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Forum: Analoge Elektronik und Schaltungstechnik Hochspannung schnell schalten


Autor: A. W. (wiwil)
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Hallo zusammen,

ich habe kürzlich ein Projekt übernommen, bei dem zwei Hochspannungen 
(bis +/-3kV) mit sehr steilen Flanken geschaltet werden soll. Mein 
Kollege hat hierzu mehrere Hochspannungsmosfets in Reihe geschaltet.
Prinzipiell funktioniert das ganze ganz gut, aber je schneller ich 
schalte, desto größer werden die Überspannungsspitzen beim Schalten. Je 
nach Geschwindigkeit machen diese ein Vielfaches der Nennspannung aus 
und zerstören mir dann die Mosfets.

Wie kann ich bei dieser Konstellation das maximale an Flankensteilheit 
und Nennspannungswert herausholen? Gibt es eine Möglichkeit, diese 
Schaltspitzen irgendwie zu kappen? Eine Suppressordiode ist 
wahrscheinlich zu langsam, oder?

Bin für alle Ideen und Anregungen dankbar!

Gruß
Wiwil

Autor: Falk Brunner (falk)
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@Andreas Wiese (wiwil)

>(bis +/-3kV) mit sehr steilen Flanken geschaltet werden soll. Mein

Was ist bei dir steil?

>schalte, desto größer werden die Überspannungsspitzen beim Schalten.

Überspannungsspitzen werden durch schnelle Stromänderungen an 
Induktivitäten erzeugt.

>Wie kann ich bei dieser Konstellation das maximale an Flankensteilheit
>und Nennspannungswert herausholen?

Nimm einen mechanischen Schalter, aka, Hochspannungsrelais. Damit kann 
man Nanosekundenschnell schalten.

> Gibt es eine Möglichkeit, diese
>Schaltspitzen irgendwie zu kappen? Eine Suppressordiode ist
>wahrscheinlich zu langsam, oder?

Nöö, die meisten unidirektionalen sprechen theoretisch in 1ps 
(Picosekunde) an, die bidirektionalen immerhin ncoh in 5ns 
(Nanosekunden).

MFG
Falk

Autor: Manchmal (Gast)
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>Nimm einen mechanischen Schalter, aka, Hochspannungsrelais. Damit kann
man Nanosekundenschnell schalten.

Falk, diesmal ist der Rat moeglicherweise unpassend. Denn ein Relais 
kann man nicht auf Nanosekunden synchronisieren.

Aeh. Hatt ich auch mal. Es gibt da eine Diss von Baker, Russel Jacob, 
PhD.
Uni Nevada in Reno, 1993, ordernumber 9411484,  der hat das alles schon 
mal gemacht. Kaskadierte FETs. Die machen 3kV, natuerlich nur unipolar 
(was soll bipolar ?), in 10ns.
Eine Standardanwendung ist eine Pockelszelle, womit mal aus einem 
modengelockten Laser (1 puls alle 10ns) einen einzelnen Puls 
ausschneidet. Da ist nichts mit Relais...

Autor: A. W. (wiwil)
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Danke erstmal,

Bipolar brauche ich schon, aber das ist ja kein Problem. Ich habe zwei 
Spannungsquellen (-3kV und +3kV) und soll nun im kHz-Bereich -3000V, 0V 
+3000V, 0V periodisch durchschalten. Das geht leider nicht mit einem 
Relais. Mein Kollege benutzt dafür 4 gleiche Leiterplatten mit 
kaskadierten Mosfets. Wichtig ist halt die Flankensteilheit. Also 100ns 
erreiche ich auch, aber mit sehr hohen Spannungsspitzen. Daher hört sich 
die Diss schon sehr interessant an.
Hast du eine Idee, wie ich da am einfachsten rankomme? Hast du die 
vielleicht vorliegen?

