Gast
#1152630
Hi, ich will mich n bisschen mit kapazitiven Sensoren beschäftigen. Den entsprechend geeigneten Wunsch-µC hab ich mir bereits rausgesucht. Beim Studium diverser Lösungsansätze verschiedener Hersteller ist mir aufgefallen, dass alle natürlich ein bisschen unterschiedliche Sensorformen haben, entsprechend ihrer verwendeten Technik. Aber im Grundprinzip sind es ja immer Platten-Kondensatoren, gebildet durch das Sensorfeld einerseits, und dem umlaufenden GND-Potential andererseits. Jetzt hat sich mir die Frage gestellt, ob das GND-Potential wirklich umlaufend sein muss, oder ob es auch möglich ist, einfach auf der anderen Platinenseite eine GND-Fläche zu legen. Gehe ich recht in der Annahme, dass das einen "schlechteren" Kondensator bildet, da die Platten in dem Fall weiter auseinander liegen und die Kapazität somit niedriger ist? Das würde die Erkennung einer Kapazitätsänderung ja erschweren. Und es wäre noch interessant zu wissen, ob es prinzipiell möglich ist, eine Sensormatrix aufzubauen. In den Applikationsbeispielen wird meist der Kondensator einerseits an GND, andererseits an die Auswertelogik angeschlossen. Jetzt hab ich mir gedacht, dass ich wie bei einer Tastaturmatrix auch, einfach die Kondensatoren entsprechend anordne, die jeweils zu prüfende Spalte per Portpin auf GND ziehe, und die anderen Spalten auf HiZ schalte. Spricht da irgendwas dagegen? Danke. Ralf