einem PNP schaltet man die Versorgungsspannung(High-Side). Angenommen der Transistor verträgt nur 400V dann kann man eine 400V Supressordiode gegen das Gate schalten wenn dann die Spannung diesen Wert übersteigt schaltet der Transistor leicht durch wodurch diese Spannung nicht weiter ansteigen kann.
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