Gruß
Andreas

Autor: A. W. (wiwil)
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Ah, die Diss habe ich schonmal gefunden,

mal sehen, was da gutes drinsteht...

Autor: Bratensosse (Gast)
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Ansonsten kannst du auch mal nach "Active Clamping" schauen. Da führst 
du ein Zenerelement vom Drain zum Gate Anschluss. Wird eine gewisse 
Drainspannung überschritten (Überspannung) wird das Gate nochmal 
(kurzzeitig) angesteuert und begrenzt dir die Überspannung.

Ansonsten fallen mir noch Averlance (schreibt man das so? Och zu faul 
nachzugucken) feste MOSFETs ein.

Grüße!

Autor: Jens G. (jensig)
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Avalanche ...

Autor: Falk Brunner (falk)
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@Manchmal (Gast)

>Falk, diesmal ist der Rat moeglicherweise unpassend. Denn ein Relais
>kann man nicht auf Nanosekunden synchronisieren.

Hat das jemand behauptet? Aber die elektrische Schaltflanke ist 
sauschnell, wenn man das Prellen in den Griff bekommt.

>Eine Standardanwendung ist eine Pockelszelle, womit mal aus einem
>modengelockten Laser (1 puls alle 10ns) einen einzelnen Puls
>ausschneidet.

Ohje, wir wollen doch mal auf dem Teppich bleiben.

Man kann es mit Thyristoren machen, die kann man leicht in Reihe 
schalten. Zündung per Ringkern mit einem Dutzend Windungen drauf, durch 
das Loch kommt dann die Zündleitung. Saftiger Stromstross drauf, Peng.

MFG
Falk

Autor: Wolf (Gast)
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> mit sehr hohen Spannungsspitzen

Also diese Spannungsspitzen setzen sich auf die geschalteten +-3000V 
drauf?
Und zu welchem Zeitpunkt? (steigende/fallende Flanke, oder 
zwischendurch)

Autor: A. W. (wiwil)
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Hallo Wolf,

es handelt sich schon um ein klassisches Überschwingen, keine 
mysteriösen Spitzen oder sowas. Auftreten tun sie bei jedem 
Schalvorgang, sowohl positiv als auch negativ.
Ich denke schon, dass die Ursache im Aufbau liegt, denn auf 
induktivitätsarme Bauweise hat hier scheinbar niemand geachtet.
Für mich stellt sich halt die Frage, ob es Möglichkeiten gibt, die 
Spitzen zu begrenzen, den Anstieg so steil wie möglich zu machen und 
gleichzeitig möglichst wenig Aufwand zu treiben, neue Platinen wären zu 
teuer.

Ich habe mal ein Bild vom Oszilloskop angehangen.

Gruß
Andreas

Autor: A. W. (wiwil)
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Ach vergessen, bei dem Bild entspricht gilt 2000V/div

Autor: faraday (Gast)
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>denn auf
>induktivitätsarme Bauweise hat hier scheinbar niemand geachtet.

und dann solche Anforderungen?

Beim Bild: Schalten von 0 auf 1000V mit Spitze 4400V?

Hilft Dir sowas?
http://www.behlke.de/pdf/61-40.pdf

Autor: Wolf (Gast)
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Ja, ja, der Herr Behlke sucht dauernd Inschinöre, zwischendurch auch mal 
Bestückerinnen...
Auf Beantwortung meiner Bewerbung vor Urzeiten, als diese Firma schon 
längst nach Kronberg übergesiedelt war, hat jedenfalls niemand reagiert, 
ich mußte selbst mehrfach nachfragen und dann läßt man es von sich aus 
bleiben...

Nun, etwas ganz Wichtiges mußte man im Eignungstest wissen: bei so 
kurzen Schaltzeiten ist ein optimaler Leitungsabschluß unabdingbar.

 @ faraday,
 das .pdf ließ sich bei mir nicht laden.

Autor: faraday (Gast)
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Um welchen Strom geht es hier eigentlich?
Würde ein Kondensator nicht helfen?

