Hallo, ich habe eine einfache Emitterschaltung (Emitter auf GND), die über einen 100R Vorwiderstand am Kollektor eine IR LED schaltet. Die Basis hängt über einen Vorwiderstand (1K) am Pin eines Atmega64. Im Prinzip funktioniert das Ganze - aber ... Das Problem ist folgendes: Der Transistor schaltet sauber und schnell durch. Beim Abschalten hingegen (hierbei wird die Basis über den Vorwiderstand aktiv auf 0V gezogen) habe ich eine Verzögerung von ca. 3µs bis der Transistor wieder sperrt. Dieses Verhalten läßt sich auch direkt an der Basis des Transistors (BCW68H) nachvollziehen. Der Schaltimpuls ist nach dem Basisvorwiderstand entsprechend länger als davor. Liegt das daran, daß der Transistor in die Sättigung gezogen wird und die Last relativ klein ist ? Mit den Details (Basiswiderstand etc.) habe ich schon reichlich experimentiert, das hat aber praktisch keinerlei Einfluß. Hat jemand von Euch eine Idee woran es liegt und was man machen kann ? Gruß, Marcus
>Liegt das daran, daß der Transistor in die Sättigung gezogen wird
Ja
Schalte mal eine Schottkydiode zwischen Basis und Kollektor.
Anode an Basis Kathode an Kollektor.
Die sorgt dafür das der Transistor nicht in die Sättigung geht.
Achtung es muss eine Schottkydiode sein. Flussspannung < 0.4V
Gruss Helmi
Danke, das werde ich morgen mal probieren. Habe ich Nachteile dadurch, daß der Transistor dann nicht in die Sättigung geht (wenn ich größere Ströme schalten will) ? Gruß, Marcus
Da der Transistor nicht in die Sättigung geht hat er ein bisschen mehr Verluste.
Hilft es evtl. auch, wenn ich die Basis des Transistors (NPN) über einen 2. Portpin ohne Vorwiderstand aktiv auf GND ziehe ? Gruß, Marcus
Gast
#1142787
nimm einen bs170, dann hast du keine probleme mehr.