Zwei MOSFETs parallel im Teillastbetrieb?

Ok, aber warum? FETs leiten Strom ja schlechter, wenn sie wärmer werden. 
Müsste sich da nicht ein Gleichgewicht einstellen?

Reichen 0.01-Ohm-Widerstände? Die FETs selbst werden so geregelt, dass 
sie insgesamt einen DS-Widerstand zwischen 0.04 und 1 Ohm haben (also 
R_FET1 + R_FET2)

Bei den MOSFETs gibt es nomalerweise zwei Effekte mit steigen der 
Temperatur:
1) die Threschholdspannung wird kleiner  -> mehr Strom
2) die Steilheit nimmt ab, bzw. Ron steigt -> weniger Strom

Bei kleinen Spannungen überwiegt der 2 te Effekt bei größeren Spannungen 
eher der erste. Wo genau die Grenze liegt hängt wohl vom Typ ab. 
Außerdem gibt es ziehmliche Variationen zwischen den FETs sodass auch 
ohne den Temperatureffekt der Strom nicht unbedingt gleichmäßig verteilt 
wird.

Die 0,01 Ohm reichen nicht. Am Widerstand wird schon eine Spannung von 
rund 0,5 V bei Volllast der Transistoren abfallen müssen, ähnlich wie 
bei den ´bipolaren Transistoren.

Vorsicht!
MOSFETS leiten den Strom IM DURCHGESCHALTETEN Zustand schlechter bei 
Erwärmung, d.h. auf Symmetrierwiderstände kann nur im Schaltbetrieb 
verzichtet werden, weil der RDSon desjenigen, der mehr Strom nimmt und 
deswegen wärmer wird, steigt und somit der Strom geringer wird.

Im Linearbetrieb ist dies ungleich vertrackter:
Der Strom wird durch UGS bestimmt. Zum einen hat UGS selbst bei 
Transistoren aus der gleichen Charge enorm hohe streungen, d.h. ohne 
Sourcewiderstände fließt nahezu dein ganzer Strom nur durch einen 
Transistor, zum anderen (böser!): selbst wenn es dir gelingt, nahezu 
gleiche Exemplare zu selektieren, dann SINKT die für einen bestimmten 
Strom nötige UGS mit steigender Temperatur, d.h. der Transistor, der 
sowieso schon mehr Strom leitet und deswegen wärmer wird, dreht noch 
weiter auf
-> PFAZZPENG

Abhilfe schaffen hier nur Sourcewiderstände. Die Dimensionierung ist 
ohne weitere Angaben schwierig, aber so mit ca. 1V Spannungsabfall bei 
Sollstrom liegt man nicht so ganz verkehrt. Je mehr desto stabiler, aber 
man will natürlich nicht unnütz Strom verbraten.

Habe gerade sowas mit 3 MOSFETs hinter mir, also BTDT.

HTH,
Baku

Ja, die sind thermisch gekoppelt. Es soll ein Entladegerät (mit 
Kapazitätsmessung) werden mit max. 10 A für 1 bis 15 V.

Da bei 1 V noch 10 A fließen sollten, muss die Last bis auf 0.1 Ohm 
sinken können.

Ich werds wohl wirklich ausprobieren müssen. Ansonsten habe ich mir 
überlegt den hier zu nehmen: 
http://www.pollin.de/shop/shop.php?cf=detail.php&pg=OA==&a=NDkwOTY4OTk=&w=Njk4OTk4&ts=0
Aber ich bin mir nicht sicher, wie sich das Ding verhält. Die Graphen im 
Datenblatt sehen nicht schlecht aus.

Habe soeben euere Postings gelesen. Für meine Anwendung lohnt sich der 
Aufwand dann wohl nicht. Vor allem wegen den Source-Widerständen. Ich 
brauche einen stärkeren FET. Also entweder der von Pollin (link im 
Posting drüber) oder der IRF1404: 
http://www.mikrocontroller.net/articles/MOSFET-%C3%9Cbersicht#N-Kanal_MOSFET