Autor: A. W. (wiwil)
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@ faraday

ja, stimmt habe ich noch nicht geschrieben. Angeschlossen werden 
Kristalle, die ein kapazitives Verhalten haben. Die phyiskalischen 
Messungen (zu denen ich mangels Anhnung leider nichts sagen kann) deuten 
aber darauf hin, dass die Spannungsspitzen hier nicht wirksam sind. 
Allerdings kann ich mir nur diese als Ursache für das Sterben der 
Mosfets denken.

Es stimmt schon 4400V bei 1000V gewollter Spannung.

Aber 100% klar bin ich mir über die Ursache noch nicht. Habe mal mit 
Spice versucht das zu simulieren, aber so hohe Spitzen bekomme ich auch 
mit parasitären Effekten irgendwie nicht hin.

Autor: faraday (Gast)
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also wo sind nun die Spitzen?
mach doch mal einen kleinen Schaltplan, wenn möglich mit Längenangaben.

Autor: A. W. (wiwil)
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Hallo zusammen,

muss mein Problem relativieren.
Nach dem letzten Post von faraday habe ich mal versucht, an 
verschiedenen Stellen in der Schaltung zu messen.
Mittlerweile glaube ich nicht mehr, dass es diese Spitzen wirklich gibt, 
sondern dass es sich um ein Messproblem handelt.
Ich habe immer mit einem hochohmigen Spannungsteiler gemessen, (30M:3k), 
so dass die Spannung am Oszilloskop sehr klein war. Habe ich den 
Tastkopf abgeklemmt und in die Nähe gehalten gab es nur noch ähnliche 
Spitzen ohne den gewollten Sockelwert.
Wenn ich jetzt die Spannung verringert habe (100V) so gab es mit dem 
Spannungsteiler das gleiche Bild wie vorher. Mit dem Tastkopf 
(10:1)einfach so gemessen, sind die Spitzen vernachlässigbar (<10%). 
Daher glaube ich, dass die Spitzen nicht wirklich da sind, das Verhalten 
des Kristalls (an dem ich direkt mit dem urpsrünglichen Spannungsteiler 
die Spitzen gemessen habe) deutet auch darauf hin.
Trotzdem danke für eure Hilfe

Autor: Klaus2 (Gast)
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...wer viel misst, misst Mist.

Konfutius.

Autor: Wolf (Gast)
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Schön, aber die zerschossenen FETs?

Autor: A. W. (wiwil)
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@Wolf

ja, das stimmt schon, eine Ursache muss das noch haben! Aber ich muss 
das ganze wohl nochmal insgesamt betrachten und mich nicht auf diese 
Spitzen versteifen.
Aber wenn jemand eine Idee hat, gerne!
Es scheint auch eine Kettenreaktion zu sein. Ich habe mal eine Karte 
gehabt, bei der ein einzelner Mosfet kaputt war. Ich vermute es fängt 
mit einem an, dann kommt irgendwann der zweite, und dann geht es immer 
schneller, weil die Spannung für jeden einzelnen ja dann immer höher 
wird.
Nur wann und warum der erste kaputt geht, das wüsste ich schon noch 
gerne.

Autor: faraday (Gast)
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>Aber wenn jemand eine Idee hat, gerne!
Die Größenordnung der Kristallkapazität müßte man auch mal wissen, aber 
ohne Schaltplan habe ich überhaupt keine Ideen mehr.

Autor: oszi40 (Gast)
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Schon mal zum Beispiel an Zeilentrafo in einem alten Röhrenmonitor 
gemessen ? 22kV mit Hochspannungsmesspitze kein Problem, ABER spätestens 
an der Boosterdiode steht eine ganz böse Impulsspannung (800V?+x)die 
schon manche Leiterbahn in 1000V-Vielfachmessern gekillt hat. Die 
zugehörigen Spannungspitzen sind nicht so leicht sichtbar zu machen, 
aber die Folgewirkungen im Vielfachmesser deutlich riechbar.

