Entkopplung von du/dt und di/dt Control (IGBT)

Gast #1147265 
Hallo zusammen,

ich weiß zwar nicht ob dies das richtige Forum dazu ist, aber ich finde 
hier gibt es ein paar kluge Köpfe.

Beim Ansteuern von IGBT gibt es Möglichkeiten das du/dt und di/dt beim 
ausschalten zu beeinflussen. Beim du/dt-Controll wird eine Kapazität 
zwischen Gate und Collektor geschaltet. Beim Ausschalten steigt die 
Kollektor-Emitter Spannung an und verursacht einen Verschiebestrom ins 
Gate. Als Folge wird das Gatepotential angehoben und das du/dt ist 
moderater.

Das di/dt Control funktioniert ähnlich. Über die Induktivität des 
Hilfemitteranschlusses wird beim negativen di/dt eine Spannung in der 
Spule induziert. Über über einen Spannungs/Stromwandler kann hier das 
Gate wieder angehoben werden. Das di/dt wird beeinflusst.

Nun meine Frage. Ist es üblich diese zwei Ansteuerungstopologien zu 
vereinen?
Wie würde es dann mit der Entkopplung ausschauen? Man hat ja nur eine 
"Schraube" welche das Ausschaltverhalten beinflusst, und das ist die 
Gatspannung

So schon mal vielen Dank fürs lesen.
Ich freue mich für rege disskussion:-)

Grüße
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Hallo Klaus,
ein Schaltbild würde mit Sicherheit helfen.
Meiner Meinung nach ist es relativ ungewöhnlich zwei solche Maßnahmen zu 
kombinieren. In meinen Applikationen war die dU/dt Methode ausreichend.
Natürlich ist es machbar Beide zu kombinieren, keine Frage... aber unter 
normalen Umständen genügt eine dieser Maßnahmen. Zum Beispiel die 
aktuellen Generation IGBT 3 eines großen Herstellers - der IGBT hat eine 
wie ich finde ziemlich giftige Reaktion auf die Gatespannungsänderung - 
wirkt die Rückkopplung von dU/dt hervorragend... ich glaube es gibt 
sogar eine entsprechende Appnote dazu.
Einen weiteren Vorteil gibt es noch... die Rückkopplung der Spannung ist 
kostengünstiger zu lösen, als die Rückkopplung des Stromes.
Gruß
Volker
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