1.So ähnlich könnte es Deinen MOSFETS ergehen (da Messung schwierig).
2.Wahrscheinlich ist die Spannungsaufteilung über mehrere MOSFETS nicht 
ganz so einfach.
3.Hast Du die benutzten MOSFETS vorher auf Spannungsfestigkeit geprüft + 
aussortiert?
4. Das Massensterben war sicher ein Dominoeffekt, nachdem der erste 
MOSFET zur "Z-Diode" verwandelt war?

Autor: Peter Hoppe (peterhoppe59)
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Andreas Wiese wrote:
> @Wolf
>
> ja, das stimmt schon, eine Ursache muss das noch haben! Aber ich muss
> das ganze wohl nochmal insgesamt betrachten und mich nicht auf diese
> Spitzen versteifen.
> Aber wenn jemand eine Idee hat, gerne!
> Es scheint auch eine Kettenreaktion zu sein. Ich habe mal eine Karte
> gehabt, bei der ein einzelner Mosfet kaputt war. Ich vermute es fängt
> mit einem an, dann kommt irgendwann der zweite, und dann geht es immer
> schneller, weil die Spannung für jeden einzelnen ja dann immer höher
> wird.
> Nur wann und warum der erste kaputt geht, das wüsste ich schon noch
> gerne.

Sind in der Schaltung nur die FETs oder auch Ausgleichswiderstände und 
Ausgleichskondensatoren enthalten?

Peter

Autor: Urlauber 2009 (Gast)
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Genauer gefragt ausreichend spannungsfeste Ausgleichswiderstände /Cs ?

Autor: A. W. (wiwil)
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Ausgleichswiderstände und Kondensatoren sind drin.

Wenn ich das richtig verstehe, dienen die zur Aufteilung der Belastung 
für die Mosfets oder? Begrenzen die Kondensatoren auch die Flanken, oder 
wofür sind die da?
Meinen Kollegen kann ich leider nicht fragen, der ist nicht mehr da.

Der Aufbau ist recht aufwändig mit einem DCDC-Wandler und Optokoppler 
für jeden Mosfet.

Habe den Schaltplan mal angehangen.

Autor: faraday (Gast)
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bei mir lädt sich der Schaltplan nicht

Autor: A. W. (wiwil)
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bei mir funktionierts ganz normal

Autor: Abdul K. (ehydra) Benutzerseite
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Optokoppler haben große Streuungen in den Parametern und sind auch noch 
langsam. Einer der MOSFETs schaltet dann wohl als erster und dann 
passiert erstmal ne Weile bei den anderen nix.
Das war wohl nix.


Das Mittel der Wahl ist der Ferritkern-Impulsübertrager. Eventuell 
kombiniert mit Klein-Thyristor am Gate. Bin mir aber nicht sicher, ob 
die schnell genug wären. Kann man aber auch aus zwei Transis bauen.


Gruß -
Abdul

Autor: Trafowickler (Gast)
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Die erreichbare Schaltflankensteilheit ist durch die toleriertbare 
Schaltüberspnnung begrenzt.
Hat man zu grosse Überspannung und verringert sie durch "Snubber", wird 
natürlich auch die Schaltflanke verschliffen. Also:

Man kann letztlich NUR durch Verminderung der Schaltinduktivitäten 
Verbesserungen erreichen, d.h.:

1) so "eng wie möglich" aufbauen,
2) stützende ( z.B. MKP- ) Kondensatoren "ganz nah" am zu schaltenden 
Stromkreis vorsehen

Autor: Volker Zabe (vza)
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Hallo,
vielleicht hilft dieser IGBT deine Propleme zu verringern:

http://ixdev.ixys.com/DataSheet/99385.pdf

Autor: oszi40 (Gast)
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Auch der schönste 4000V-Transistor muß noch mit dem Rest der Schaltung 
die gewünschte Flankensteilheit erreichen. Das ist nicht immer einfach.

Wahrscheinlich ist Deine Reihenschaltung der Mosfets wegen geringerer 
Gesamt-Kapazität die schnellere Variante. Bloß die GLEICHzeitige Zündung 
über Optokoppler würde ich mir (ohne Hochspannung) erst mal genauer am 
Oszi ansehen wollen. Unterschiedliche Signallaufzeiten, langsame 
Optokoppler und verschliffene Flanken ?
Dann wäre noch der oben schon beschriebene Teufelkreis mit der 
Snubberoptimierung um sündhaft hohe Spannungen zu vermeiden.

Deine Forschung wird wohl noch "ein paar" MOSFET-Opfer fordern.
Man könnte aber für erste Tests die Hochspannung etwas verringern um die 
Opferquote in Grenzen zu halten ?

Autor: Peter Hoppe (peterhoppe59)
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Andreas Wiese wrote:
> Ausgleichswiderstände und Kondensatoren sind drin.
>
> Wenn ich das richtig verstehe, dienen die zur Aufteilung der Belastung
> für die Mosfets oder? Begrenzen die Kondensatoren auch die Flanken, oder
> wofür sind die da?


Ja, sie sollen für gleichmäßige dynamische Belastungen sorgen, dabei 
aber möglichst wenig begrenzen. Bei Deiner Ansteuerung wurde sicherlich 
darüber nachgedacht, aber anscheinend noch nicht gut genug ausgeführt. 
Abgesehen von dem Problem mit der synchronen Ansteuerung fallen mir noch 
die ungeschützten Gates, und die impulsförmige Entladung der 
Kondensatoren auf.

In den beiden unteren Links wird das Problem der "synchronen" 
Ansteuerung durch Kaskodenschaltungen gelöst. Im ersten Link für eine 
relativ langsame strombegrenzte Version, und im zweiten für Schaltzeiten 
im 10ns-Bereich.


ftp://ftp.rowland.org/pub/hill/RIS-583_spice_4kV-1A/4kV-1A_FQD2N100.pdf
http://cmosedu.com/jbaker/papers/eleclett_sept_94.pdf

Vielleicht hilft Dir das erstmal weiter.

Peter

Autor: A. W. (wiwil)
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Vielen Dank für eure Anregungen. Ich werde da wohl, wenn die 
Anforderungen so nicht erfüllbar sind, doch nicht um neue Platinen 
rumkommen.
Aber mal eine Frage zu den Vorschlägen zu den kaskadierten Mosfets, die 
kommen in Peters Links und auch in der oben erwähnten Diss vor. (Hab die 
Schaltung angehangen)
Dort werden ja die Mosfets über vorgeladene Kondensatoren eingeschaltet.
Soweit, so gut, nur eins verstehe ich dabei nicht. Beim Ausschalten, 
kann sich der Spannungsteiler über die 10M Widerstände doch erst 
aufbauen, wenn die Kondensatoren geladen sind, die gesamte Spannung 
fällt also zunächst an dem obersten Mosfet ab und erst dann baut sich 
eine gleichmäßige Spannungsverteilung auf. So ergibt das zumindest auch 
die Simulation.
Warum ist das für den Mosfet unproblematisch? Oder wo liegt mein 
Denk/Simulationsfehler.
Das mit der Induktivitätsarmut ist mir klar, und bei realen 
Verhältnissen, wird es wohl immer auf einen Kompromiss zwischen 
Steilhait und Überspannung hinauslaufen, aber hier habe ich ein 
generelles Verständnisproblem.
Hier sind ja einige Leute, die doch mehr Ahnung von soetwas haben, als 
ich, vielleicht kann es mir einer kurz erklären.

Vielen Dank und Gruß
Andreas

Autor: Benedikt K. (benedikt) (Moderator)
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Andreas Wiese wrote:

> Beim Ausschalten,
> kann sich der Spannungsteiler über die 10M Widerstände doch erst
> aufbauen, wenn die Kondensatoren geladen sind, die gesamte Spannung
> fällt also zunächst an dem obersten Mosfet ab und erst dann baut sich
> eine gleichmäßige Spannungsverteilung auf. So ergibt das zumindest auch
> die Simulation.

Ich sehe bei der Schaltung noch mehr Probleme (oder sehe ich das 
falsch?):
Angenommen Vdd sei 300V und die Schaltung ist aus, dann teilt sich die 
Spannung gleichmäßig über den Mosfets zu je 100V auf. C2 läd sich auf 
100V, C3 auf 200V.
Schaltet nun M1 ein, dann geht Source von M2 auf GND und das Gate liegt 
aufgrund von C2 weiterhin auf 100V, was dazu führt, dass auch M2 sehr 
schnell ein und nie wieder ausschaltet. Das wird auch M3 zünden. Das 
Einschalten wird daher blitzartig geschehen...

Autor: A. W. (wiwil)
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Das sollte schon funktionieren:
Die Kapazitäten bilden mit der Gate-Kapazität einen Spannungsteiler. 
Außerdem gibt es auch eine Version mit Zenerdioden am Gate, um vor 
Überspannung zu schützen.
Das ist in der Dissertation von Baker erklärt:
http://cmosedu.com/jbaker/papers.htm

Aber beim Abschaltvorgang hab ich so meine Probleme

Autor: Benedikt K. (benedikt) (Moderator)
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Andreas Wiese wrote:
> Die Kapazitäten bilden mit der Gate-Kapazität einen Spannungsteiler.

OK, wenn man das wirklich exakt hinbekommt sollte es funktionieren. Mir 
wäre sowas allerdings zu riskant.

> Aber beim Abschaltvorgang hab ich so meine Probleme

Der sollte im Prinzip genauso ablaufen wie das Einschalten, nur 
umgekehrt:
Schaltet der unterste ab, geht Source von M2 hoch, weshalb C2 das Gate 
negativer macht und so M2 abschaltet usw.

Die Dimensionierung der Kondensatoren dürfte bei der Schaltung sehr 
kritisch sein. Ebenso die Toleranzen der Mosfets und deren Kapazitäten.

Autor: oszi40 (Gast)
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-Wenn die Kaskade 
http://www.mikrocontroller.net/attachment/47306/Kaskade.png  wirklich 
funktionieren sollte, dann bestimmt nur mit gut ausgemessenen 
Kapazitäten, WENN das Verhältnis zur jeweiligen Gatekapazität stimmt? 
Ob das später im Dauerbetrieb bei Wärme noch stabil funktioniert ?

-Schaltgeschwindigkeit im ns-Bereich ??

-Irgendwann werden wir hier wohl über den gewollten Mißbrauch von 
Senderöhren diskutieren, da diese wenigstens die hohe Spannung 
aushalten.
Schönes WE !

Autor: Peter Hoppe (peterhoppe59)
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Um noch mal auf die ursprüngliche Schaltung zurückzukommen:

1. Die Optokoppler sind recht schnelle Typen. Maximale 
Schaltzeitdifferenzen sind angegeben mit 100ns. Die relativ hohen 
Gatewiderstände (470) könnten weitere Differenzen verursachen. Nehmen 
wir mal insgesamt 200ns an.
2. Die Transistoren sind "Avalanche Rugged" mit 860V, 90mJ Single Puls, 
vertragen also einige Grobheiten. Dazu müßte allerdings die 
Avalancheenergie bekannt sein, oder aber der Strom auf ein Maximum 
begrenzt sein. Nehmen wir mal max. 1A. Im schlimmsten Fall schaltet nun 
1 Transistor 200ns früher als alle anderen. Dann wäre die 
Avalancheenergie 860V*1A*200ns = 175uJ. Das sollten die Transistoren bei 
nicht zu hoher Schaltfrequenz aushalten. Gibt es also im Versuchsaufbau 
Strombegrenzungen? Wie hoch sind die Schaltfrequenzen?
3. Der Kennwert "max. Drain Source Voltage Slope = 50V/ns" ist wichtig 
bei Brückenschaltungen u.ä., wenn dem Transistor eine Spannung 
aufgeschaltet wird. Wird die Anstiegsgeschwindigkeit zu hoch, beginnt er 
auch bei kurzgeschlossenem Gate zu leiten. Durch die hohen 
Gatewiderstände wird dieses parasitäre Durchschalten aber bereits bei 
niedrigeren Anstiegsgeschwindigkeiten erfolgen.
Hier wären jetzt Infos zum Versuchsaufbau und zu Strombegrenzungen 
nötig.
4. Einige sinnvolle Maßnamen wurden schon genannt: Z-Dioden (15V) vor 
den Gates zum Schutz vor Überspannung. Zenerclamps (Z-Dioden 400V..500V 
in Serie mit jeweils einer Diode) zwischen Gates und Drains für eine 
bessere Spannungsverteilungen.

Autor: A. W. (wiwil)
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Hallo zusammen,

nochmal vielen Dank für die vielen nützlichen Tipps. Hier sind ja doch 
einige, die etwas von der Materie verstehen.

Zur Versorgung meiner Schaltung ist zu sagen, dass es sich um fertige 
Hochspannungwandler mit maximalem Nenn-Strom von 1mA handelt. Diese sind 
dauerkurzschlussfest. Ich habe den Kurzschlussstrom nicht gemessen, 
denke aber dass dieser auch kurzzeitig nicht in die Nähe von den 1A im 
Beispiel kommt.
Das mit der maximalen Anstiegsgeschwindigkeit habe ich bisher überlesen. 
Den Wert überschreite ich zwar so nicht, allerdings wenn das vom 
Gate-Widerstand auch abhängt, mag es ein Problem sein. Ein ungewolltes 
Durchschalten von einem Mosfet in der Kette würde ja zu einer erhöhten 
Spannungsbelastung für die anderen Mosfets führen.
Ich werde wohl jetzt zunächst einige Versuche mit kleinerer Spannung 
machen, um mal eigene Erfahrungen zu sammeln und entsprechende Dioden 
als Schutz habe ich bereits bestellt.

Werde auf jeden Fall berichten, wenn ich neue Erkenntnisse habe.

Gruß
Andreas

Autor: Peter Hoppe (peterhoppe59)
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Andreas Wiese wrote:
> Zur Versorgung meiner Schaltung ist zu sagen, dass es sich um fertige
> Hochspannungwandler mit maximalem Nenn-Strom von 1mA handelt. Diese sind
> dauerkurzschlussfest.

Naja, das allein reicht noch nicht. An den Wandlerausgängen könnten ja 
Speicherkondensatoren verbaut sein. Ein 100nf enthält bereits eine 
Energie von 1/2 * 3kV^2 * 100nf = 450mJ. Außerdem ist die 
Avalanche-Festigkeit bei kapazitiven Quellen/Lasten sicherlich nicht 
gewährleistet. Die "Stoßzeit" wird dann ev. so kurz, dass die Wärme sich 
nicht mehr im Chip verteilen kann -> lokale Überhitzung. Eine ähnliche 
Situation ergibt sich durch die parallel geschalteten 
Ausgleichskondensatoren. Deren Energieinhalt ist aber ziemlich klein.

Autor: Guri (Gast) (Gast)
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Vielleicht ist dieser Link hilfreich:

http://www.gbs-elektronik.de/puls_gen/pulsgen.htm#1

Autor: Guri (Gast) (Gast)
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Hier noch ein aktuellerer Link:
http://www.gbs-elektronik.de/

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